微机原理-存储器

一、存储器分类

存储器：存放二进制表示的程序和数据，由大量的存储基元组成。即存放指挥计算机工作的程序、计算机处理的中间数据及最终数据。

1-1 内部存储器（内存或主存）

①CPU可直接访问内存
②存放系统软件和正执行的程序及使用的数据
③容量小，存取速度快

1-1-1 随机存取存储器（RAM）

具有易失性

（1）双极性
（2）MOS型

• 静态（SRAM）
  用两个双极型晶体管或基于6个MOS场效应管的双稳态电路构成基本存储单元，电路结构复杂，集成度较低，功耗也大，但存取速度很快，访问时间可小于十ns。主要用作高速缓存。
• 动态（DRAM）
  ①用MOS开关管控制电容的充放电来存储信息，电路简单，但存取速度慢。
  ②容量大，价格便宜，pc机上的内存都采用DRAM，而且做成内存条，便于扩充内存容量。

1-1-2 只读存储器（ROM）

• 掩膜ROM（MROM）
  ①不可编程。
  ②适合大批量生产。
• 可编程ROM（PROM）
  ①一次性编程。
  ②只用于大批量生产。
• 可擦除ROM（EPROM）
  采用紫外光照射便能擦除芯片的内容，可以反复编程。
• 电可擦除ROM（EEPROM）
  用TTL电平信号控制起其写入和擦除。
• 闪速存储器（Flash Memory）
  ①能不加电而长期保存信息，抗干扰能力强。
  ②能在线进行快速电擦除。
  ③价格已低于DRAM，容量则接近于DRAM。

1-2 外部存储器（外存或辅存）

①存放暂不执行或还未被处理的程序或数据。
②容量大，存取速度慢。

• 磁盘
  硬盘
  软盘

• 磁带

• 光盘

• 闪存盘，卡

1-3 存储器的性能指标

• 存储容量：地址单元*位数
  $▶$ 8086用20根地址线寻址1MB。
  $▶$ 地址单元—取决于存储器地址线的位数n;
  $▶$ 位数——取决于存储器数据线位数m。
  $▶$ 常用单位:KB、MB、GB、TB其中:1KB=$2^{10}$B
  1MB=$2^{10}$kB=$2^{20}$B
  1GB=$2^{10}$MB =$2^{30}$B
  1TB=$2^{10}$GB$2^{40}$B

• 存取速度
  常用存取时间来衡量存储器的存取速率。

• 功耗
  有效功耗
  待机功耗

• 可靠性
  体现在对温度变化，电磁干扰等的抗干扰能力上

• 性价比
  外层要求容量极大，内存的容量和速度都很重要，而高速缓存则要求速度非常快。

二、随机存取存储器RAM

2-1 静态RAM（SRAM）

（1）SRAM存储数据原理

• 特点:
  ①内部管子较多，功耗大，策成度低。
  ②工作稳定.存取速度快，不需要刷新电路。
  ③工作电源失去.保存的信息全部消失。
• 包含6个MOS晶体管:
  $▶$ $T_1$$T_2$:双稳态触发器
  AB=01为信息0
  AB=10为信息1
  $▶$$T_3$$T_4$:负载管
  $▶$$T_5$$T_6$:控制管
  行选X高电平$T_5$$T_6$导通
  列选Y高电平$T_7$$T_8$导通
  XY均高,选中,可读/写

（2）SRAM芯片6116（2K×8位）

• 6264(8K×8)

• 6116只需11根数据线（$A_{10}$~$A_0$）

• 8根双向数据线(I/$O_7$~I/$O_0$),在两个方向上都有三态门缓冲器,不对芯片读/写时，三态门都处在高阻态,使芯片与数据总线“脱离关系”。

• 有三个读/写控制信号：片选信号$\overline{CS}$，写入允许命令$\overline{WE}$，读出允许$\overline{OE}$

  $\overline{CS}$	$\overline{OE}$	$\overline{WE}$	工作方式
  0	0	1	读
  0	1	0	写
  1	×	×	未选

