单级放大器

最新推荐文章于 2024-08-21 00:00:00 发布

烧不开的直角

最新推荐文章于 2024-08-21 00:00:00 发布

阅读量619

点赞数 1

分类专栏：模拟集成电路设计第二版（拉扎维）文章标签：笔记

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_42903635/article/details/131355004

版权

模拟集成电路设计第二版（拉扎维）专栏收录该内容

1 篇文章 0 订阅

订阅专栏

文章详细阐述了不同类型的半导体放大器的工作原理和特性，包括共源极放大器的大信号和小信号分析，如电阻负载、二极管型负载和电流源负载的情况。讨论了增益、输出摆幅和线性度等因素，以及如何通过调整器件参数和负载类型来优化性能。此外，还介绍了共漏极（源跟随器）和共源共栅级的特点，特别是它们的增益和输入/输出电阻。

摘要由CSDN通过智能技术生成

一、基本概念

1.1 基本概念

一个理想放大器的输出 $y (t)$ 是输入 $x (t)$ 的线性复制。真实情况下，在一个足够窄的范围，x变化很小，输出信号是叠加在偏置点上a₀上的，a₀可认为是工作（偏置）点，a₁可认为是小信号增益，输入随输出变化时线性的因此把总的输出表示为：
$y ( t ) ≈ a _ { 0 } + a _ { 1 } x ( t )$
输入信号幅度很大时，晶体管的偏置点受到很大的扰动，此时放大器的输入特性可用一个多项式来近似：
$\cdots$

1.2 八边形法则

增益、速度、功耗、电源电压、线性度、噪声、输入输出阻抗、最大电压摆幅八种性能参数相互牵制，导致设计成为多维优化问题
在这里插入图片描述

1.3 两种分析方法

1.3.1 大信号分析

直流传输特性、直流偏置点分析

1.3.2 小信号分析

直流偏置点附近的小信号分析

二、共源极

2.1 电阻负载

电路结构
在这里插入图片描述

2.1.1 大信号分析

漏电流与输入电压的关系

$I _ { D } = ( V _ { D D } - V _ { o u t } ) / R _ { D }$

截止区 V_in<V_TH：V_out=V_DD，I_D≈0
饱和区 V_in>V_TH： $\frac { 1 } { 2 } u _ { n } C _ { o x} \frac { W } { L } ( V _ { i n } - V _ { T H } ) ^ { 2 } \times R _ { D }$
线性区V_in>V_TH+V_out： $V_{out}=V _ { D D } - μ _ { n } C _ { o x } \frac { W } { L } [ ( V _ { i n } - V _ { T H } ) V _ { out } - \frac { 1 } { 2 } V _ { out } ^ { 2 } ] \times R _ { D }$
深三极管区 $\lt 2 ( V _ { i n } - V _ { T H } )$ 时，源漏之间的通道可以用一个线性电阻来表示 $\frac { 1 } { u _ { n } C _ { o x } \frac { W } { L } ( V _ { G S } - V _ { T H } ) }$
此时有 $\frac { V _ { D D } } { 1 + u _ { n } C _ { o x } \frac { W } { L } ( V _ { G S } - V _ { T H } ) R _ { D } }$
在这里插入图片描述

跨导与输入电压关系

饱和区： $\frac { \partial I _ { D } } { \partial V _ { i n } } = u _ { n } C _ { o x } \frac { W } { L } ( V _ { i n } - V _ { T H } )$
线性区： $\frac { \partial I _ { D } } { \partial V _ { i n } } = μ_ { n } C _ { o x } \frac { W } { L } V _ { o u t }$
在这里插入图片描述

2.1.2 小信号分析

增益

$\times \frac { 1 } { 2 } μ_ { n } C _ { o x } \frac { W } { L } ( V _ { i n } - V _ { TH} ) ^ { 2 }$ $\frac { \partial V _ { o u t } } { \partial V _ { i n } } = - R _ { D } \times μ _ { n } C _ { ox } ( V _ { i n } - V _ { T H } ) = - g _ { m } R _ { D }$

