电源用到的基本元器件主要包括电阻、电容、电感、mos管、二极管。
1、电阻
欧姆定理 I=U/R
电阻承受的功率P=UI=U2/R
电阻串并联问题:
电阻串联时,阻值大的承受功率大,功率大小在电阻之间的比例与电阻大小比例相同;电阻并联时,阻值小的承受功率大,而且功率差异和电阻阻值的比不是一个数量级的,是平方关系。
由上面的电阻表可以看出,体积大的电阻额定功率也会大些,而当超过一定温度时,电阻能承受的功率会迅速减小。另外,电阻阻值不是所有大小都有的,具体的大小可以参见E24系列(5%)和E96(1%)系列电阻阻值表。
检流电阻:电源电路中一个特殊的群体,通常为毫欧级,阻值低,承受电流大,所以封装大一点好些。
小电阻需要非常精密的方式测量和布线,下面给出开尔文布线测量方法:
普通布线方法注意检流电阻离两端子要近,而且线长相同,线到焊盘的连接要从两个焊盘中间走。
2、电容
常用的三种电容为铝电解电容、钽电容和陶瓷电容。
(1)铝电解电容
特点: 大缺点:
容量大,体积大 过压即失效
耐压适中,有极性 容易反向击穿
高内阻,多用于储能 物理上容易开路,内部引脚断裂
价格低廉 时间长了漏液失效
(2)钽电容
特点: 大缺点:
容量大,体积小 耐电压及电流能力弱
耐压低,有极性 击穿会炸裂
内阻适中,宽工作温度
价格适中
(3)陶瓷电容
特点: 大缺点:
容量小,体积小 过压即失效
耐压高,无极性 焊接容易变形失效(陶瓷电容是叠起来的)
低内阻,高频特性好 温度特性不稳定
价格贵
下图为三种电容的比较:(内阻低,滤波效果会更好)
3、MOS管
MOS管分PMOS和NMOS,两者比较如下图:
主要区别在于门极电压范围,这也关系到MOS管的选型。NMOS门极需要一个自举电容或者charge pump,PMOS接地即可。


MOS管的一些关键参数:
击穿电压- VBRDSS
导通电阻RDS(on)
导通电阻正温度系数,适合并联工作;
导通电阻越小,导通损耗越小;
导通电阻越小,Qg就越大,相应的开关速度变慢;带来的开关损耗越大,高频工作下需要折中考虑。
最大结温
永远不能超过最大结温;
只能测量壳温,然后通过热阻计算结温;
合理的热降额确保可靠工作。
动态电容和Qg

体二极管
一是注意方向,二是其特性与普通二极管类似(大的正向压降,打的反向恢复时间)
4、二极管
电源主要应用的二极管有整流管、稳压管和TVS。
整流管:普通二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管
稳压管:持续击穿,低功率应用
TVS:瞬间击穿,高功率应用

二极管主要应用:
整流:低频低损耗;有一定浪涌电流能力

防反接保护:低正向压降
合路:低正向压降
6、电感
关键参数
电感量
电感额定电流
电感饱和电流:过饱和会影响电感值
DCR(直流电阻)铜线绕制电感产生
低电感量-低DCR,高饱和电流,更好的动态,更大的纹波电流
大电感量-小纹波电流