三、单级放大器(Single-Stage Amplifiers)

yhr9981

已于 2023-10-01 21:18:16 修改

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分类专栏：模拟CMOS集成电路设计_拉扎维文章标签：集成学习科技考研学习方法硬件工程

于 2023-09-17 14:45:57 首次发布

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预备知识

1、Mos管的I-V特性曲线

2、Mos管的小信号模型

饱和区时， $I_{D}=\frac{1}{2}\mu_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})^{2}(1+\lambda V_{DS})$ ， $V_{TH}=V_{TH0}+\gamma (\sqrt{|2 \Phi _{F}+V_{SB}|}-\sqrt{|2\Phi _{F}|})$ 。

在小信号中：

栅-源电压对漏电流的影响： $g_{m}=\frac{\partial I_{D}}{\partial V_{GS}}|_{V_{DS}}$

漏-源电压对漏电流的影响(λ≠0)： $\frac{\partial I_{D}}{\partial V_{DS}}|_{V_{GS}}$ 为一常数，因此该电流源等效为线性阻抗， $r_{0}=\frac{1}{\lambda I_{D}}$

源-衬电压对漏电流的影响(γ≠0)： $g_{mb}=\frac{\partial I_{D}}{\partial V_{SB}}$

3、放大器

增益=Δ输出信号/Δ输出信号，

3.1 共源级放大器(Common Source Amplifier)

共源级，即源极为公共级，栅极作为输入，漏极作为输出

3.1.1 电阻作负载

1、大信号模型（直流分析）

*大信号模型可以分析出其静态工作点，得到小信号模型中相应参数，如 $g_{m}$ 、 $r_{0}$ 、 $g_{mb}$

（1） $V_{in}<V_{TH}$ 时， $M_{1}$ 截至， $I_{D}=0$ ，故 $V_{out}=V_{DD}$

（2） $V_{in}>V_{TH}$ 时， $M_{1}$ 开始导通， $I_{D}$ 从0开始增加， $V_{out}$ 由 $V_{DD}$ 开始减小，故刚开始导通时 $V_{DS}=V_{out}>V_{GS}=V_{in}$ ，管子处于饱和区

（3）随着 $V_{in}=V_{GS}$ 继续增加，由饱和区电流 $I_{D}=\frac{1}{2}\mu_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})^{2}$ 可知 $I_{D}$ 会随 $V_{in}$ 增大而增大，导致 $V_{out}$ 继续减小

（4）当 $V_{in}$ 增大到 $V_{in}=V_{out}+V_{TH}$ 时，管子将进入三极管区，电流 $I_{D}=\mu_{n}C_{ox}\frac{W}{L}[(V_{GS}-V_{TH})V_{DS}-\frac{1}{2}V_{DS}^{2}]$

为使得小信号增益获得更大的值，静态工作点应该选择在曲线斜率更大的部分，即AB段

2、小信号模型（交流分析）

电路的小信号模型为（忽略二阶效应）：

由KVL与KCL很容易得出，电压增益 $A_{v}=-g_{m}*R_{D}$ gv

（增益也可以由大信号中 $\frac{\partial V_{out}}{\partial V_{in}}$ 得出）

如果二阶效应无法忽略，也仅相当于改变了 $R_{D}$ 的值， $A_{v}=-g_{m}*(R_{D}||r_{0})$

3、输入输出阻抗（I/O Imdepances）

输入阻抗：从输入端口往内看，电阻无穷大

输出阻抗： $V_{in}$ 置零， $v_{gs}=v_{sb}=0$ ，从输出端口往内看， $R_{out}=r_{0}$

3.1.2 二极管连接型器件作负载

二极管连接型器件

当 $V_{DD}>V_{TH}$ 时，管子导通且工作在饱和区，类似于二极管，其小信号模型内阻为 $R_{in}=\frac{1}{g_{m}+g_{mb}+r_{0}^{-1}}\approx \frac{1}{g_{m}+g_{mb}}$ ，在小信号分析中，可将其看作一电阻