增益最大化

$g_{m}=- \sqrt{2 \mu _{n}C_{ox}\frac{W}{L}I_{D}}$ ，增益还可以写成
$\sqrt { 2 μ _ { n} C _ { ox } \frac { W } { L } I _ { D }} \frac { V _ { RD } } { I _ { D } }$

增大W/L，导致器件电容增大
增大电阻R_D上的电阻V_RD，将限制最大摆幅
V_RD不变，同时减小I_D，则R_D必须增大，会导致输出节点时间常数增大

2.1.3 输出摆幅

V_in刚好大于V_TH时，输出电压接近V_DD
V_in-V_TH=V_out，M1处于线性区和饱和区边缘时，输出电压最小

在这里插入图片描述

2.1.4 考虑沟长调制效应的小信号分析

画出小信号电路图
在这里插入图片描述
$\frac { 1 } { 2 } u _ { n } C _ { o x } \frac { W } { L } ( V _ { i n } - V _ { T H } ) ^ { 2 } ( 1 + λ V _ { o u t } ) \times R _ { D }$
对V_in求偏导有
$A _ { v } = - g _ { m } ( R _ { D } // r_ { o } )$
或者由KCL求解方程同样可得增益
$\frac { V _ { o u t } } { ( R _ { D } // r_ { o } ) } = 0$ 当负载电阻非常大时（负载为电流源）
$A _ { v } = - g _ { m } ( R _ { D } / /r _ { o } ) ≈- g _ { m } r _ { 0 }$ g_mr_o称为晶体管的本征增益，代表用单个器件能够得到的最大电压增益

2.2 二极管型负载

2.2.1 大信号特性

在I₁减小的同时，M2的过驱动电压也减小。当I₁小到有V_GS≈V_TH2时，V_out≈V_DD-V_TH2
实际上，如果I_DD接近于零时，M2的亚阈值电导最终会使V_out=V_DD。但电流很小时，输出节点处有限的电容会减缓从V_DD-V_TH2到V_DD的变化
具有频繁开关动作的电路中，当电流I_DD降到很小时，，V_out保持在V_DD-V_TH2附近

2.2.2 小信号分析

二极管负载等效电阻

不考虑体效应时
$\frac { V _ { x } } { I _ { x } } =(1/g_{m})//r_{o}\approx 1/g_{m}$ 考虑体效应时
$\frac { V _ { x } } { I _ { x } } = \frac { 1 } { g _ { m } + g _ { m b } } // r_ { o } \approx \frac { 1 } { g _ { m } + g _ { m b } }$

增益

$\frac { g _ { m1 } } { g _ { m 2 } + g _ { m b 2 } } = - \frac { g _ { m 1 } } { g _ { m 2 } } \frac { 1 } { 1+η }$ 其中， $\frac { \partial V _ { TH } } { \partial V _ { SB } }$
又有跨导 $\sqrt { 2 I _ { D } μ_{n} C _ { o x } W / L }$ ，代入上式有：
$A_{v}=- \frac{\sqrt{(W/L)_{1}}}{\sqrt{(W/L)_{2}}}\frac{1}{1+ \eta}$
同样的，对PMOS二极管负载，由于没有体效应，所以有增益：
$\frac { \sqrt { u _ { n } ( W / L ) _ { 1 } } } { \sqrt { u _ { p } ( W / L ) _ { 2 } } }=- \frac { g _ { m 1 } } { g _ { m 2 } }$

增大增益

二极管连接负载共源极的增益是器件尺寸的弱函数，高增益会造成晶体管的宽度或沟道长度过大而不均衡
允许的输出摆幅减小,如下图

$\frac { W } { L } )_{1} ( V _ { G S 1 } - V _ { T H 1 } ) ^ { 2 } \approx μ _ { p } ( \frac { W } { L } ) _ { 2 } ( V _ { GS 2 } - V _ { T H 2 } ) ^ { 2 }$ $\frac { | V _ { G S2 } - V _ { T H 2 } | } { V _ { G S 1 } - V _ { T H 1 } } = \frac { V _ { D D } - V _ { o u t } - |V _ { T H 2 } | } { V _ { i n } - V _ { T H 1 } }$ 若μ_n=2μ_p，要达到10倍增益，M1的过驱动电压为200mV，|V_TH2|=0.7V，则|V_GS2|=2.7V，因为V_out,min=V_DD-|V_GS2|，所以最小输出电压上升，即输出摆幅下降

