STM32 IAP固件升级 认知篇

1、环境

stm32f103zet6
MDK 5.28

2、芯片

2.1 Flash大小

我用的是stm32f103zet6属于高容量产品，flash大小512KB，每个Page2KB大小，一共256页（这个可以根据自己的芯片去ST官网查询文档），如下图所示：

我们这边对这个flash再做个划分（需要根据固件大小和bootloader程序大小划分，bootloader程序出厂就不会改变了，所以要预留考虑好分区是否放的下程序）：

• bootloader大小是前128KB，从0x08000000~0x0801FFFF
• APP程序区是192KB，从0x08010000~0x0804FFFF
• UpdateFirmware区是192KB，从0x08050000~0x0807FFFF

UpdateFirmware

这个区域我是把这个区域第一页用来存放是否升级，文件大小等信息等。
第二页开始也才开始存放真正意义上的固件。

内部flash详细分区

3、IAP升级流程

bootloader程序设计流程

APP程序设计流程

4、Bootloader程序设计

要实现IAP升级，需要先实现几个功能擦写内部flash、计算校验和、程序跳转和软件复位系统的功能。

擦除/写flash

flash解锁和上锁

ST对内部flash做了保护如果要擦写需要先解锁，使用结束后我们也会锁上。
这里使用的是HAL库提供的函数接口实现的：

• flash解锁

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void)    //解锁

• flash上锁

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void)     //上锁

• flash擦除

/**
  * @brief  Erase the specified FLASH memory sector
  * @param  Sector FLASH sector to erase
  *         The value of this parameter depend on device used within the same series      
  * @param  VoltageRange The device voltage range which defines the erase parallelism.  
  *          This parameter can be one of the following values:
  *            @arg FLASH_VOLTAGE_RANGE_1: when the device voltage range is 1.8V to 2.1V, 
  *                                  the operation will be done by byte (8-bit) 
  *            @arg FLASH_VOLTAGE_RANGE_2: when the device voltage range is 2.1V to 2.7V,
  *                                  the operation will be done by half word (16-bit)
  *            @arg FLASH_VOLTAGE_RANGE_3: when the device voltage range is 2.7V to 3.6V,
  *                                  the operation will be done by word (32-bit)
  *            @arg FLASH_VOLTAGE_RANGE_4: when the device voltage range is 2.7V to 3.6V + External Vpp, 
  *                                  the operation will be done by double word (64-bit)
  * 
  * @retval None
  */
void FLASH_Erase_Sector(uint32_t Sector, uint8_t VoltageRange)

• flash写入

/**
  * @brief  Program byte, halfword, word or double word at a specified address
  * @param  TypeProgram  Indicate the way to program at a specified address.
  *                           This parameter can be a value of @ref FLASH_Type_Program
  * @param  Address  specifies the address to be programmed.
  * @param  Data specifies the data to be programmed
  * 
  * @retval HAL_StatusTypeDef HAL Status
  */
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data)

• 等待flash操作完成

/**
  * @brief  Wait for a FLASH operation to complete.
  * @param  Timeout maximum flash operationtimeout
  * @retval HAL Status
  */
HAL_StatusTypeDef FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout)

更新APP区代码如下

HAL_FLASH_Unlock();  

// 擦除应用程序区
for(uint8_t i=0;i<APP_SECTOR_TOTAL_NUM;i++)
{
	FLASH_WaitForLastOperation(0xffff);
	FLASH_Erase_Sector(APP_FIRST_SECTOR_NUM+i,FLASH_VOLTAGE_RANGE_2);//APP_FIRST_SECTOR_NUM定义成APP开始地址
}

for(uint32_t i=0;i<firmSize;i++)
{
	dat = *(__IO uint16_t*)(FIRMWARE_START_FLASH_ADDR + i*2);//FIRMWARE_START_FLASH_ADDR 定义固件区起始地址
	HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD,APP_START_FLASH_ADDR + i*2,dat);//将新固件写入APP区
} 
 
// 擦除固件升级信息 
FLASH_WaitForLastOperation(0xffff);
FLASH_Erase_Sector(UPDATE_PLAN_SECTOR_NUM,FLASH_VOLTAGE_RANGE_2);//将升级计划擦除

// 擦除固件缓存区
for(uint8_t i=0;i<FIRMWARE_SECTOR_TOTAL_NUM;i++)
{
	FLASH_WaitForLastOperation(0xffff);
	FLASH_Erase_Sector(FIRMWARE_FIRST_SECTOR_NUM+i,FLASH_VOLTAGE_RANGE_2);
}
HAL_FLASH_Lock();//上锁  
FLASH_WaitForLastOperation(0xffff);//等待flash操作结束

校验

功能：确保固件在flash中是完全正确的
这个可以自己设计，和校验和CRC校验都可以。需要添加校验和到固件的末端或者头部。然后根据计算方法验证flash中的固件是否正确，与添加到固件中的校验和比对，若正确认为固件完整且正确。为了提高效率只有申请固件升级后才会对固件进行验证工作。

程序跳转

void Jump(uint32_t addr)
{ 
	__disable_irq() ; //关闭总中断
  /* Jump to user application */
  
	if (((*(volatile uint32_t*)addr) & 0x2FFE0000 ) == 0x20000000)
	{			
		JumpAddress = *((__IO uint32_t*) (addr + 4));
		Jump_To_Application = (pFunction) JumpAddress;
		/* Initialize user application's Stack Pointer */
		__set_MSP(*(__IO uint32_t*) addr);
		Jump_To_Application();
	}
}

从bootloader程序跳转到APP程序。

注：这里关闭了中断，所以跳转结束后，APP程序需要打中断否则会出现进不了中断的现象。

系统软复位

5、APP程序设计

flash起始位置的修改

中断向量表偏移

SCB->VTOR = FLASH_BASE | 0x20000; /* Vector Table Relocation in Internal FLASH */

注：
Q：为什么只有APP程序中需要设置中断向量偏移量？
A：bootloader一般写在FLASH的头部，开机直接启动，所以使用默认的向量偏移地址就可以。
App程序一般写在BootLoader的后面或者外部FLASH中，程序头部不在0x8000000，其中断向量表基地址也不在0x8000000。
Q：HAL库的

下载程序设计（也可以设计在Bootloader中）

Ymodem协议可以看另外一篇文章这里不过多介绍了。

flash的写入

与Bootloader中的flash擦写一致。
完成固件接收之后还需要将升级计划更新，以便于下次启动时更新新的的固件。

参考资料

STM32中SCB->VTOR的理解