三、单级放大器(Single-Stage Amplifiers)

 预备知识

1、Mos管的I-V特性曲线

2、Mos管的小信号模型

饱和区时, I_{D}=\frac{1}{2}\mu_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})^{2}(1+\lambda V_{DS})V_{TH}=V_{TH0}+\gamma (\sqrt{|2 \Phi _{F}+V_{SB}|}-\sqrt{|2\Phi _{F}|})

在小信号中: 

栅-源电压对漏电流的影响:g_{m}=\frac{\partial I_{D}}{\partial V_{GS}}|_{V_{DS}}

漏-源电压对漏电流的影响(λ≠0):\frac{\partial I_{D}}{\partial V_{DS}}|_{V_{GS}}为一常数,因此该电流源等效为线性阻抗,r_{0}=\frac{1}{\lambda I_{D}}

源-衬电压对漏电流的影响(γ≠0):g_{mb}=\frac{\partial I_{D}}{\partial V_{SB}}

3、放大器

 增益=Δ输出信号/Δ输出信号,

3.1 共源级放大器(Common Source Amplifier)

共源级,即源极为公共级,栅极作为输入,漏极作为输出

3.1.1 电阻作负载

1、大信号模型(直流分析)

*大信号模型可以分析出其静态工作点,得到小信号模型中相应参数,如g_{m}r_{0}g_{mb}

(1)V_{in}<V_{TH}时,M_{1}截至,I_{D}=0 ,故V_{out}=V_{DD}

(2)V_{in}>V_{TH}时,M_{1}开始导通,I_{D}从0开始增加 ,V_{out}V_{DD}开始减小,故刚开始导通时V_{DS}=V_{out}>V_{GS}=V_{in},管子处于饱和区

(3)随着V_{in}=V_{GS}继续增加,由饱和区电流I_{D}=\frac{1}{2}\mu_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})^{2}可知I_{D}会随V_{in}增大而增大,导致V_{out}继续减小

(4)当V_{in}增大到V_{in}=V_{out}+V_{TH}时,管子将进入三极管区,电流I_{D}=\mu_{n}C_{ox}\frac{W}{L}[(V_{GS}-V_{TH})V_{DS}-\frac{1}{2}V_{DS}^{2}]

为使得小信号增益获得更大的值,静态工作点应该选择在曲线斜率更大的部分,即AB段

2、小信号模型(交流分析) 

电路的小信号模型为(忽略二阶效应):

由KVL与KCL很容易得出,电压增益A_{v}=-g_{m}*R_{D}gv

(增益也可以由大信号中\frac{\partial V_{out}}{\partial V_{in}}得出)

如果二阶效应无法忽略,也仅相当于改变了R_{D}的值, A_{v}=-g_{m}*(R_{D}||r_{0})

 3、输入输出阻抗(I/O Imdepances)

输入阻抗:从输入端口往内看,电阻无穷大

输出阻抗:V_{in}置零,v_{gs}=v_{sb}=0,从输出端口往内看,R_{out}=r_{0}

3.1.2 二极管连接型器件作负载 

二极管连接型器件 

 当V_{DD}>V_{TH}时,管子导通且工作在饱和区,类似于二极管,其小信号模型内阻为R_{in}=\frac{1}{g_{m}+g_{mb}+r_{0}^{-1}}\approx \frac{1}{g_{m}+g_{mb}},在小信号分析中,可将其看作一电阻

当λ=γ=0时,从源端看入的阻抗为\frac{1}{g_{m}}

1、大信号模型

(1)V_{in}<V_{TH1}时,M_{1}截至,故V_{out}=V_{DD}-V_{TH2}

(2)V_{in}>V_{TH}时,M_{1}开始导通,进入饱和区\frac{1}{2}\mu_{n}C_{ox}(\frac{W}{L})_{1}(V_{in}-V_{TH1})^{2}=\frac{1}{2}\mu_{n}C_{ox}(\frac{W}{L})_{2}(V_{DD}-V_{out}-V_{TH2})^{2}V_{out}V_{DD}-V_{TH2}近似线性减小

