1.1.2半导体二极管的结构、工作原理、参数、伏安特性；

1.结构

内部实际上是一个PN结，将电极引线和其封装在一起就构成了二极管

拓展：点接触型二极管，面接触型二极管

2.工作原理 

3.参数（以肖特基二极管SS56为例）

MAX Forward Voltage(最大导通电压) ，因为SS56是硅管，教材上给出导通电压为0.5-0.8V，这里的0.7V是最大导通电压，工程上一般0.65V就克服PN结内电场微导通。

Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode（直流状态下最大的反向漏电流），二极管器件在加反向电压后，电路并非纯粹的断开状态，而是存在反向漏电流（IF）

Typical junction capacitance（结电容）这个目前没用过，应该与工作频率有关

 Thermal Resistance（热阻）二极管导通后，随着电流不断增大，自由电子运动也更剧烈，会撞击原子核，发热

（热阻：热量在热流路径上遇到的阻力，反映介质或介质间的传热能力的大小，表明了 1W热量所引起的温升大小，单位为K/W或℃/W。）

Repetitive Peak Reverse Voltage（最大反向峰值电压） 超过管子就会烧毁

Average Rectified Output Current（平均整流输出电流）就是管子长期工作的所允许最大平均电流

Forward Surge Current (正向浪涌峰值电流)

4.伏安特性曲线

4.1当二极管两端电压大于二极管内电场，（此图为锗管），正向电流随着电压增大而增大

4.2当二极管被施以反向电压时，虽然耗尽层变宽，但会存在漏电流（P区自由电子移动到N区）

4.3当反向电压达到一定值时，耗尽层里的共价键内的电子会被吸出来，形成齐纳击穿

4.4当反向电压达到更高时，自由移动电子轰击原子核，大量电子被释放，形成雪崩击穿

拓展：理想二极管

以ltc4412芯片为例，工程链接如下理想二极管（已经测试） - 嘉立创EDA开源硬件平台 嘉立创EDA开源硬件平台，开源广场汇集了多种类型的电路设计工程，快速实现资源共享！https://oshwhub.com/jhx275816/li-xiang-er-ji-guan-yi-jing-ce-shi

工作原理：利用PMOS的低内阻特性，以及寄生二极管,实现正向导通为短路特性，压降忽略不计，反向内阻无穷大，为开路状态