当λ=γ=0时，从源端看入的阻抗为 $\frac{1}{g_{m}}$

1、大信号模型

（1） $V_{in}<V_{TH1}$ 时， $M_{1}$ 截至，故 $V_{out}=V_{DD}-V_{TH2}$

（2） $V_{in}>V_{TH}$ 时， $M_{1}$ 开始导通，进入饱和区 $\frac{1}{2}\mu_{n}C_{ox}(\frac{W}{L})_{1}(V_{in}-V_{TH1})^{2}=\frac{1}{2}\mu_{n}C_{ox}(\frac{W}{L})_{2}(V_{DD}-V_{out}-V_{TH2})^{2}$ ， $V_{out}$ 由 $V_{DD}-V_{TH2}$ 近似线性减小

（3）当 $V_{in}>V_{out}+V_{TH1}$ 时， $M_{1}$ 将进入三极管区，电流 $(\frac{W}{L})_{1}[(V_{in}-V_{TH1})V_{out}-\frac{1}{2}V_{out}^{2}]=(\frac{W}{L})_{2}(V_{DD}-V_{out}-V_{TH2})^{2}$ ，特性曲线呈非线性

为使得小信号增益获得更大的值，静态工作点应该选择在曲线斜率更大的部分

2、小信号模型

在小信号模型中，可将二极管型器件看作一个阻值近似为 $R_{D}=\frac{1}{g_{m2}+g_{mb2}+r_{02}^{-1}}\approx \frac{1}{g_{m2}+g_{mb2}}$ 的电阻，由3.1.1可知，小信号电压增益:

$A_{v}=-g_{m1}*R_{D}\approx -\frac{g_{m1}}{g_{m2}+g_{mb2}}=\frac{g_{m1}}{g_{m2}}\frac{1}{1+\eta },\eta =\frac{g_{mb2}}{g_{m2}}$

即: $A_{v}=-\sqrt{\frac{(W/L)_{1}}{(W/L)_{2}}}*\frac{1}{1+\eta }$

注：当以P管作为二极管型器件时，不存在体效应

$A_{v}=-\sqrt{\frac{\mu_{n}(W/L)_{1}}{\mu_{p}(W/L)_{2}}}=\frac{\left | V_{GS2}-V_{TH2} \right |}{(V_{GS1}-V_{TH1} )}$ $\left |V_{th} \right |=0.7V$

3.1.3 电流源作负载

由前面可知， $A_{v}=-g_{m1}*R_{D}$ ，用电流源作负载可以获得足够大的电阻且不影响直流压降（不影响 $I_{D}$ ）

1、大信号模型

设 $V_{b}=1.5V$ ， $\left | V_{TH} \right |=0.7V$

2、小信号模型

$A_{v}=-g_{m1}*R_{D}=-g_{m1}(r_{o1}||r_{02})$

3.1.4 带源极负反馈的共源级

$V_{in}$ 增大， $I_{D}$ 增大， $V_{S}$ 增大，从而抑制 $V_{GS}=V_{in}-V_{S}$ 的增大，最后达到动态平衡

1、小信号分析

分析跨导： $G_{m}=\frac{\partial I_{D}}{\partial V_{in}}$ ， $I_{D}=g_{m}(V_{in}-R_{S}I_{D})\Rightarrow I_{D}=\frac{g_{m}V_{in}}{1+g_{m}R_{S}}$ ,

故： $G_{m}=\frac{\partial I_{D}}{\partial V_{in}}=\frac{g_{m}}{1+g_{m}R_{S}}$

故： $A_{v}=-G_{m}*R_{D}=\frac{g_{m}R_{D}}{1+g_{m}R_{S}}$

3.1.5源极跟随器（Source Follower）

$I_{D}$ 一定，在饱和区内， $I_{D}=\frac{1}{2}\mu_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})^{2}$ ，源极 $V_{out}$ 随栅极 $V_{in}$ 变化而变化

