晶振的一些总结

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晶振前言

晶振在电路中作为时间或者频率基准源，设备的心脏

一、晶振是什么？

有一些电子设备需要频率高度稳定的交流信号，而LC振荡器稳定性较差，频率容易漂移（即产生的交流信号频率容易变化）。在振荡器中采用一个特殊的元件——石英晶体，可以产生高度稳定的信号，这种采用石英晶体的振荡器称为晶体振荡器。

二、相关电路知识

石英晶体振荡器是利用石英晶体(二氧化硅的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等)，在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
2、压电效应
若在石英晶体的两个电极上加一电场，晶片就会产生机械变形。反之，若在晶片的两侧施加机械压力，则在晶片相应的方向上将产生电场，这种物理现象称为压电效应。如果在晶片的两极上加交变电压，晶片就会产生机械振动，同时晶片的机械振动又会产生交变电场。在一般情况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关
3、晶振中的一些基础电路知识

1. 匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。

2. 负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。

3. 一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。

4. 负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。

晶振旁的电阻(并联与串联)

一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。

晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。

和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。用来调整drive level和发振余裕度。

Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向 180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大?

电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。

晶体的Q值非常高, Q值是什么意思呢? 晶体的串联等效阻抗是 Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶体一般等效于一个Q很高很高的电感，相当于电感的导线电阻很小很小。Q一般达到10^-4量级。

避免信号太强打坏晶体的。电阻一般比较大，一般是几百K。

串进去的电阻是用来限制振荡幅度的，并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几十MHZ一般是在20~30P左右，主要用与微调频率和波形，并影响幅度，并进去的电阻就要看 IC spec了，有的是用来反馈的，有的是为过EMI的对策

可是转化为 并联等效阻抗后，Re越小，Rp就越大，这是有现成的公式的。晶体的等效Rp很大很大。外面并的电阻是并到这个Rp上的，于是，降低了Rp值 -----> 增大了Re -----> 降低了Q

石英晶体有两个谐振频率，即fs和fp，fp略大于fs。当加到石英晶体两端信号的频率不同时，它会呈现出不同的特性

常用电路图：
第1种晶振电路图：
　　如图所示，它是一个简单的 晶振电路图，由A1的三个栅极，四个电阻，调谐电容器和一个晶体组成。在图中，A1和晶体谐振器SJT以及电容器构成4069 kHz的方波信号。将开关设置为1点，然后将其发送到A2。将A2除以2后，可获得2048kHz振荡信号。开关放置在3点处并发送到A3。将A2除以2后，即可获得128kHz振荡信号。调谐电容器C1和C2可以将频率精确地调谐到中心频率。晶体SJT连接在A1的输入和输出端子之间，以晶体的基频提供反馈环路。

在图中，A1和晶体谐振器SJT以及电容器构成4069 kHz的方波信号。将开关设置为1点，然后将其发送到A2。将A2除以2后，可获得2048kHz振荡信号。开关放置在3点处并发送到A3。将A2除以2后，即可获得128kHz振荡信号。调谐电容器C1和C2可以将频率精确地调谐到中心频率。

晶振电路图(1)

晶体SJT连接在A1的输入和输出端子之间，以提供一个反馈环路，该反馈环路会在晶体的基频上产生振荡。

第2种晶振电路图：

极管TV2执行信号放大并且通过电容器C8耦合出。其中，电阻器RI，R2以及电阻器R5，R6和R7是晶体管VT1和VT2的DC偏置元件。L2是高频扼流圈，可为振荡管VT1的集电极电流提供直流路径。C2是隔直电容。C3和C7是交流旁路电容器，因此VT1的发射极处于交流零电位，但直流电位不为零。电感器L1，电容器C6和电阻器R3是改进的电源滤波器电路，其作用是降低纹波电压以振荡直流分量。电容器C4和C8可以略微调节以改变耦合信号的大小。

　　 晶振电路图(2)

1.组件小号选

电容器C1为20p，C2为100p，C3和C7为820p，C4为56p，C5和C8为47p，C6为47u / 50V。电感L1为22 uH(色码电感)，L2为0.3 uH。电阻R1为1.6kΩ，R2为1kΩ，R3为750Ω，R4为180Ω，1W，R5为1.3kΩ，R6为3kΩ，R7为360Ω，R8为470Ω，R9-R12为300Ω，2W。晶体管VT1，VT2选择3DG82B，65≤β≤115。晶体SJT使用JA9B型-70MHz。继电器KM是JUC-1M。

2. 注意事项

(1)使用石英晶体时，必须注意一个实际问题。这是晶体本身的激发功率。当激励功率大时，输出功率也大。此时，晶体管引入的噪声没有受到很大的影响。但是，过多的晶体激发功率会降低晶体的长期稳定性(老化特性)。当晶体激发功率较小时，长期稳定性良好，但是优选使用低噪声晶体三极管。

