STM32的三种Boot模式的差异

最新推荐文章于 2023-08-28 10:26:31 发布

Liu-FE

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分类专栏：嵌入式文章标签： stm32 嵌入式

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STM32的三种Boot模式的差异

一、 STM32启动配置
二、内置SRAM简介
三、例程验证
四、总结
五、参考资料

摘要：在我们学习STM32F103XX系列的，一般都是通过串口或者ST-Llink直接烧录到Falsh中。但有些是时候想直接调试硬件，那么如何进行烧录程序呢？-----此次通过学习将介绍将程序烧到SRAM中。

一、 STM32启动配置

在STM32F10xxx里，可以通过BOOT[1:0]引脚选择三种不同启动模式。

BOOT1	BOOT0	启动模式	说明
X	0	主闪存存储器	主闪存存储器被选为启动区域
0	1	系统存储器	系统存储器被选为启动区域
1	1	内置SRAM	内置SRAM被选为启动区域

在系统复位后，SYSCLK的第4个上升沿，BOOT引脚的值将被锁存。
用户可以通过设置BOOT1和BOOT0引脚的状态，来选择在复位后的启动模式。

在从待机模式退出时，BOOT引脚的值将被被重新锁存；因此，**在待机模式下BOOT引脚应保持为需要的启动配置。**在启动延迟之后，CPU从地址0x0000 0000获取堆栈顶的地址，并从启动存储器的0x0000 0004指示的地址开始执行代码。

因为固定的存储器映像，代码区始终从地址0x0000 0000开始(通过ICode和DCode总线访问)，而数据区**(SRAM)**始终从地址0x2000 0000开始(通过系统总线访问)。Cortex-M3的CPU始终从ICode总线获取复位向量，即启动仅适合于从代码区开始(典型地从Flash启动)。STM32F10xxx微控制器实现了一个特殊的机制，系统可以不仅仅从Flash存储器或系统存储器启动，还可以从内置SRAM启动。

根据选定的启动模式，主闪存存储器、系统存储器或SRAM可以按照以下方式访问：

从主闪存存储器启动：主闪存存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，但仍然能够在它原有的地址(0x0800 0000)访问它，即闪存存储器的内容可以在两个地址区域访问，0x0000 0000或0x0800 0000。
从系统存储器启动：系统存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，但仍然能够在它原有的地址(互联型产品原有地址为0x1FFF B000，其它产品原有地址为0x1FFF F000)访问它。
从内置SRAM启动：只能在0x2000 0000开始的地址区访问SRAM。

注意：当从内置SRAM启动，在应用程序的初始化代码中，必须使用NVIC的异常表和偏移寄存器，从新映射向量表之SRAM中。

以上皆来源《STM32F10xxx参考手册》–2.4启动配置章节

二、内置SRAM简介

一般情况下，我们在MDK 中编写工程应用后，调试时都是把程序下载到芯片的内部FLASH 运行测试的，代码的CODE 及RW-data 的内容被写入到内部FLASH中存储。但在某些应用场合下却不希望或不能修改内部FLASH 的内容，这时就可以使用RAM 调试功能了，它的本质是把原来存储在内部FLASH 的代码(CODE 及RW-data 的内容)改为存储到SRAM中(内部SRAM或外部SDRAM均可)，芯片复位后从SRAM中加载代码并运行。

STM32F10xxx内置64K字节的静态SRAM。它可以以字节、半字(16位)或全字(32位)访问。SRAM的起始地址是0x2000 0000。

把代码下载到RAM中调试有如下优点：

下载程序非常快。RAM 存储器的写入速度比在内部FLASH 中要快得多，且没有擦除过程，因此在RAM上调试程序时程序几乎是秒下的，对于需要频繁改动代码的调试过程，能节约很多时间，省去了烦人的擦除与写入FLASH 过程。另外，STM32 的内部FLASH 可擦除次数为1 万次，虽然一般的调试过程都不会擦除这么多次导致FLASH 失效，但这确实也是一个考虑使用RAM的因素。
不改写内部FLASH 的原有程序。
对于内部FLASH 被锁定的芯片，可以把解锁程序下载到RAM上，进行解锁。

相对地，把代码下载到RAM中调试有如下缺点：

存储在RAM上的程序掉电后会丢失，不能像FLASH 那样保存。
若使用STM32 的内部SRAM 存储程序，程序的执行速度与在FLASH 上执行速度无异，但SRAM空间较小。
若使用外部扩展的SRAM 存储程序，程序空间非常大，但STM32读取外部SRAM 的速度比读取内部FLASH 慢，这会导致程序总执行时间增加，因此在外部SRAM中调试的程序无法完美仿真在内部FLASH 运行时的环境。另外，由于STM32 无法直接从外部SRAM中启动且应用程序复制到外部SRAM的过程比较复杂(下载程序前需要使STM32 能正常控制外部SRAM)，所以在很少会在STM32 的外部SRAM中调试程序。

具体介绍请参考学习《零死角玩转STM32——F103指南者》第44章在SRAM中调试代码

三、例程验证

具体实验步骤参考《零死角玩转STM32——F103指南者》44.4实验：在内部SRAM 中调试

此博客将介绍的是串口下载的SRAM的步骤，且在实验最后并没有完美呈现出串口输出地址，也可以说是失败案例。如想直接通过串口成功读出代码地址请阅读**《零死角玩转STM32——F103指南者》44.4实验：在内部SRAM 中调试**

3.1 硬件设置

将跳线设置为BOOT[1:1]
在这里插入图片描述

3.2 创建工程调试版本

在这里插入图片描述

3.3 配置分散加载文件

在这里插入图片描述

新建SRAM-test.srt文件并进行添加路径，编写内容代码：

; *************************************************************
; *** Scatter-Loading Description File generated by uVision ***
; *************************************************************

LR_IROM1 0x08000000 0x00080000  {    ; load region size_region
  ER_IROM1 0x08000000 0x00080000  {  ; load address = execution address
   *.o (RESET, +First)
   *(InRoot$$Sections)
   .ANY (+RO)
   .ANY (+XO)
  }
  RW_IRAM1 0x20000000 0x00010000  {  ; RW data
   .ANY (+RW +ZI)
  }
}

3.5 配置中断向量表

system_stm32f10x.c文件中配置SystemInit 函数

代码如下：

void SystemInit (void)
{
 /* ..其它代码部分省略 */
 
/* 配置向量表添加的偏移地址 ----*/

#ifdef VECT_TAB_SRAM
  SCB->VTOR = SRAM_BASE | VECT_TAB_OFFSET; /* Vector Table Relocation in Internal SRAM. */
#else
  SCB->VTOR = FLASH_BASE | VECT_TAB_OFFSET; /* Vector Table Relocation in Internal FLASH. */
#endif 
}