除了真实的器件,我们也可以用运放和乘法器来搭忆阻模拟器。这节将介绍数学模型、matlab仿真及multisim仿真。
一、数学模型
忆阻分为磁控和荷控两种,这里介绍三次非线性磁控忆阻模型:
{
I
=
W
(
φ
)
V
W
(
φ
)
=
a
+
3
b
φ
2
d
φ
d
t
=
V
\begin{cases} I=W(\varphi)V \\ W(\varphi)=a+3b \varphi ^2\\ \frac{d \varphi }{dt}=V \end{cases}
⎩⎪⎨⎪⎧I=W(φ)VW(φ)=a+3bφ2dtdφ=V
这里的
W
W
W为忆导。
假设电压为正弦波动
V
(
t
)
=
V
m
sin
(
ω
t
)
V(t)=V_m\sin(\omega t)
V(t)=Vmsin(ωt),积分可得磁通量:
φ
(
t
)
=
∫
−
∞
t
V
(
τ
)
d
τ
=
φ
0
+
∫
0
t
V
m
sin
(
ω
τ
)
d
τ
=
φ
0
+
V
m
ω
[
1
−
cos
(
ω
t
)
]
\begin{aligned} \varphi(t)&=\int_{-\infty}^t V(\tau)d\tau=\varphi_0+\int_0^t V_m\sin(\omega \tau)d\tau\\ &=\varphi_0+\frac{V_m}{\omega}[1-\cos(\omega t)] \end{aligned}
φ(t)=∫−∞tV(τ)dτ=φ0+∫0tVmsin(ωτ)dτ=φ0+ωVm[1−cos(ωt)]
带入电流表达式可以得到:
I
(
t
)
=
{
a
+
3
b
ω
2
[
φ
0
ω
+
V
m
−
V
m
cos
(
ω
t
)
]
2
}
V
m
sin
(
ω
t
)
=
c
1
sin
(
ω
t
)
+
c
2
sin
(
2
ω
t
)
+
c
3
sin
(
3
ω
t
)
\begin{aligned} I(t)&=\{a+\frac{3b}{\omega^2}[\varphi_0\omega+V_m-V_m\cos(\omega t)]^2\}V_m\sin(\omega t)\\ &=c_1\sin(\omega t)+c_2\sin(2\omega t)+c_3\sin(3\omega t) \end{aligned}
I(t)={a+ω23b[φ0ω+Vm−Vmcos(ωt)]2}Vmsin(ωt)=c1sin(ωt)+c2sin(2ωt)+c3sin(3ωt)
其中
c
1
=
(
a
+
3
b
φ
0
2
+
6
b
ω
V
m
+
15
b
4
ω
2
V
m
2
)
V
m
c_1=(a+3b\varphi_0^2+\frac{6b}{\omega}V_m+\frac{15b}{4\omega^2}V_m^2)V_m
c1=(a+3bφ02+ω6bVm+4ω215bVm2)Vm,
c
2
=
−
3
b
ω
2
(
φ
0
ω
+
V
m
)
V
m
2
c_2=-\frac{3b}{\omega^2}(\varphi_0 \omega+V_m)V_m^2
c2=−ω23b(φ0ω+Vm)Vm2,
c
3
=
3
b
4
ω
2
V
m
3
c_3=\frac{3b}{4\omega^2}V_m^3
c3=4ω23bVm3
二、matlab仿真
假设系统参数 a = 0.6667 m S , b = 194.4945 S / W b 2 a=0.6667mS,b=194.4945 S/Wb^2 a=0.6667mS,b=194.4945S/Wb2,可以得到不同条件下电流 I ( t ) I(t) I(t)随电压 V ( t ) V(t) V(t)的变化关系:(代码见附录)
三、基于运放和乘法器的忆阻模拟器
1、原理推导
忆阻模拟器的原理图如下:
包含3个运放、2个乘法器、1个电容和5个电阻。第一级放大器
U
1
U_1
U1用于避免负载效应;第二级放大器
U
2
U_2
U2与电阻
R
0
R_0
R0和电容
C
0
C_0
C0构成积分器:
v
a
(
t
)
=
v
0
(
t
)
=
−
1
R
0
C
0
∫
−
i
n
f
t
y
t
v
(
τ
)
d
τ
=
−
1
R
0
C
0
φ
(
t
)
v_a(t)=v_0(t)=-\frac{1}{R_0C_0}\int_{-infty}^t v(\tau)d \tau =- \frac{1}{R_0C_0}\varphi(t)
va(t)=v0(t)=−R0C01∫−inftytv(τ)dτ=−R0C01φ(t)
乘法器
M
2
M_2
M2的输出电压:
v
b
(
t
)
=
g
1
g
2
[
v
a
(
t
)
]
2