(3)当V_{in}>V_{out}+V_{TH1}时,M_{1}将进入三极管区,电流(\frac{W}{L})_{1}[(V_{in}-V_{TH1})V_{out}-\frac{1}{2}V_{out}^{2}]=(\frac{W}{L})_{2}(V_{DD}-V_{out}-V_{TH2})^{2},特性曲线呈非线性

为使得小信号增益获得更大的值,静态工作点应该选择在曲线斜率更大的部分

2、小信号模型

在小信号模型中,可将二极管型器件看作一个阻值近似为R_{D}=\frac{1}{g_{m2}+g_{mb2}+r_{02}^{-1}}\approx \frac{1}{g_{m2}+g_{mb2}}的电阻,由3.1.1可知,小信号电压增益:

A_{v}=-g_{m1}*R_{D}\approx -\frac{g_{m1}}{g_{m2}+g_{mb2}}=\frac{g_{m1}}{g_{m2}}\frac{1}{1+\eta },\eta =\frac{g_{mb2}}{g_{m2}}

即:                                                  A_{v}=-\sqrt{\frac{(W/L)_{1}}{(W/L)_{2}}}*\frac{1}{1+\eta } 

注:当以P管作为二极管型器件时,不存在体效应

 A_{v}=-\sqrt{\frac{\mu_{n}(W/L)_{1}}{\mu_{p}(W/L)_{2}}}=\frac{\left | V_{GS2}-V_{TH2} \right |}{(V_{GS1}-V_{TH1} )}\left |V_{th} \right |=0.7V

3.1.3 电流源作负载  

由前面可知, A_{v}=-g_{m1}*R_{D},用电流源作负载可以获得足够大的电阻且不影响直流压降(不影响I_{D}

1、大信号模型

V_{b}=1.5V\left | V_{TH} \right |=0.7V

2、小信号模型

 A_{v}=-g_{m1}*R_{D}=-g_{m1}(r_{o1}||r_{02})

3.1.4 带源极负反馈的共源级

 V_{in}增大,I_{D}增大,V_{S}增大,从而抑制V_{GS}=V_{in}-V_{S}的增大,最后达到动态平衡

1、小信号分析

分析跨导:         G_{m}=\frac{\partial I_{D}}{\partial V_{in}}I_{D}=g_{m}(V_{in}-R_{S}I_{D})\Rightarrow I_{D}=\frac{g_{m}V_{in}}{1+g_{m}R_{S}},

故:                                              G_{m}=\frac{\partial I_{D}}{\partial V_{in}}=\frac{g_{m}}{1+g_{m}R_{S}}

故:                                        A_{v}=-G_{m}*R_{D}=\frac{g_{m}R_{D}}{1+g_{m}R_{S}}

3.1.5源极跟随器(Source Follower)

I_{D}一定,在饱和区内,I_{D}=\frac{1}{2}\mu_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})^{2},源极V_{out}随栅极V_{in}变化而变化

3.2 共栅极放大器(Common Gate Amplifiers)

源极接受输入,漏极输出,栅极接入一合适的电压来构建合适的直流工作环境

1、大信号模型

(1)V_{b}-V_{in}<V_{TH},即V_{in}>V_{b}-V_{TH}时,M_{1}截至,I_{D}=0 ,故V_{out}=V_{DD}

(2)V_{in}减小,当V_{b}-V_{in}=V_{TH},即V_{in}=V_{b}-V_{TH}时,M_{1}开始导通,I_{D}从0开始增加 ,V_{out}V_{DD}开始减小,故刚开始导通时V_{DS}=V_{DD}-V_{in}>V_{b}-V_{in}=V_{GS},管子处于饱和区

(3)随着V_{in}继续减小,由饱和区电流I_{D}=\frac{1}{2}\mu_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{b}-V_{in}-V_{TH})^{2}可知I_{D}会随V_{in}减小而增大,导致V_{out}继续减小

