VCSEL 垂直腔面发射激光器

一、简介

VCSEL：Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，垂直腔面发射激光器

优点：低阈值电流、窄发射光谱宽度、易于制造阵列、可实现高密度集成

二、VCSEL的结构

        VCSEL的基本模型和典型激光器没有区别，只是制造方式不同。

        谐振腔：由两个分布式布拉格反射器（distributed Bragg reflector，DBR）构成。DBR是由高、低折射率介质材料交替生长成的，每层都是发射激光的四分之一波长，作用是筛选出特定波长的“纯净”光。常见的VCSEL中，上下两层DBR结构会被注入p型和n型材料，形成半导体pn结，这样电流就可以流过。

       活性层 (有源区)： 产生激光的关键区域，位于两个DBR镜之间，包含一个或多个量子阱结构。量子阱是由两种不同带隙的半导体材料组成的薄层，能够使电子和空穴在其中复合并发射光子，主要由铟镓砷（InGaAs）和铝镓砷（AlGaAs）组成，常见的是3~5层。

        金属电极：位于顶部DBR之上和底部DBR之下，通常是一个金属层，与外部电路相连，用于提供电流路径。顶部金属层中间红色是出光位置，下层金属电极也可以作为反射镜增加出光效率。

        衬底：VCSEL通常生长在一块半导体衬底上，如GaAs（砷化镓），这是整个结构的基础

        VCSEL可以设计成上表面出光或者下表面出光，上表面出光的VCSEL的底部还需要一层衬底。一般的GaAs衬底对800nm附近波长的光有强吸收，所以在这个波段的VCSEL器件一般采用顶发射结构。

三、VCSEL的工作原理

3.1 激光的三要素

激活介质：激光器中产生光放大的物质基础；

泵浦源：为激活介质提供初始能量；

谐振腔：一组反射镜或其他反射结构，形成了一个封闭的光路，作用是让光子在激活介质中多次往返，每次通过