(2)由于晶体频率受温度的影响很大，为了确保晶体频率的稳定性，有必要注意晶体的恒温。将晶体放置在恒温浴中，并且通过恒温控制电路维持恒温浴中的温度以维持晶体的拐点温度。因此，为了稳定振荡频率和振荡幅度，将晶体SJT和VT1，VT2放置在培养箱中。孵化器由R9-R12的四个2W金属膜电阻器加热，并使用小型密封温度继电器KM作为温度控制元件。盒子内部的温度为+55°C(所用晶体的拐点温度通常为+60±5°C)。为了减小培养箱的体积，回路中的组件应尽可能小。如果包装箱内的温度高于+55°C，则KM-1.2触点断开;如果≤+55°C，则KM-1.2触点闭合，以确保箱内温度设置为+55°C。
　　第3种晶振电路图：

晶振电路图(3)

该电路在100kHz至5MHz的频率范围内振荡。工作特性取决于电源电阻。可以使用微调电容器来调节频率。输出电阻很高，其后是源极跟随器作为隔离器以支持该缺点。

第4种晶振电路图：

　　这个简单且便宜的晶体振荡器由74LS04的两个门和外围组件组成。
　　 晶振电路图(4)

电阻器R1和R2在线性范围内对两个反相器F1，F2进行偏置，并提供一个来自晶体SJT的反馈环路，该环路在晶体的基频上产生20MHz的振荡频率，然后由反相器F3发送至74LS74。构造的D型触发器被分割。要执行两路或四路，八路等操作，您需要遵循2n分频规则(n是级数)。n = 1，则分频为21 = 2，即A1 =分频电路后为20MHz，Q1输出10MHz;如果是四分频，n = 2，则22 = 4的分频，即20MHz被A1和A2分频。电路后，Q2输出5MHz;如果将频率除以三，则当f的第三个脉冲结束时，Q1 = 1，Q2 = 1，则Q1 = 0，Q2 = 0，或者非门HF1的输出为1，至R端子重置，将Q1和Q2复位为00。将A1和A2除以3后，Q2输出约为6.7MHz。如果将频率除以5，则当计数为5时，Q1Q2Q3 = 101，即Q1 = 0。Q3 = 0，或非门HF2的输出为1，并且Q1，Q2和Q3重置为000。结果，Q3输出4MHz频率。

显然，输出状态由D决定，输出状态的翻转由CP控制，CP可以生成适合其需求的各种频率。

第5种晶振电路图：

使用运算放大器的晶振电路图。该电路使用输出脉冲频率高达10MHz的761运算放大器。2kΩ电阻用作运放输出级的集电极开路负载。

晶振电路图(5)

第6种晶振电路图：

带有晶振的无线电电路。该电路频率可以为27MHz。中频为455kHz。为了增加接收功率，此处使用场效应晶体管前级。

晶振电路图(6)

第7种晶振电路图：

频率高达4.000MHz的石英晶体振荡器电路。图(a)和(b)显示了两个4.000MHz振荡器基本电路。根据电路结构，可以通过测试调整来确定最佳工作点。

晶振电路图(7)

第8种晶振电路图：

场效应晶体瞥晶振电路图。该振荡器以51.000MHz(17MHz 3次谐波)晶体工作。根据结构的不同，漏极至栅极的电容可以选择为0.5至1.8 pF。L2参数约为L1的20%。可以通过470Ω的源电阻来改变振荡特性。

晶振电路图(8)

第9种晶振电路图：

使用NAND门的30MHs晶振电路图。该电路由TTL集成电路(745000)组成。使用石英晶体频率的三次谐波操作。精确选择47pF电容器(10-100pF)可以保证振荡性能。输出电压约为3.5V(峰峰值)。

晶振电路图(9)

第10种晶振电路图：

使用与非门的晶振电路图。该电路使用两个7400TTL NAND门，其振荡频率高达10MHz。必须小心地将两个820Ω电阻调谐到选定的振荡频率。

　　 晶振电路图(10)
设计考虑事项：

1. 使晶振、外部电容器(如果有)与 IC之间的信号线尽可能保持最短。当非常低的电流通过IC晶振振荡器时，如果线路太长，会使它对 EMC、ESD 与串扰产生非常敏感的影响。而且长线路还会给振荡器增加寄生电容。

2. 尽可能将其它时钟线路与频繁切换的信号线路布置在远离晶振连接的位置。

3. 当心晶振和地的走线

4. 将晶振外壳接地

如果实际的负载电容配置不当，第一会引起线路参考频率的误差。另外如在发射接收电路上会使晶振的振荡幅度下降(不在峰点)，影响混频信号的信号强度与信噪。

当波形出现削峰，畸变时，可增加负载电阻调整(几十K到几百K)。要稳定波形是并联一个1M左右的反馈电阻
参考： http://www.szkeqi.com/articles/10zhongfeichangyou.html
https://m.elecfans.com/article/1310868.html