Voltus功耗分析——technology Power-Grid Library

Candence强烈建议将标准单元布局与超大单元布局分开进行预处理。在大多数用户环境中,标准单元布局很少发生变化,但超大单元布局会发生变化。此外,标准单元更有可能在组之间共享,并由中央CAD组织提供支持。对于特定的设计组来说,megaccell可能是唯一的,没有遵循严格的命名约定,因此在相同的库生成库中,名称可能会冲突。

1.power-grid library 的两种类型

1)technology library

工艺库包含tech file、面积电容、decap/filler/powergrate cells以及这些单元的tech view,工艺库是运行rail analysis的最低要求。

2)power-grid library 

该库包含三种power grid views(PGV),early/IR/EM,对于标准单元和macro/memory/io 单元。该库不包含tech file,耦合电容由spice仿真导出。

2.power-grid view types

1)tech-only

该view是technology 库对每个单元生成的basic view,只包含电流分布因素和单元的电源ports的耦合电容,不包含单元的内部信息。如果没有定义power grid library ,tech view 用于分析rail analysis,但是该view用于生成power grid library用于标准单元/macro的精确分析。

2)early view(standard cells/Macros)

该view包含电流分布因子和单元的power port的耦合电容的仿真信息,不包含内部互连的寄生参数,无法进行IR drop分析。该view用于rail analysis XD accuracy mode,用于early deaign phase。

3)IR Views(Macros)

4)EM Views

3.生成Technology Library

1)输入文件

technology LEF / cell LEF / Quantus technology file / LEFDEF layermap (optional)

2)步骤

  • 读入所有单元的lef文件:read_lib  -lef   */tech.lef   */cell_macro.lef  */pso_header.lef  */pso_ring.lef  */pll.lef  */decap.lef  
  • 手写lefdef.layermap:

lefdef.layermap:金属层信息的文件,文件格式:

 metal   ME1_C   lefdef  ME1

    via      VIA1        lefdef  VI1 

  • 指定technology的设置:

         set_pg_library_mode 

              -extraction_tech_file  RCgen.tch

              -lef_layermap  lefdef.map

              -celltype  techonly

              -power_pins  {VDD 1.08  VDDO  1.08  VDDG  1.08}

              -ground_pins  {VSS  GND  VSSG}

              -temperature  -40

              指定文件夹生成power-grid library: generate_pg_library  -output  tech_pgv

              生成三个文件:

             techonly.cl  : technology library默认名称,用户指定的区域基于单元电容均匀分布在power-pins,电流tap添加至power-pins,总电流均匀地分布在每个轨道上的多个电流tap之间,电流分布和单元内部电源网不可见。

             techonly.rpt  :每个单元的power/ground net 包括power/ground net的名称和电压值,单位面积的电容,taps的数量,用户定义的Idsat,Ileakage,Ron for POWERGATE cell。

             techonly.summary :报告中单元类型有stdcell/filler/decoupling cap/power_gate,还包括pins/metal layers/current taps的数量等。

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### 回答1: M-LVDS(多点低压差分信号)是一种用于高速(多点)数据传输的接口技术。它是LVDS(低压差分信号)接口的一种升级版本,广泛应用于各种领域,包括工业自动化、通信设备、计算机和汽车电子等。 M-LVDS接口具有以下特点: 1. 高速传输:M-LVDS可以实现高达500Mbps的数据传输速度,适用于需要快速传输大量数据的应用场景。 2. 多点连接:与传统的LVDS接口不同,M-LVDS接口可以同时连接多个设备,实现设备之间的多点通信。 3. 低电压和低功耗:M-LVDS采用低压差分信号传输,电压波动小,功耗相对较低,能够降低系统的能耗。 4. 抗干扰性强:M-LVDS接口在高速传输环境下具有较强的抗干扰能力,能够有效地抵御噪声和干扰对数据传输的影响。 M-LVDS接口在实际应用中具有广泛的用途。例如,在工业自动化领域,M-LVDS接口可以用于传输高速数据,实现设备之间的快速通信;在通信设备中,M-LVDS接口可以用于传输高质量音频和视频信号;在计算机领域,M-LVDS接口可以用于连接显示器和其他外部设备,实现高清视频传输;在汽车电子领域,M-LVDS接口可以用于车载音频和视频娱乐系统,提供高品质的娱乐体验。 总而言之,M-LVDS接口是一种多点互联的高速数据传输技术,具有高速传输、多点连接、低电压和低功耗、抗干扰性强等特点,在各个领域都有着广泛的应用前景。 ### 回答2: M-LVDS (Multi-point Low Voltage Differential Signaling) 是一种用于多点互联应用的数据传输接口。它采用差分信号传输方式,能够在长距离传输数据,并且保持较低的功耗和噪声。M-LVDS广泛应用于工业控制系统、汽车电子、通信设备等领域。 M-LVDS的优势在于其可靠性和高速传输能力。它采用差分信号传输,可以抵抗电磁干扰和噪声,从而提供更可靠的数据传输。此外,M-LVDS的传输速率可以达到几百兆比特每秒,可以满足许多高速数据传输需求。 此外,M-LVDS还具有低功耗的特点。由于使用低压差分信号传输,M-LVDS比传统的单端信号传输接口功耗更低。这对于一些需要长距离传输数据并要求低功耗的应用来说非常重要。 M-LVDS适用于多种多点互联应用。例如,在工业控制系统中,传感器和执行器通常需要长距离传输数据,而M-LVDS可以提供可靠的数据传输和较低的功耗。在汽车电子中,M-LVDS也能够满足高速数据传输的需求,例如在车载娱乐系统中传输音频和视频信号。此外,M-LVDS还可用于通信设备中,如以太网交换机和光纤通信设备等。 总之,M-LVDS是一种适用于多点互联应用的数据传输接口,具有可靠的传输性能、高速传输能力和低功耗特点。它在工业控制、汽车电子、通信设备等领域有广泛的应用前景。 ### 回答3: 多点互联应用是指将多个设备通过网络连接起来,实现数据的传输与共享。而M-LVDS(Multipoint Low-Voltage Differential Signaling)是一种多点互联应用中常用的传输技术,它适用于远距离、高速的数据传输。 M-LVDS是一种差分信号传输技术,它通过同时传输高电平和低电平的差值来表示数字信号。相比于单端传输技术,差分传输具有更好的抗干扰能力和抗噪声能力,能够在长距离传输中保持信号的稳定性。 M-LVDS的工作电压通常为2.5V或3.3V,可以在1Mbps到200Mbps的速率下工作。它支持多点连接,一个主设备可以同时与多个从设备进行数据通信。这使得M-LVDS适用于需要高速传输和多点连接的应用场景,比如工业自动化控制系统、汽车电子设备等。 M-LVDS的连接方式通常采用星型拓扑结构,主设备作为总线的中心节点,从设备通过独立的线路与主设备连接。M-LVDS总线可以实现全双工通信,使得主设备和从设备可以同时发送和接收数据。 总之,M-LVDS是一种多点互联应用中常用的传输技术,它通过差分信号传输实现高速、远距离的数据传输,具有良好的抗干扰能力和抗噪声能力。它适用于需要高速传输和多点连接的应用场景,可以广泛应用于工业自动化控制系统、汽车电子设备等领域。
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