2.2.3 输出摆幅(负载为PMOS)

保证M1和M2都工作在饱和区时的输出范围，对M2满足V_GS2>V_TH2，对M1满足V_out>V_in-V_TH1
V_out,min = V_DD - |V_GS2|，此时I_DD处于饱和电流与线性电流分界点，V_GS2最大
V_out,max=V_DD - |V_TH2|，此时I_DD比较小，M2刚好导通且处于饱和状态

2.2.4 增大摆幅

如下图，M1工作在饱和区，漏电流为I₁，在电路上增加一个电流源I_S=0.75I₁
在这里插入图片描述
$A_{v}≈- \frac { g _ { m 1 } } { g _ { m 2 } }=- \sqrt { \frac { 4 u _ { n } ( W / L ) _ { 1 } } { u _ { p } ( W / L ) _ { 2 } } }$ 同时， $\frac { W } { L } ) ( V _ { G S 1 } - V _ { T H 1 } ) ^ { 2 } \approx 4 μ _ { p } ( \frac { W } { L } ) _ { 2 } ( V _ { G S 2 } - V _ { T H 2 } ) ^ { 2 }$ $\approx - \frac { 4 | V _ { G S 2 } - V _ { T H 2 } | } { V _ { G S 1 } - V _ { T H 1 } }$ 上式说明，同样要达到10倍增益，M1的过驱动电压为200mV，|V_TH2|=0.7V的情况下，|V_GS2|=1.2V，相比没加电流源时|V_GS2|=2.7V，使输出最低电压下降，增大了摆幅

2.3 电流源负载

对于电阻或者二极管连接的负载而言，增大阻值会消耗直流压降，从而限制输出电压的摆幅，用不服从欧姆定律的电流源来替代负载
$A _ { v } = - g _ { m 1 } R _ { o u t } = - g _ { m 1 } ( r _ { o 1 } // r_ { o 2 } )$
在这里插入图片描述
$\sqrt { 2 u _ { n } C _ { ox } \frac { W } { L } I _ { D } } \frac { 1 } { ( λ _ { 1 } + λ _ { 2 } ) I _ { D } }$
λ∝1/L，通过简单地增加M2的沟道长度，就可以使 $V _ { DS 2,min } | = | V _ { GS2 } - V _ { T H 2 } |$ 减小，但是会在M2的输出节点引入大电容

2.4 工作在线性区的NMOS负载

该电路使M2栅压偏置在足够低的电平，保证M2全部输出电压摆幅范围内工作在深线性区
$\frac { 1 } { μ_ { p } C _ { o x } ( W / L ) _ { 2 } ( V _ { D D } - V _ { b } - | V _ { TH P } |) }$
在这里插入图片描述
$A _ { v } = - g _ { m } R _ { o n 2 }$ 输出电压摆幅和电阻负载共源极相同。该电路的等效电阻R_on2受到很多参数影响，这些参数随工艺和温度的改变而改变，且提供一个精确地V_b需增加电路的复杂性

2.5 带源极负反馈的共源极

漏电流与过驱动电压之间的非线性关系引入大量非线性（g_m），通过在晶体管的源端串联一个“负反馈”电阻，以使输入器件更加线性。

2.5.1 大信号分析

等效跨导

定义一个等效跨导 $G_{m}= \frac{\partial I_{D}}{\partial V_{in}}$ ，其中 $V _ { i n } = V _ { G S 1 } + I _ { D } R _ { S }$ ，此时有，
$G_{m}= \frac{\partial I_{D}}{\partial V_{in}}= \frac{\partial I_{D}}{\partial V_{GS1}}\frac{\partial V_{GS1}}{\partial V_{in}}=g_{m}\frac{\partial V_{GS1}}{\partial V_{in}}= \frac{g_{m}}{1+g_{m}R_{s}}$ $\frac { g _ { m } R _ { D } } { 1 + g _ { m } R _ { s } }$ 如果R_s>>1/g_m，则G_m≈1/R_s

