PN结是半导体中的重要概念，由P型和N型半导体构成，形成的空间电荷区会产生内电场。在光照和温度作用下，本征半导体的绝缘性下降。扩散运动导致P区的空穴向N区移动，N区的自由电子向P区移动，形成扩散电流。同时，内电场导致漂移电流。PN结在正向偏置和反向偏置下有不同的电流特性，反向电压过高会发生反向击穿，分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。PN结还表现出电容效应。
PN结:一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体.自由电子和空穴复合会留下不能移动的离子电荷区,称为PN结.
本征半导体在光照和温度的作用下,它的绝缘性会下降,被束缚的价电子会获得足够的热震动能量来摆脱共价键的束缚,成为自由电子并且留下空穴,这种现象称为本征激发
扩散运动:物体因为浓度差而产生的运动称为扩散运动.
P型半导体的空穴会向N区扩散,N型半导体的自由电子会向P区移动;PN结因为扩散运动形成的电流称为扩散电流
因为扩散运动产生的不能移动的离子电荷区,产生了内电场
由于电场的作用产生的电流称为漂移电流
最后扩散力和电场力达到平衡,多数载流子因为扩散和复合被耗尽,所以空间电荷区也称为耗尽层
正极接P区负极接N区,导致扩散运动被加强,内电场就被削弱,这样的接法叫正向偏置,产生的电流称为正向电流
与正向偏置相反接法称为反向偏置,产生的点流称为反向电流.
随着反向电压的增加,反向电流略有增加,达到一定的电压后,反向电流不再随着电压的增加而增加,称为PN结截止
但是超过一定的极限电压后,电流会急剧增加,PN结由截止变为导通,这种现象称为反向击穿
高掺杂浓度下,不大的电压就可以实现反向击穿,随着温度的升高,共价键内的电子运动越快,价电子更容易被"拉出来",所以温度越高越容易发生击穿,这种击穿叫做
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