忆阻器（二）——忆阻模拟器

除了真实的器件，我们也可以用运放和乘法器来搭忆阻模拟器。这节将介绍数学模型、matlab仿真及multisim仿真。

一、数学模型

忆阻分为磁控和荷控两种，这里介绍三次非线性磁控忆阻模型：
$$\{\begin{array}{l}I=W(\phi )V\\ W(\phi )=a+3b{\phi }^2\\ \frac{d\phi }{dt}=V\end{array}$$
这里的$W$为忆导。

假设电压为正弦波动$V(t)=V_m\sin (\omega t)$，积分可得磁通量：
$$\begin{array}{rl}\phi (t)& ={\int }_{-\infty }^{t}V(\tau )d\tau ={\phi }_0+{\int }_0^t{V}_m\sin (\omega \tau )d\tau \\ & ={\phi }_0+\frac{V_m}{\omega }[1-\cos (\omega t)]\end{array}$$
带入电流表达式可以得到：
I ( t ) = { a + 3 b ω 2 [ φ 0 ω + V m − V m cos ⁡ ( ω t ) ] 2 } V m sin ⁡ ( ω t ) = c 1 sin ⁡ ( ω t ) + c 2 sin ⁡ ( 2 ω t ) + c 3 sin ⁡ ( 3 ω t ) \begin{aligned} I(t)&=\{a+\frac{3b}{\omega^2}[\varphi_0\omega+V_m-V_m\cos(\omega t)]^2\}V_m\sin(\omega t)\\ &=c_1\sin(\omega t)+c_2\sin(2\omega t)+c_3\sin(3\omega t) \end{aligned} I(t)​={a+ω23b​[φ0​ω+Vm​−Vm​cos(ωt)]2}Vm​sin(ωt)=c1​sin(ωt)+c2​sin(2ωt)+c3​sin(3ωt)​
其中$c_1=(a+3b{\phi }_0^2+\frac{6b}{\omega }{V}_m+\frac{15b}{4{\omega }^2}{V}_m^2)V_m$，$c_2=-\frac{3b}{{\omega }^2}({\phi }_0\omega +V_m)V_m^2$，$c_3=\frac{3b}{4{\omega }^2}{V}_m^3$

二、matlab仿真

假设系统参数$a=0.6667mS,b=194.4945S/W{b}^2$，可以得到不同条件下电流$I(t)$随电压$V(t)$的变化关系：(代码见附录)

三、基于运放和乘法器的忆阻模拟器

1、原理推导

忆阻模拟器的原理图如下：

包含3个运放、2个乘法器、1个电容和5个电阻。第一级放大器$U_1$用于避免负载效应；第二级放大器$U_2$与电阻$R_0$和电容$C_0$构成积分器：
$$v_a(t)=v_0(t)=-\frac{1}{R_0{C}_0}{\int }_{-infty}^{t}v(\tau )d\tau =-\frac{1}{R_0{C}_0}\phi (t)$$

乘法器$M_2$的输出电压：
$$v_b(t)=g_1{g}_2[v_a(t){]}^{2}v(t)$$
$g_1,g_2$分别表示$M_1,M_2$的增益。

第三级放大器$U_3$与$R_1,R_2,R_3$构成电流反转电路，当$R_2=R_3$时，可以得到：
i 1 ( t ) = − v ( t ) − v b ( t ) R 1 = { − 1 R 1 + g 1 g 2 [ v a ( t ) ] 2 R 1 } v ( t ) i_1(t)=-\frac{v(t)-v_b(t)}{R_1}=\{-\frac{1}{R_1}+\frac{g_1g_2[v_a(t)]^2}{R_1}\}v(t) i1​(t)=−R1​v(t)−vb​(t)​={−R1​1​+R1​g1​g2​[va​(t)]2​}v(t)

最后得到输入端电流：
i ( t ) = { ( 1 R i n − 1 R 1 ) + g 1 g 2 [ v a ( t ) ] 2 R 1 } v ( t ) i(t)=\{(\frac{1}{R_{in}}-\frac{1}{R_1})+\frac{g_1g_2[v_a(t)]^2}{R_1}\}v(t) i(t)={(Rin​1​−R1​1​)+R1​g1​g2​[va​(t)]2​}v(t)

等效忆导的表达式为：
$$W(\phi )=\frac{1}{R_{in}}-\frac{1}{R_1}+\frac{g_1{g}_2}{R_1(R_0{C}_0{)}^2}{\phi }^2$$
与数学模型对比可以得：
$$\{\begin{array}{l}a=\frac{1}{R_{in}}-\frac{1}{R_1}\\ b=\frac{g_1{g}_2}{3R_1(R_0{C}_0{)}^2}\end{array}$$

2、仿真

设定放大器的工作电压为$\pm 15V$，磁控忆阻的等效参数$a=0.6667mS,b=194.4945S/W{b}^2$，进而得到电路参数：

电路参数	物理含义	参数值
$C_0$	电容	47nF
$R_0$	电阻	$8.2k\Omega$
$R_1$	电阻	$750\Omega$
$R_2$	电阻	$1.5k\Omega$
$R_3,R_4$	电阻	$2k\Omega ,2k\Omega$
$g_1$	尺度因子($M_1$)	0.1
$g_2$	尺度因子($M_2$)	1.3

multisim搭好电路图：

改变参数，可以得到不同的电流——电压变化图：

这里选取最后一个例子：

附录

% 1.basic parameter
clear;clc;
a = 0.6667 * 10^(-3);
b = 194.4945 ;
% vm = 1,2,3
vm = 1;
% fai0 = 0,-0.5,0.5 m Wb
fai0 = -0* 10^(-3);
% f = 300,600,2000Hz
w = 2*pi*300;
% 2.time
t = linspace(0,2*pi/w,1001);
delta = 2*pi/w/1000;
% 3.it,x,M,V
vt = vm*sin(w*t);
%vt = 2*vm*sin(w*t)+1.5*vm*cos(2*w*t);
N = size(t);N = N(2);
fai =vt;
for k=2:N
    fai(k)=vt(k)+fai(k-1);
end
fai = fai0 + delta *fai;
W = a+ 3*b*fai.^2;
I = W .*vt;
plot(vt,I);

原文链接

参考文献

[1]包伯成,徐权,包涵 著. 忆阻电路与多稳定性[M]. 北京：科学出版社, 2018