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电子技术基础(模电和数电)
文章平均质量分 69
模拟电子技术
姜浩鑫
相信在未来的日子里所有学过的东西都会汇聚在一起,最终构成我的知识版图
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一.1.(1)半导体基础知识
因为多子扩散,由于扩散到P区或N区的空穴和自由电子复合,导致中间交界处多数载流子浓度下降,P区出现负离子区,N区为出现正离子区,他们是不能移动的,也就是所谓空间电荷区(阻塞之地),也就是形成了内电场,有利于漂移运动(电场力作用下少数载流子的运动),阻碍扩散运动。简单介绍一下,两个原子之间形成共价键,这个东西不像绝缘体那样原子核对最外层电子的束缚能力那么强,在能量激发,如温度,光照(感兴趣的可以去查查太阳能板原理),一些电子就挣脱共价键,变成自由电子。电子层数越少,最外层电子数为越多,就越易得电子。原创 2023-01-09 15:00:43 · 549 阅读 · 0 评论 -
一.1.(2)半导体二极管的结构、工作原理、参数、伏安特性;
的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强。通过空间电荷区的电子和空穴,在电场作用下获得的能量增大,在晶体中运动的电子和空穴将不断地与晶体原子发生碰撞,当电子和空穴的能量足够大时,通过这样的碰撞,可使共价键中的电子激发形成自由电子—空穴对,这种现象称为碰撞电离。的PN结上,当加上不大的反向电压时,阻挡层内部的电场强度就可达到非常高的数值,这种很强的电场强度可以把阻挡层内中性原子的价电子直接从共价键中拉出来,变为自由电子,同时产生空穴,这个过程称为场致激发。此时,二极管处于正向导通状态。原创 2023-01-11 18:17:11 · 1080 阅读 · 0 评论 -
一.1.(3)半导体二极管基本电路的分析方法及常见应用电路
1.二极管基本电路的分析方法先标正负极,再看是否理想二极管将二极管视为断路,求两端电压两端电压均大于导通电压,压差大的先导通(由于电源不是完全的阶跃,而是有一个电压爬升的过程)2.常见应用电路1.求两端电压的2.压差大先导通的3.二极管结合电压源限制输出幅度4.稳压管根据工作电流求限流电阻的5.判断稳压管,是否工作在反向击穿区6.两个稳压管一正一负串联,给交流信号输入,求输出被削峰的图像的。原创 2024-07-06 15:29:42 · 293 阅读 · 0 评论 -
一.2.(1)双极型晶体三极管的结构、工作原理、特性曲线及主要参数
它与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系,晶体管使用时,其实际耗散功率不允许超过PCM值,否则会造成晶体管因过载而损坏。ICBO也叫集电结反向漏电流,是当晶体管的发射极开路时,集电极与基极之间的反向电流,ICBO对温度较敏感,该值越小,说明晶体管的温度特性越好。晶体管集电极所允许通过的最大电流,当晶体管的集电极电流IC超过ICM时,晶体管的β值等参数将发生明显变化,影响其正常工作,甚至损坏。ICEO是当晶体管的基极开路时,其集电极与发射极之间的反向漏电电流,也叫穿透电流。原创 2024-07-06 23:16:51 · 417 阅读 · 0 评论 -
一.3.(1)结型MOSFET场效应管的结构和工作原理;
外加正向电压时,会使耗尽层变窄,扩散运动加剧,也就是二极管的电阻减少,电流增大。反向电压时,会让耗尽层变宽,阻碍扩散运动,有利于漂移运动,也就是二极管电阻增大,电流减少,反向漏电流增加的一个过程。UGS越大,PN结之间的耗尽层就会变窄,然后DS之间的沟道就宽敞了,RDS就减少,IDS就可以变大。UGS越小,PN结之间的耗尽层就会变宽,然后DS之间的沟道就窄了,RDS就增加。看完上图,会发现其实本质上二极管,三极管,MOS管都是PN结,如果第一章。继续上面的说法,N沟道增强型MOSFET,原创 2024-07-12 16:12:29 · 388 阅读 · 0 评论 -
一.3.(1)增强型MOSFET场效应管的结构和工作原理;
这就引出NMOS的符号。,这就引出PMOS的符号。从S到D的一个寄生二极管。从S到D的一个寄生二极管。P衬底一般与源极相连。,对于NMOS来说,P衬底仍然与源极相连。,对于PMOS来说,原创 2024-07-12 17:03:03 · 231 阅读 · 0 评论 -