增加源极负反馈电阻，使增益是g_m的弱函数，提高了线性特性
线性化的获得是以牺牲增益为代价的

大信号特性

R_s=0
饱和区时：
$μ_ { n } C _ { o x } \frac { W } { L } ( V _ { i n } - V _ { T H } )$ $\frac { 1 } { 2 } μ _ { n } C _ { o x } \frac { W } { L } ( V _ { i n } - V _ { T H } ) ^ { 2 }$
在这里插入图片描述

R_s≠0

V_in很小，M1导通时 $\gt R _ { s }$ ，G_m≈g_m
V_in增加时， $\frac { g _ { m } } { 1 + g _ { m } R _ { s } }$
V_in很大时，R_s>>1/g_m，G_m=1/R_s

2.5.1小信号分析

辅助定理：在线性电路中，电压增益等于-G_mR_out，其中-G_m表示输出与地短接时电路的跨导；R_out表示当输入电压为零时电路的输出电阻
1.求G_m：直流电压源短路，直流电流源开路；输入端为V_in，输出端接地，电流为I_out；G_m=I_out/V_in
2.求R_out：直流电压源短路，直流电流源开路；输入接地；输出为V_x，I_x，R_out=V_x/I_x

等效跨导与输出电阻

$I_{out}=g_{m}V_{1}- \frac{V_{X}}{r_{o}}+g_{mb}V_{bs}=g_{m}(V_{in}-I_{out}R_{s})- \frac{I_{out}R_{s}}{r_{o}}-g_{mb}I_{out}R_{s}$ $G_{m}= \frac{I_{out}}{V_{in}}= \frac{g_{m}r_{o}}{R_{s}+ \left[ 1+(g_{m}+g_{mb})R_{s}\right] r_{o}}$
在这里插入图片描述
$V_{X}= \left[ I_{x}+(g_{m}+g_{mb})R_{s}I_{x}\right] r_{o}+I_{x}R_{s}$ $R_{out}= \frac{V_{X}}{I_{X}}= \left[ 1+(g_{m}+g_{mb})R_{s}\right] r_{o}+R_{s}= \left[ 1+(g_{m}+g_{mb})r_{o}\right] R_{s}+r_{o}$ 一般 $g _ { m } + g _ { m b } ) r _ { 0 } >>1$ ， $\approx [ 1 + ( g _ { m } + g _ { m b } ) R _ { s } ] r _ { 0 }$
在这里插入图片描述

增益

R_out很大，与R_D并联后被忽略
$\frac { g _ { m } R _ { D } } { ( g _ { m } + g _ { m b } ) R _ { s } + 1 } \approx - \frac { g _ { m } R _ { D } } { g _ { m } R _ { s } + 1 }$

计算增益的等效方法

$\frac { g _ { m } R _ { D } } { 1 + g _ { m } R _ { S } } = - \frac { R _ { D } } { 1 / g _ { m } + R _ { s } }$

分母称为“在源极通路上看到的电阻”，其等于MOS器件跨导的倒数与明确的从源端看到的与地之间的电阻的串联
增益为从漏极结点看到的电阻除以源极通路上的总电阻

三、源跟随器（共漏极）

共源极放大器在给定电源电压下，要获得更高的电压增益，负载阻抗必须尽可能大。由于负载电阻与输出电阻是并联关系，小的负载电阻会影响整个输出阻抗，进而导致增益下降，所以这时要在放大器后面放置一个“缓冲器”，源跟随器就起这样一个缓冲作用。
源跟随器在提高输出阻抗的同时，在栅极接收信号，在源极驱动负载，使源极电势能“跟随”栅压

3.1 大信号分析

V_in<V_TH时，M1处于截止状态，V_out等于0
V_in增大并超过V_TH，M1导通进入饱和区
V_in进一步增大，V_out跟随V_in变化，且二者之差为V_GS

$\frac { 1 } { 2 } u _ { n } C _ { o x } \frac { W } { L } ( V _ { i n } - V _ { out } - V _ { T H } ) ^ { 2 } R _ { S } = V _ { out }$ 将 $\frac { W } { L } ( V _ { i n } - V _ { out } - V _ { T H } )$ 代入上式，并对V_in求导，其中 $η=\frac{\partial V_{out}}{\partial V_{in}}$ ：
$\frac { g _ { m } R _ { s } } { 1 + ( g _ { m } + g _ { m b } ) R _ { s } }$

