常用电路防反接小结

串联二极管

在这里插入图片描述在电路中串联一个二极管,电路简单、成本低,不过在导通的时候会有≤0.7V的管压降,对于大电流的电路会造成较大的损耗。

整流桥

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接入整流桥与串联二极管类似,不过一旦接入了整流桥电路就不存在正反接了,正反接入电路都可以正常工作,但是成本相对较高。

串联保险丝、并联二极管

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在电路中串联保险丝并联一个二极管。这种防反接电路在输入处串联了一个保险丝、并联了一个二极管。当电源正接时,只要负载电流不超过保险丝允许范围时,保险丝不会熔断,二极管反向截止,输入电压没什么损耗,不影响负载电路的正常工作。当电源接反时,二极管导通,此时电流大,保险丝熔断,从而实现电路保护功能。
但是麻烦的是,我们每接反一次电路,就要更换一次保险丝,很是不方便,想省功夫的可以接自恢复保险丝。

NMOS管防反接

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上电瞬间,MOS管的寄生二极管导通,系统形成回路,源极S的电位大约为0.6V,而栅极G的电位为Vbat,MOS管的开启电压极为:Vgs = Vbat - Vs,栅极表现为高电平,NMOS的ds导通,寄生二极管被短路,系统通过NMOS的ds接入形成回路。
若电源接反,NMOS的导通电压为0,NMOS截止,寄生二极管反接,电路是断开的,从而形成保护。

PMOS管防反接

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上电瞬间,MOS管的寄生二极管导通,系统形成回路,源极S的电位大约为Vbat-0.6V,而栅极G的电位为0,MOS管的开启电压极为:Vgs = 0 -(Vbat-0.6),栅极表现为低电平,PMOS的ds导通,寄生二极管被短路,系统通过PMOS的ds接入形成回路。
若电源接反,NMOS的导通电压大于0,PMOS截止,寄生二极管反接,电路是断开的,从而形成保护。
注:
NMOS管将ds串到负极,PMOS管ds串到正极,寄生二极管方向朝向正确连接的电流方向;
如果是三极管,NPN的电流方向只能是C到E,PNP的电流方向只能是E到C。不过,MOS管的D和S是可以互换的。这也是三极管和MOS管的区别之一。
在一些USB与电池供电切换设计时也会运用到PMOS管

NMOS管和PMOS管拓展

MOS管的D极和S极的接入:通常使用N沟道的MOS管时,一般是电流由D极进入而从S极流出,PMOS则S进D出,应用在这个电路中时则正好相反,通过寄生二极管的导通来满足MOS管导通的电压条件。MOS管只要在G和S极之间建立一个合适的电压就会完全导通。导通之后D和S之间就像是一个开关闭合了,电流是从D到S或S到D都一样的电阻。

实际应用中,G极一般串接一个电阻,为了防止MOS管被击穿,也可以加上稳压二极管。并联在分压电阻上的电容,有一个软启动的作用。在电流开始流过的瞬间,电容充电,G极的电压逐步建立起来。

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参考

  1. 电源防反接小结
  2. MOS防止电源反接
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