3.2 共栅极放大器(Common Gate Amplifiers)

源极接受输入，漏极输出，栅极接入一合适的电压来构建合适的直流工作环境

1、大信号模型

（1） $V_{b}-V_{in}<V_{TH}$ ，即 $V_{in}>V_{b}-V_{TH}$ 时， $M_{1}$ 截至， $I_{D}=0$ ，故 $V_{out}=V_{DD}$

（2） $V_{in}$ 减小，当 $V_{b}-V_{in}=V_{TH}$ ，即 $V_{in}=V_{b}-V_{TH}$ 时， $M_{1}$ 开始导通， $I_{D}$ 从0开始增加， $V_{out}$ 由 $V_{DD}$ 开始减小，故刚开始导通时 $V_{DS}=V_{DD}-V_{in}>V_{b}-V_{in}=V_{GS}$ ，管子处于饱和区

（3）随着 $V_{in}$ 继续减小，由饱和区电流 $I_{D}=\frac{1}{2}\mu_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{b}-V_{in}-V_{TH})^{2}$ 可知 $I_{D}$ 会随 $V_{in}$ 减小而增大，导致 $V_{out}$ 继续减小

（4）当 $V_{in}$ 增大、 $V_{out}$ 减小到 $V_{b}-V_{in}=V_{out}-V_{in}$ ，即 $V_{b}=V_{out}$ 时，管子将进入三极管区，电流 $I_{D}=\mu_{n}C_{ox}\frac{W}{L}[(V_{GS}-V_{TH})V_{DS}-\frac{1}{2}V_{DS}^{2}]$

当管子工作在饱和区时，小信号增益获得更大值

$V_{out}=V_{DD}-I_{D}R_{D}=V_{DD}-\frac{1}{2}\mu C\frac{W}{L}(V_{b}-V_{in}-V_{TH})^{2}$

$A_{v}=\frac{\partial V_{out}}{\partial V_{in}}=g_{m}R_{D}$ （不考虑体效应）

$A_{v}=\frac{\partial V_{out}}{\partial V_{in}}=g_{m}(1+\eta )R_{D}$ ， $\eta =\frac{\partial V_{TH}}{\partial V_{in}}$ （考虑体效应）

2、小信号模型

懒懒懒懒懒，画出小信号等效电路，用KCL、KVL分析即可

3、电路特性分析

输入阻抗很小、输出阻抗很大

$\frac{i_{out}}{i_{in}}\cong 1$

基于以上三个特性，共栅极放大器可以使得一个电流源变得更加理想

3.3 共源共栅极

1、定性分析

假设两个管子均工作在饱和区且忽略二阶效应

（1） $V_{in}$ 增加 $\Delta V_{in}$ ： $I_{D1}$ 增加 $g_{m1}\Delta V_{in}$ ， $V_{X}$ 则减小 $g_{m1}\Delta V_{in}\frac{1}{g_{m2}}$ 。 $V_{out}$ 增加 $g_{m1}\Delta V_{in}R_{D}$ ，与共源极电路相同

（2） $V_{b}$ 变化 $\Delta V_{b}$ ：因为 $V_{in}$ 未变，则 $I_{D1}$ 未变。对 $V_{X}$ 而言， $M_{2}$ 为源极跟随器，而 $V_{out}$ 不变

即共源共栅级放大电路的小信号增益与共源极相同，却比共源极有着其他特点

2、偏置条件分析

为使得 $M_{1} M_{2}$ 均工作在饱和区，分析其偏置条件。

（1）为使 $M_{1}$ 工作在饱和区， $V_{X}\geqslant V_{in}-V_{TH1}$ ，而 $V_{X}$ 主要由源极跟随器 $M_{2}$ 决定，即 $V_{X}= V_{b}-V_{GS2}$ ，故 $V_{b}-V_{GS2}\geqslant V_{in}-V_{TH1}$ ，