深入了解模电数电篇(复习)
1、熟练掌握共发射极、共基极、共集电极三种晶体管基本放大电路以及共源极、共漏极两种场效应管放大电路的静态与动态分析计算。(2)基本运算电路,包括比例运算电路、加减运算电路、积分运算电路、微分电路等常见电路的分析、计算及应用;3、灵活理解运算放大器线性应用的两个基本条件,熟练掌握集成运算放大器的线性与非线性应用电路分析与计算。(1)运算放大器的线性应用和非线性应用的工作特点,理想运算放大器线性应用的两个基本条件;(1)单稳态触发器、施密特触发器和多谐振荡器的功能、特点、工作原理及电路参数计算;原创 2023-01-09 13:16:34 · 1780 阅读 · 0 评论 -
一.2.(2)基本共射放大电路组成、工作原理;
输入信号ui通过电容C1加到三极管的基 极,引起基极电流iB的变化,iB的变化又使集电极电流ic发生变 化,且ic的变化量是iB变化量的β倍。由于有集电极电压,uCE= UCC-iCRC,uCE中的变化量经耦合电容C2传送到输出端,从而得 到输出电压uo。当电路中的参数选择恰当时,便可得到比输入信 号大得多的输出电压,以达到放大的目的。关于“原创”的说明:文章发布前我会进行初步的相关搜索,如未发现有别人发表过类似内容的作品我才会发表。博客的内容除已注明的引用文献外均为本人独立研究成果。原创 2024-07-06 23:37:24 · 277 阅读 · 0 评论 -
一.2.(3)放大电路的图解分析方法和微变等效电路分析方法;
(晶体管输入小信号时,BE之间可以等效为动态电阻rbe,CE之间可以等效为一个受控电流源和一个动态电阻rce并联,由于rce很小,一般计算上忽略不计,其中rbe=rbb'+(1+增益宽带积)(UT/IEQ))估算IBQ,然后根据数据手册里面的图表(如上),利用输出回路的UCE=VCC-ICRC这样的关系,绘制直流负载线。当Q 点过低时,在输入信号负半周靠近峰值的某段时间内,晶体管进入截止区,导致uo产生顶部失真。当Q 点过高时,在输入信号正半周靠近峰值的某段时间内,晶体管进入饱和区,导致uo产生底部失真。原创 2024-07-07 11:52:55 · 631 阅读 · 0 评论 -
一.2.(4)放大电路静态工作点的稳定;
关于“原创”的说明:文章发布前我会进行初步的相关搜索,如未发现有别人发表过类似内容的作品我才会发表。但是因为可能有遗漏,所以不能保证我的博客内容一定为“首创”,但一定可以保证“原创”个人使用无需许可,但必须在引用部分(代码,基本思想或实现方案等)标示出原作者信息,发布时需附带本声明。博客的内容除已注明的引用文献外均为本人独立研究成果。AU=UO/Ui=分子减少,分母增大,但由于分子带负号,所以|Au|减少。输出特性曲线:RC减少,y轴截距上移,UCEQ增大。输入特性曲线:Rb减少,IBQ,UBEQ增大。原创 2024-07-07 21:23:13 · 308 阅读 · 0 评论 -
一.7.(2)基本运算电路,包括比例运算电路、加减运算电路、积分运算电路、微分电路等常见电路的分析、计算及应用;(未完待续)
叠加定理:求解每个信号单独作用时的输出电压(其他电压源视为短路,即接地),然后将结果相加,得到所有信号同时作用下的输出电压。其中上图正相输入端应接电阻然后接地,电阻应与R1//RF相同(保持对称性,差分放大电路)虚短:运放的正相输入端和反相输入端貌似连在一起了,所以两端的电压相等,即U+=U-实际使用时,为获得一定比例系数,RF尽量不要太大,以免引入较大噪声。接着求解Vm与Uo之间的关系,Vm与R3之间的关系。虚地:运放正相输入端接地,导致U+=U-=0。what id the 虚短虚断虚地?原创 2024-07-07 22:27:54 · 501 阅读 · 0 评论 -
一.2.(5)共射、共集、共基三种基本放大电路的静态及动态分析;
关于“原创”的说明:文章发布前我会进行初步的相关搜索,如未发现有别人发表过类似内容的作品我才会发表。但是因为可能有遗漏,所以不能保证我的博客内容一定为“首创”,但一定可以保证“原创”个人使用无需许可,但必须在引用部分(代码,基本思想或实现方案等)标示出原作者信息,发布时需附带本声明。本人在CSDN上所有包含原创声明的博客均为本人原创作品。博客的内容除已注明的引用文献外均为本人独立研究成果。Ib是流入基极的电流,Ii是从输入交流信号源流出的电流。共什么的问题:共什么取决于输入输出,共剩下的那一极。原创 2024-07-08 12:47:06 · 226 阅读 · 0 评论