3.2 小信号分析

增益

画出源跟随器小信号电路，很明显要考虑体效应，由KCL得： $\frac { V _ { o u t } } { R _ { s } }$ $A_{v}= \frac{V_{out}}{V_{in}}= \frac{g_{m}R_{s}}{1+(g_{m}+g_{mb})R_{s}}$
在这里插入图片描述

增益<1
当V_in≈V_TH时，增益从零开始单调增加（g_m随V_in线性增加）
随g_m变大，A接近g_m/(g_m+g_mb) = 1/(1+η)随Vout增大而缓慢减少，所以A_v趋近1

输出电阻

在这里插入图片描述
由KCL得： $I _ { X } - g _ { m } V _ { X } - g _ { m b } V _ { X } = 0$ $\frac { 1 } { g _ { m } + g _ { m b } }$

四、共栅极

4.1 大信号分析

饱和区 $\frac { 1 } { 2 } μ _ { n } C _ { ox } \frac { W } { L } ( V _ { b } - V _ { in } - V _ { TH } ) ^ { 2 } R _ { D }$ 对V_in求偏导有
$A_{v}= \frac{\partial V_{out}}{\partial V_{in}}= \mu _{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{b}-V_{in}-V_{TH})R_{D}(1+ \eta)=g_{m}(1+ \eta)R_{D}$

增益是正值
体效应使增益相对共源极变大了

4.2 小信号分析

增益

在这里插入图片描述
写出X节点和输出节点的的KVL方程，整理后得
$\frac { V _ { o u t } } { V _ { i n } } = \frac { ( g _ { m } + g _ { m b } ) r _ { o } + 1 } { r_ { o } + ( g _ { m } + g _ { m b } ) r _ { o } R _ { s } + R _ { s } + R _ { D } }R_{D}$
当R_s=0，r_o>>R_D及g_mr_o>>1时 $\approx \frac { ( g _ { m } + g _ { m b } ) r _ { o} } { r _ { o } } R _ { D } = ( g _ { m } + g _ { m b } ) R _ { D } = g _ { m } ( 1 + η ) R _ { D }$

输入电阻

在这里插入图片描述
$R _ { D } I _ { X } + r _ { o } [ I _ { X } - ( g _ { m } + g _ { m b } ) V _ { X } ] = V _ { X }$ $\frac { V _ { X } } { I _ { X } } = \frac { R _ { D } + r _ { o } } { 1 + ( g _ { m } + g _ { m b } ) r _ { o } }$ 若 $g _ { m } + g _ { m b } ) r _ { 0 } >> 1$ ，则有 $\approx \frac { R _ { D } } { ( g _ { m } + g _ { m b } ) r _ { o } } + \frac { 1 } { ( g _ { m } + g _ { m b } ) }$

当R_D=0时，所得输入电阻结果与源跟随器在源端看到的输出电阻结果一致。因为R_D=0时，电路结构和源跟随器是一样的
当R_D趋近于无穷大（负载为电流源）时，输入阻抗也趋近于无穷，此时共栅极源极输入小信号趋近于V_in，所以可以看出其增益 $A _ { v } = ( g _ { m } + g _ { m b } ) r _ { 0 } + 1$ 与源极是否接“反馈电阻”无关

输出电阻

在这里插入图片描述
将图中等效电阻值代入共源极负反馈电路的输出电阻表达式中有： $R _ { o u t } = \{ [ 1 + ( g _ { m } + g _ { m b } ) r _ { o } ] R _ { s } + r _ { o } \} / / R _ { D }$

五、共源共栅级

共栅极的输入信号可以是电流（例3.17），共源极中的晶体管可以将电压信号转化为电流信号。共源极和共栅极的级联叫做共源共栅结构（cascode）。
如下图，M1产生与输入电压V_in成正比的小信号漏电流，M2仅仅是使电流流经R_D。M1被称为输入器件，M2被称为共源共栅器件。

