片上超透镜的光计算

2019年特拉华大学的在nature communication上面的一篇文章。《On-chip wavefront shaping with dielectric metasurface》

片上超表面已经用二维周期结构实现，然而，它们固有的散射损失限制了它们的大规模实现。在单层高对比度透射阵列 (HCTA) 超表面中可以最小化散射。展示了在标准绝缘体上硅衬底上定义的基于 HCTA 的一维透镜，其高透射率（<1 dB 损耗）保持在 200 nm 带宽内。 HCTA 的三层级联用于展示傅立叶变换和微分的超表面系统功能。超表面系统设计具有实现片上变换光学、数学运算和光谱仪的潜力，可应用于成像、传感和量子信息处理领域。（特点在于减小损耗宽带操作的超透镜，以及是在SOI上操作的）

基于一维 HCTA 设计，通过实验证明了超短、低损耗和宽带模式尺寸转换器以及执行傅立叶变换和空间微分的meta-系统。1D HCTA 的最小特征尺寸为 140 nm，与当前用于硅光子代工厂的深紫外光刻技术兼容，因此适用于以光速运行的大规模硅光子计算芯片。

低损耗一维片上HCTA，HCTA即高对比度发射阵列，是在绝缘体上硅衬底中的一维矩形刻蚀槽阵列，HCTA的晶格常数固定为小于波长的一半，然后扫描长度和宽度获得HCTA（高对比度发射阵列）的透射率和相移与槽的长度和宽度之间的关系，如下图所示：

 然后又通过仿真模拟，将缝隙宽度定为0.14微米，然后将缝隙长度从0.2微米到2.5微米，可以同时实现从0到2pi的相移以及大于94%的透射阵列。

---

利用HCTA设计片上超表面透镜

然后接下来大篇幅的先仿真超透镜的性能，然后又做实验来验证。

使用梯度变化HCTA进行片上波前控制，沿y方向的1D HCTA对沿x方向的入射光（TE偏振）施加空间相关的相移，为了实现片上波聚焦，传输波的相移定义为以下等式：

 其中 λd 是自由空间中的设计波长，neff 是限制在硅板中的引导光的有效折射率，f 是焦距。在这里，我们固定晶格常数 (a = 500 nm) 和槽宽 (w = 140 nm) 以确保高透射率，并沿 y 方向改变槽长以获得所需的波前。

仿真

图 2a 显示了 250 nm 厚的硅板（z = 125 nm）中间 x-y 平面的光强度分布。输入光沿 +x 方向以 1550 nm 波长为中心。设计的超透镜在 y 方向上的宽度为 11 μm，聚焦长度为 25 μm，光斑尺寸为 1.07 μm。光斑尺寸标记为模式剖面横截面中的半高全宽（FWHM）。随着梯度变化的相移，传输波之间的干涉使离轴光向中心轴“弯曲”。通过改变狭缝长度的梯度来控制超透镜的聚焦长度。通过控制 y 方向的狭缝长度步长，可以将聚焦长度从几微米调整到亚毫米。图 2c 绘制了聚焦效率、透射率和光斑尺寸与焦距的关系图，表明了聚焦效率和光斑尺寸之间的权衡。聚焦效率定义为通过焦平面矩形孔径的入射光的分数。

然后d图和e图，改变入射光的波长和入射光的角度又仿真了一遍，然后给出了分析。

 实验验证

如下图a所示，是在xy平面内，然后11个波导平行放置在输出平面上，以获得光强分布，中心间距设置为1微米以避免串扰。超透镜和输出平面之间的距离在3到18.9微米之间，被测超透镜的焦距f设计为8微米，在下图 b 中比较了在不同 y 位置沿 x 轴的模拟和测量的光强度分布。测量的横截面光强度分布（图 3c 中的点）与模拟分布（图 3c 中的曲线）吻合良好。

图 3d 比较了 13.7-μm 长锥度在有和没有超透镜的情况下的透射光谱。 

 然后下面又运用级联的这种超表面系统进行数学运算，用这个来实现傅里叶变换，具有两个输入端口和11个输出端口，在SOI上制作，输入和输出平面放置在超透镜的焦平面上（下图 a 的插图）。在输入端口上，光从单模波导耦合到平板,在输出平面上，光场分布由中心距为 1 μm 的密集单模波导采样,测量来自这些端口的传输功率，并与数值和分析结果进行比较(图4b)，然后后面又做了微分器，通过改变槽的宽度和长度，将空间变化的透射系数编程到中间的 HCTA 掩模层上。如下图 c 的左侧插图所示，三级系统的占地面积仅为 15 μm x 45 μm。 在我们的超表面系统中，入射角被限制在 ±16° 内，才会产生准确的 FT。

结论：提出了一种兼容代工制造的超紧凑超表面，旨在实现具有低插入损耗和宽带操作的片上波前转换。基于 HCTA 的超透镜经过分析设计、数值验证和实验证明。一维超透镜具有高达 2.14 的数值孔径，可以将光聚焦到 10 μm 以内，损耗小于 1 dB。它可以显着缩小用于模式尺寸转换的锥体长度。