Mos结电容Cgd、Cgs、Cds与分布参数Ciss、Crss、Coss

      Cgd在BJT（双极性晶体管）中也称为米勒电容(Cbc)

      栅控器件的驱动本来只需要一个控制电压而不需要控制功率，但是下作频率比较高的时候，结电容的存在会消耗可观的驱动功率，频率越高，消耗的功率越大。

      在实践中，为了分析问题的方便，一般并不直接用结电容参数进行分析，而是重新定义了三个变量，统称为分布电容，具体如下。

      输入电容(lnput  Capacitance)：Ciss=Cgd十Cgs

      输出电容(Output Capacitance)：Cdss=Cgd+Cds

      逆导电容( Reverse Transfer  Capacitance)：Crss＝Cgd

     之所以引入分布电容的概念，是因为结电容是由晶体管的材料和结构决定的，不能全面反映对晶体管电路的实际影响。分布电容则主要反映结电容对下作电路的影响。

     无论是CiSS、Coss、Crss中的哪一个，我们都希望他们尽量小一些。

     Ciss会增加驱动功率，高频应用时，栅极驱动信号需要对Ciss充电和放电，因而会影响开关速度，降低驱动电路的输出阻抗有利于提高输出电流，提高对Ciss的充放电速度，有利于提高开关速度。

     Ciss会导致在高频应用时不能被真正关断，白白消耗功率，降低PD值；Crss引起正反馈，即输；H信号会从漏极倒灌回到栅极，引起白激振荡。

  Ciss、Coss、Crss的大小与源-漏极电压VDSS有关，因此有些公开的资料也将它们称为动态数(Dynamic Characteristics)，不过它们几乎不受温度的影响，这给我们的电路分析带来了方便。

Mos结电容Cgd、Cgs、Cds与分布参数Ciss、Crss、Coss