bumping process

1.凸点工艺的概念

bumping process （凸点工艺），晶圆级封装，在I/O端口的Pad上形成焊料凸点，当I/O排布受限，通过RDL层（重布线层）对IO位置进行重布局，使其满足焊料球最小间距的要求，并按照点阵式排布。RDL层是电镀铜辅打底的钛、铜溅射层，铜表面覆盖相应的保护层油墨。

2.凸点的种类

1）Solder Bump纯锡球

pitch一般为150~400um，成本低，主要应用在CIS、PMIC、CPU、Automatic、WLC等产品

2）Copper Pillar铜锡

pitch一般在20~200um，成本稍贵，基本用在BSI CIS、PMIC、CPU、AP、BP、RF IC、DDR3、DDR4、Automatic、2.5D interposer、3D Packaging，一些服务器，军工用途。

3）Gold Bump 金锡，pitch一般在10~50um。

3.芯片封装类型

1）BGA（Ball Grid Array）

球型触点阵列，也称CPAC（Global Top Pad Array Carrier）,表面贴片封装，引脚在印刷基板背面为点阵式球型凸点。

2）COB（Chip On Board）

板上芯片封装，裸片贴装技术，芯片交接贴装在印刷线路板，芯片与基板电气连接用引线缝合方法实现，用树脂覆盖。

3）DIP（Dual in-line Package）

双列直插式封装，引脚从封装两侧引出，封装材料有陶瓷和塑料。DIC（Dual in-line Ceramic Package）陶瓷封装的DIP

4）Flip-Chip

倒装芯片，表面贴装封装，在芯片的电极区制作好金属凸点，把金属凸点与印刷基板电极区进行压焊连接，封装面积与芯片尺寸基本相同，是封装技术中体积最小、最薄的，但是如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，会在接合处产生反应影响连接可靠性。

5）FP（Flat Package）

扁平封装，表面贴装型封装，QFP或SOP的别称。

6）QFN(quad flat non-leaded package)

四周无引脚扁平封装，表面贴装封装，高速和高频IC封装，也称LCC