2-2 动态RAM

（1）DRAM存储数据原理

• 存储单元由1个MOS管和1个小电容C构成。C充满电荷便保存了信息1，无电荷为0。
• 数据输入输出端连数据总线的某一位$D_1$(位线)。
• 行选信号X是对低位地址信号（如$A_7$~ $A_0$）译码产生的,列选信号Y是对高位地址信号(如$A_{15}$~ $A_8$)译码形成-只有X、Y都高时.该单元才被选中。
• 写操作时，X=1, Y=1，Q和T管均导通,要写入值（0或1)从$D_1$加到C上。根据要写入的值,C很快完成充电（1）或放电(0）过程。
• 读操作时，Q和T同样导通，存储在C上电荷通过Q、刷新放大器和T输出到$D_1$。
• 放大器的灵敏度和增益都很高，能将C上电荷量转换成0或1的逻辑电平，确保读出信息的正确性。

（2）DRAM芯片2164

• 除了正常的读写操作外，DRAM还要定时刷新及充电，即补充电容上的电荷，刷新间隔一般为两毫秒，按存储器阵列的行逐行进行全部刷新一遍。刷新期间，DRAM不能被读写。
• 一个刷新周期可实现512个单元的刷新单元的刷新，用128个刷新周期。

三、只读存储器ROM

3-1 可编程可擦除ROM(EPROM)

（1）基本存储单元

• 存储信息
  浮栅管的栅极周围被二氧化硅绝缘层包围,所以原始状态下浮栅不带电荷,因而不导通,位线D上是高电平,即存储了信息1。
• 编程
  在其漏极D和源极S之间,加上25V的高电压和编程脉冲,D、S间被瞬时雪崩击穿,大量电子通过绝缘层注入到浮栅,使浮栅管导通,它存储的信息就变为0。由于浮栅被绝缘层包围,注人的电子不会泄露,保存的信息也就不会丢失。
• 擦除
  存储单元中的浮栅管浮栅上的电荷﹐会形成光电流泄露,使它们又恢复成原始状态1,从而擦除了所有信息。擦除后的EPROM还可以重新编程。
• EPROM的显著优点是可以多次编程,但不能在线编程。
  编程过程总是从头到尾,对一块芯片的全部单元进行重写,因此不能对芯片中的部分内容(哪怕是一个字节)实现修改。
  （2）Intel27178EPROM芯片
• Intel27178是一种16K×8的EPROM芯片
• 芯片的内部结构：
  $▶$存储阵列：由128K×1个带浮动栅的 MOS管构成,总共可保存16K×8位二进制信息;
  $▶$X译码器：即行译码器,对7位行地址($A_6$~ $A_0$)进行译码;
  $▶$Y译码器：即列译码器,对7位行地址($A_{13}$~ $A_7$)进行译码;
  $▶$输出允许、片选和编程逻辑：对输入的控制信号$\overline{CE}$、$\overline{OE}$和$\overline{PGM}$进行逻辑组合,实现片选并控制信息的读/写;
  $▶$数据输出缓冲器:8位,每1位都有三态门,读出的1字节数据经过它缓冲后,从数据总线传给CPU。

3-2 电可擦除可编程ROM(EEPROM)

• EEPROM即电可擦除PROM,也称$E^{2}PROM$。
• 特点：
  $▶$单电源供电
  $▶$按字节擦除和改写
  $▶$在线编程
  $▶$兼有ROM和RAM的特点

四、存储器与CPU的连接

4-1 设计接口应考虑的问题

• CPU总线的负载能力
• CPU的时序与存储器存取速度之间的配合
• 存储器地址分配和存储器容量的扩展
• 控制信号的连接

4-2 存储接口的设计

• 地址译码器

• 存储空间的扩展

  可以采用位扩展、字扩展和字位扩展三种方法。

  $▶$位扩展：（不需地址线），用8片64K×1的DRAM芯片并联，就可以实现这种从1位宽度到1字节宽度的扩展。
  $▶$字扩展：“字”的含义就是内存中存放的一个数据，可以是8、16或32位宽度。
  $▶$字位扩展：存储器芯片的容量和位都需要进行扩展。

• 形成片选信号的三种方法
  $▶$线选法：
  
  $▶$全译码法：
  它让全部高位地址都参与译码,这样每个存储单元的地址便都是唯一的,不存在地址重叠问题,但译码电路要复杂些。
  $▶$部分译码法：这种方法只对高位地址线中的某几位译码,生成片选信号。对被选中的芯片而言,未参与译码的高位地址信号可以是0或1,因此每个存储单元将对应多个地址。编程时一般将未用的地址位设为0。部分译码能简化译码电路,但与线选法一样会出现重叠地址,浪费地址空间。