v
(
t
)
v_b(t)=g_1g_2[v_a(t)]^2v(t)
vb(t)=g1g2[va(t)]2v(t)
g
1
,
g
2
g_1,g_2
g1,g2分别表示
M
1
,
M
2
M_1,M_2
M1,M2的增益。
第三级放大器
U
3
U_3
U3与
R
1
,
R
2
,
R
3
R_1,R_2,R_3
R1,R2,R3构成电流反转电路,当
R
2
=
R
3
R_2=R_3
R2=R3时,可以得到:
i
1
(
t
)
=
−
v
(
t
)
−
v
b
(
t
)
R
1
=
{
−
1
R
1
+
g
1
g
2
[
v
a
(
t
)
]
2
R
1
}
v
(
t
)
i_1(t)=-\frac{v(t)-v_b(t)}{R_1}=\{-\frac{1}{R_1}+\frac{g_1g_2[v_a(t)]^2}{R_1}\}v(t)
i1(t)=−R1v(t)−vb(t)={−R11+R1g1g2[va(t)]2}v(t)
最后得到输入端电流:
i
(
t
)
=
{
(
1
R
i
n
−
1
R
1
)
+
g
1
g
2
[
v
a
(
t
)
]
2
R
1
}
v
(
t
)
i(t)=\{(\frac{1}{R_{in}}-\frac{1}{R_1})+\frac{g_1g_2[v_a(t)]^2}{R_1}\}v(t)
i(t)={(Rin1−R11)+R1g1g2[va(t)]2}v(t)
等效忆导的表达式为:
W
(
φ
)
=
1
R
i
n
−
1
R
1
+
g
1
g
2
R
1
(
R
0
C
0
)
2
φ
2
W(\varphi)=\frac{1}{R_{in}}-\frac{1}{R_1}+\frac{g_1g_2}{R_1(R_0 C_0)^2}\varphi^2
W(φ)=Rin1−R11+R1(R0C0)2g1g2φ2
与数学模型对比可以得:
{
a
=
1
R
i
n
−
1
R
1
b
=
g
1
g
2
3
R
1
(
R
0
C
0
)
2
\begin{cases} a= \frac{1}{R_{in}}-\frac{1}{R_1}\\ b=\frac{g_1g_2}{3R_1(R_0 C_0)^2} \end{cases}
{a=Rin1−R11b=3R1(R0C0)2g1g2
2、仿真
设定放大器的工作电压为 ± 15 V \pm 15V ±15V,磁控忆阻的等效参数 a = 0.6667 m S , b = 194.4945 S / W b 2 a=0.6667mS,b=194.4945 S/Wb^2 a=0.6667mS,b=194.4945S/Wb2,进而得到电路参数:
电路参数 | 物理含义 | 参数值 |
---|---|---|
C 0 C_0 C0 | 电容 | 47nF |
R 0 R_0 R0 | 电阻 | 8.2 k Ω 8.2k\Omega 8.2kΩ |
R 1 R_1 R1 | 电阻 | 750 Ω 750\Omega 750Ω |
R 2 R_2 R2 | 电阻 | 1.5 k Ω 1.5k\Omega 1.5kΩ |
R 3 , R 4 R_3,R_4 R3,R4 | 电阻 | 2 k Ω , 2 k Ω 2k\Omega,2k\Omega 2kΩ,2kΩ |
g 1 g_1 g1 | 尺度因子( M 1 M_1 M1) | 0.1 |
g 2 g_2 g2 | 尺度因子( M 2 M_2 M2) | 1.3 |
multisim搭好电路图:
改变参数,可以得到不同的电流——电压变化图:
这里选取最后一个例子:
附录
% 1.basic parameter
clear;clc;
a = 0.6667 * 10^(-3);
b = 194.4945 ;
% vm = 1,2,3
vm = 1;
% fai0 = 0,-0.5,0.5 m Wb
fai0 = -0* 10^(-3);
% f = 300,600,2000Hz
w = 2*pi*300;
% 2.time
t = linspace(0,2*pi/w,1001);
delta = 2*pi/w/1000;
% 3.it,x,M,V
vt = vm*sin(w*t);
%vt = 2*vm*sin(w*t)+1.5*vm*cos(2*w*t);
N = size(t);N = N(2);
fai =vt;
for k=2:N
fai(k)=vt(k)+fai(k-1);
end
fai = fai0 + delta *fai;
W = a+ 3*b*fai.^2;
I = W .*vt;
plot(vt,I);
参考文献
[1]包伯成,徐权,包涵 著. 忆阻电路与多稳定性[M]. 北京:科学出版社, 2018