MOS管如何实现电池充电器的反向电压保护及过程详解

MOS管实现：电池充电器的反向电压保护
我之前写文章介绍过如何用MOS管实现电源的防反接，点击电源防反接电路的几种实现方案，今天再分享一下ADI写的电池充电器的反向保护，正文如下：

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引言

处理电源电压反转有几种众所周知的方法。最明显的方法是在电源和负载之间连接一个二极管，但是由于二极管正向电压的原因，这种做法会产生额外的功耗。虽然该方法很简洁，但是二极管在便携式或备份应用中是不起作用的，因为电池在充电时必须吸收电流，而在不充电时则须供应电流。

另一种方法是使用图1所示的MOSFET电路之一。

图1：传统的负载侧反向保护

对于负载侧电路而言，这种方法比使用二极管更好，因为电源(电池)电压增强了MOSFET，因而产生了更少的压降和实质上更高的电导。该电路的NMOS版本比PMOS版本更好，因为分立式NMOS晶体管导电率更高、成本更低且可用性更好。在这两种电路中，MOSFET都是在电池电压为正时导通，电池电压反转时则断开连接。MOSFET的物理“漏极”变成了电源，因为它在PMOS版本中是较高的电位，而在NMOS版本中则是较低的电位。由于MOSFET在三极管区域中是电对称的，因此它们在两个方向上都能很好地传导电流。采用此方法时，晶体管必须具有高于电池电压的最大VGS和VDS额定值。

遗憾的是，这种方法仅对负载侧电路有效，无法配合能够给电池充电的电路工作。电池充电器将产生电源，重新启用MOSFET并重新建立至反向电池的连接。图2展示了采用NMOS版本的一个实例，图中所示的电池处于故障状态。

图2：具有一个电池充电器的负载侧保护电路

当电池接入时，电池充电器处于闲置状态，负载和电池充电器与反向电池安全去耦。然而，如果充电器变至运行状态(例如：附联了输入电源连接器)，则充电器在NMOS的栅极和源极之间产生一个电压，这增强了NMOS，从而实现电流传导。这一点在图3中更形象。

图3：传统的反向电池保护方案对电池充电器电路无效

负载和充电器虽与反向电压隔离，但是起保护作用的MOSFET现在面临的一大问题是功耗过高。在这种情况下，电池充电器变成了一个电池放电器。当电池充电器为MOSFET提供了足够的栅极支持以吸收由充电器输送的