一.1.（1）半导体基础知识

半导体基础知识

上学的时候大概是模电第一节就会讲完这，会详细的介绍什么是导体，绝缘体，半导体，本征半导体，然后接着详细的讲述本征半导体的结构，两种载流子，P,N杂质半导体，PN结以及它的单向导电性和电容效应，这里不太想讲一些过于细致的东西，例如a=b,b=c所以a=c,简单来说说一些理解。

1.导体

在中学阶段就学过电流是电子的定向移动，这里以金属元素AL为例，它的电子结构为283，最外层电子为3个，在外电场作用下很容易产生定向移动，最终形成电流。

（电子层数越多，最外层电子数为越少，就越易失电子。电子层数越少，最外层电子数为越多，就越易得电子。）

2.绝缘体

一般是皮革、干燥的木头、惰性气体、橡胶等材料，最外层电子在4-8之间，得电子能力强，失去电子能力反之就弱，这里不做累述

3.半导体

顾名思意，就是导电能力介于导体和绝缘体之间；那最外层电子就是4，一般来说是Si，Ge等材料，得电子和失电子能力相同（有兴趣的可以琢磨琢磨这句话哪点欠妥）

20240705补充：时间太长了给我也整忘记了，大概应该是得失电子的能力大小只有同主族同周期才可以比较

5.本征半导体

记住课本原话，本征半导体是纯净的晶体结构半导体，意思就是无杂质的稳定的结构半导体；一般来说看百度什么芯片原材料是Si,基本上都是单晶体，并且纯度在99.9999999%（9个9），这样能保证你使用芯片的质量。

6.本征半导体的结构

简单介绍一下，两个原子之间形成共价键，这个东西不像绝缘体那样原子核对最外层电子的束缚能力那么强，在能量激发，如温度，光照（感兴趣的可以去查查太阳能板原理），一些电子就挣脱共价键，变成自由电子。

然后课本原话，一个萝卜一个坑，自由电子和空穴总是成对存在；

7.本征半导体的两种载流子（运载电荷的粒子）

空穴（带正电）和自由电子（带负电）

TIP:当你给本征半导体施加外电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。

8.p型半导体 空穴为主

positive （积极的，带正电）所以载流子以空穴为主，也就是掺入三价B。

9.n型半导体 自由电子为主

negative （消极的，带负电）所以载流子以自由电子为主，也就是掺入磷（P）、砷、锑

10.PN结及其单向导电性

10.1扩散运动

 P，带正电空穴浓度高于N，反之，N，带负电自由电子浓度高于P

两者因为浓度差，而形成扩散运动

10.2漂移运动（元器件选型必须要知道的东西）

多子扩散

 因为多子扩散，由于扩散到P区或N区的空穴和自由电子复合，导致中间交界处多数载流子浓度下降，P区出现负离子区，N区为出现正离子区，他们是不能移动的，也就是所谓空间电荷区（阻塞之地），也就是形成了内电场，有利于漂移运动（电场力作用下少数载流子的运动），阻碍扩散运动。

当参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同时，达到动态平衡，即扩散电流等于漂移电流，即总电流为0。

10.3，PN 结的单向导电性

PN结加正向电压导通：

耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。

PN结加反向电压截止：

耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。

11.PN 结的电容效应

1. 势垒电容 Cb

PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。

2. 扩散电容 Cd

PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。（因为外加电压变化，必然会引起空间电荷区（耗尽层）变化，就是会使扩散运动剧烈程度的变化，即扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化）

结电容： Cj=Cb+Cd

需要注意的是，结电容并不是常量！

因为结电容的影响，如果外加电压频率高到一定程度，PN结将会失去单向导电性！

拓展：这句话个人理解是因为电容有一个自谐振频率点，自谐振频率点Self-Resonant Frequency

计算公式为

下图显示了 1μF，封装为 1206 的陶瓷电容器的阻抗

（ MLCC有经典的V型阻抗-频率曲线。随着频率升高，寄生电感的影响开始凸显，阻抗先变小再变大，这是MLCC的固有特性。曲线中的最低点就是MLCC的自谐振频率）

由于 ESL 的存在（ MLCC内部高密度金属电极和焊接端子都能提供少量的寄生电感 ），在某个频率下阻抗实际上随频率开始上升，这个频率点又被称为自谐振频率点

电容等效电路

具体自谐振参数的影响表现在，工作频率超过自谐振点，电容失去电容作用，呈感性。

回到这句话原因就在于，电容失去它的容性作用，呈感性，从而失去PN结的单向导电性。

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