存储器

【 1. 随机存储器 RAM 】

1. 静态随机存储器 SRAM

读写控制信号R/W’：=1执行读操作；=0执行写操作
片选信号CS’：=1时所有输入输出呈高阻态，禁止操作；=0时正常工作 (CS’相当于总开关)
读操作：CS’=0, R/W’=1
写操作：CS’=0，R/W’=0

1024x4位的SRAM

SRAM的静态存储单元

T₁、T₂、T₃、T₄共同构成SR锁存器，可存一位二值代码。
T₁、T₂构成反相器G₁，T₃、T₄构成反相器G₂。
字线 X_i 控制T₅、T₆的开关状态，X_i=1时，T₅、T₆导通，能在一行中被选中；X_i=0时，T₅、T₆截止。
列地址译码器的输出Y_j控制T₇、T₈的开关状态，Y_j=1时，T₇、T₈导通，这时第i行第j列存储单元单元与缓冲器相连；Y_j=0时，T₇、T₈截止。
CS’=0,R/W’=1时读操作，A₁导通，A₂、A₃截止，I/O可获取Q₁状态
CS’=0,R/W’=0时写操作，A₁截止，A₂、A₃导通，I/O数据可写入存储单元。

2. 动态随机存储器 DRAM

动态存储单元是利用 MOS管栅极电容可以存储电荷 的原理，工作时必须定期刷新控制电路。

【 2. 只读存储器 ROM 】

存储矩阵：由许多存储单元排列而成。
存储单元：可以用二极管构成，也可以用双极型三极管或MOS管构成，每个存储单元能存放1位二值代码，每个或一组存储单元有一个对应的地址代码。通常ROM采用多位数据并行输出的结构形式，每个输入地址同时选中一组存储单元。
地址译码器：将输入的地址代码译成相应的控制信号，利用这个控制信号从存储矩阵中将指定的单元选出，并把其中的数据送到输出缓冲器。
输出缓冲器：提高存储器带负载能力；实现对输出状态的三态控制，以便与系统的总线连接。

1. 掩模只读存储器 Mask ROM

出厂时已固定，不可更改，适合大量生产。
简单、便宜、非易失性。

2. 可编程只读存储器 PROM

PROM是一种与阵列固定、或阵列可编程的可编程逻辑器件。

PROM的总体结构与掩模ROM一样，同样由存储矩阵、地址译码器、输出电路组成。在出厂时已存在存储矩阵的所有交叉点上全部制作了存储元件，即相当于在所有存储单元中都已存入了1。

熔丝型 PROM

3. 可编程只读存储器 EPROM

UVEPROM

E²PROM

Flash Memory

优点：闪存的编程和擦除操作不需要使用编程器，写入和擦除的控制电路集成于存储器芯片中，工作时只需要5V的低压电源，使用极其方便。

应用：U盘、手机、平板电脑

【 3. 指标 】

1. 存储容量

b、bit（比特），B（拜特、字节），1B=8b，1k=2¹⁰B，1M=2¹⁰k，1G=2¹⁰M。

• 存储矩阵的每个交叉点是一个存储单元。
• 地址码=地址线=地址位数。
• 存储容量=存储单元总数=字数(地址数)x字长(位数)=2^地址线x 数据线。

如图存储矩阵，地址线：A₁、A₀，数据线：F₁、F₀，存储单元8个，位数(字长)为2，地址（字）4个。

例：

1. 下图中的RAM有 8 根地址线：A₀-A₇，有 8 根数据线：I/O₀-I/O₇，其容量是 2⁸x8 = 2048 bit
   
2. 一个存储器有8根地址线，每个地址可以存储8个位，那么它的存储单元总共有 2⁸×8 = 2048 b
3. 一个存储器有512个地址，每个地址可以存储6个位，那么它的存储单元总共有 512 × 6÷8 = 384 B。

2. 存储速度

静态存储单元>动态存储单元。
RAM>ROM

【 4. 存储容量的扩展 】

1. 位扩展

位 和数据线有关。
适用：每片RAM,ROM字数够用而位数不够时
接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联

2. 字扩展

字和地址线有关。
适用：每片RAM,ROM位数够用而字数不够时

3. 例

【 5. 用存储器实现组合逻辑函数 】

若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数。