(4)当V_{in}增大、V_{out}减小到V_{b}-V_{in}=V_{out}-V_{in},即V_{b}=V_{out}时,管子将进入三极管区,电流I_{D}=\mu_{n}C_{ox}\frac{W}{L}[(V_{GS}-V_{TH})V_{DS}-\frac{1}{2}V_{DS}^{2}]

当管子工作在饱和区时,小信号增益获得更大值

V_{out}=V_{DD}-I_{D}R_{D}=V_{DD}-\frac{1}{2}\mu C\frac{W}{L}(V_{b}-V_{in}-V_{TH})^{2}

A_{v}=\frac{\partial V_{out}}{\partial V_{in}}=g_{m}R_{D}(不考虑体效应)

A_{v}=\frac{\partial V_{out}}{\partial V_{in}}=g_{m}(1+\eta )R_{D}\eta =\frac{\partial V_{TH}}{\partial V_{in}}(考虑体效应)

2、小信号模型

懒懒懒懒懒,画出小信号等效电路,用KCL、KVL分析即可

3、电路特性分析

输入阻抗很小、输出阻抗很大

\frac{i_{out}}{i_{in}}\cong 1

基于以上三个特性,共栅极放大器可以使得一个电流源变得更加理想

3.3 共源共栅极

1、定性分析

假设两个管子均工作在饱和区且忽略二阶效应

(1)V_{in}增加\Delta V_{in}I_{D1}增加g_{m1}\Delta V_{in}V_{X}则减小g_{m1}\Delta V_{in}\frac{1}{g_{m2}}V_{out}增加g_{m1}\Delta V_{in}R_{D},与共源极电路相同

(2)V_{b}变化\Delta V_{b}:因为V_{in}未变,则I_{D1}未变。对V_{X}而言,M_{2}为源极跟随器,而V_{out}不变

即共源共栅级放大电路的小信号增益与共源极相同,却比共源极有着其他特点

2、偏置条件分析

为使得M_{1} M_{2}均工作在饱和区,分析其偏置条件。

(1)为使M_{1}工作在饱和区,V_{X}\geqslant V_{in}-V_{TH1},而V_{X}主要由源极跟随器M_{2}决定,即V_{X}= V_{b}-V_{GS2},故V_{b}-V_{GS2}\geqslant V_{in}-V_{TH1}

即                                                V_{b}\geqslant V_{in}+V_{GS2}-V_{TH1}

(2) 为使M_{2}工作在饱和区,V_{out}\geqslant V_{b}-V_{TH2},当V_{b}最小,即M_{1}工作在饱和区边沿时,V_{out}\geqslant V_{in}+V_{GS2}-V_{TH1}-V_{TH2}

                                        V_{out}\geqslant (V_{in}-V_{TH1})+(V_{GS2}-V_{TH2})

*与共源极相比,共源共栅级的V_{out}摆幅更小,即叠加了M_{2}的过驱动电压

3、大信号分析 

分析V_{in}从0变化到V_{DD}过程中V_{out}V_{X}的变化

(1)V_{in}\leq V_{TH}时,M_{1}M_{2}截至,V_{out}= V_{DD}V_{X}\approx V_{b}-V_{TH2}

(2)V_{in}> V_{TH}后,M_{1}导通,I_{D}开始增大,V_{out}减小,V_{GS2}增加,故V_{X}减小

(3)V_{in}足够大,会出现两个结果:

4、小信号分析 

可易知,电压小信号增益与共源极相同,且与M2无关

5、特性分析

(1)输出阻抗(很大)

R_{out}=[1+(g_{m2}+g_{mb2})r_{O2}]r_{O1}+r_{O2}\approx (g_{m2}+g_{mb2})r_{O2}r_{O1}(g_{m}r_{O}\gg 1)

相较与共源极,M2把M1的输出阻抗提高至了原来的(g_{m2}+g_{mb2})r_{O2}

*有时候可以通过拓展器件获得更大的输出阻抗,但是这样会减小输出电压摆幅

(2)屏蔽特性

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