偏置条件
M1： $\gt ( V _ { i n } - V _ { T H 1 } )$
M2： $\geq V _ { i n } - V _ { T H 1 } + V _ { G S 2 } - V _ { T H 2 }$

5.1 小信号分析

5.1.1 增益

在这里插入图片描述
M1和M2都工作在饱和区。若λ=0，由输入管M1产生的漏电流必定流过共源共栅器件M2，且V_In=V₁，因此 $A _ { v } = V _ { o u t } / V _ { i n } =- g _ { m 1 } V _ { 1 } R _ { D } / V _ { i n } =- g _ { m 1 } R _ { D }$ 若忽略沟道长度调制效应，共源共栅放大器与共源放大器具有相同的电压增益

5.1.2 增益（不考虑R_D时）

电路可以看成带负反馈电阻r_o1的共源极，因此输出电阻为 $R_ { out } = r _ { o 2 } + [ 1 + ( g _ { m 2 } + g _ { m b 2 } ) r _ { 02 } ] r _ { o 1 }$ 若 $g _ { m 2 } r _ { o 2 } >> 1$ ，则 $R_ { o u t } \approx ( g _ { m 2 } + g _ { m b 2 } ) r _ { 02 } r _ { 01 }$ 输出电阻提高了 $g _ { m 2 } + g _ { m b 2 } ) r _ { 02 }$ 倍
在这里插入图片描述

因为M1的漏电流必定流过M2，跨导与共源极相同G_m=g_m
$\approx -g _ { m 1 } (g _ { m 2 } + g _ { m b 2 } ) r _ { 02 } r _ { 01 } \approx -( g _ { m1 } r _ { 01 } ) ^ { 2 }$

5.1.3 提高增益的方法（相对共源极）

采用共源共栅
$\approx -( g _ { m } r _ { 0 } ) ^ { 2 }$ 增益增大g_mr_o倍，同时过驱动电压增加一倍，输出摆幅下降
提高共源极输入器件的长度
$A_{v}=-g_{m}r_{o}= -\sqrt{\mu _{n}C_{ox}\frac{W}{L}I_{D}}\frac{1}{\lambda I_{D}}$ λ∝1/L，A_v∝ $\sqrt{L}$ ，L增大n倍，A_v增大n/2倍
在这里插入图片描述

5.1.4 共源共栅电流源负载

共源共栅结构不一定起放大器的作用，这种结构还可以用来构成恒定电流源，高的输出阻抗提供一个接近理想的电流源，但这会损失电压余度。

在这里插入图片描述
电流源变现出的输出阻抗 $1 + ( g _ { m 3 } + g _ { m b3 } ) r _ { 03 } ] _ { 04 } + r _ { 03 }$ 总的输出阻抗 $R _ { o u t } = \{ [ 1 + ( g _ { m 2 } + g _ { m b _ { 2 } } ) r _ { o 2 } ] r _ { o 1 } + r _ { o 2 } \} // \{ [ 1 + ( g _ { m 3 } + g _ { m b 3 } ) r _ { o3 } ] r _ { o4 } + r _ { o3 } \}$ 最大输出摆幅 $V _ { D D } - ( V _ { G S 1 } - V _ { T H 1 } ) - ( V _ { G S 2 } - V _ { T H 2 } ) - | V _ { G S 3 } - V _ { T H 3 } |- |V _ { G S 4 } - V _ { T H 4 } |$ 输出摆幅大约等于V_DD减去4个过驱动电压

5.1.5 屏蔽特性

在这里插入图片描述
对图a有： $I_{D1}-I_{D2}= \frac{1}{2}\mu _{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{b}-V_{TH})^{2}(\lambda \Delta V)$ 对图b有： $\frac { r _ { o 1 } } { [ 1 + ( g _ { m 3 } + g m b 3 ) r o 3 ] r _ { O 1 } + r _ { O 3 } } \approx \frac { △V } { ( g _{m 3} + g _ { m b 3 } ) r _ {o 3 } }$ 共源共栅使I_D1与I_D2的失配减少了 $g _ { m 3 } + g _ { m b 3 } ) r _ { o3 }$ 倍，这在第5章电流镜中有重要应用