AutosarMCAL开发——基于EB FLS驱动

1. FLS原理

• 术语解释：
  FLS（Flash Layer Service）：FLS模块是Flash的驱动，负责执行具体的Flash擦写、读取等操作。它直接与Flash硬件交互，为上层应用提供对Flash存储的访问接口。
  FEE（Flash EEPROM Emulation）：FEE模块的全称是Flash EEPROM Emulation，即Flash模拟EEPROM。它的主要目的是通过算法实现Flash块的交替擦写，以延长Flash的寿命，并解决Flash擦写寿命相对较短的问题。

flash操作中有两个术语: block和page。
block：是flash最小的擦除单位,
page：则是flash写入的最小单位。

• Autosar中两者的层级关系
  
  其中，CDD可以直接调用FEE模块以对Dflash进行读写操作

• Flash以及EEPROM原理
  1.读不消耗储存器寿命，擦写消耗储存器寿命
  2.失效时表现为擦除不干净、读取不了解结果
  3.FLash:读写以页为最小单位，擦除以块为最小单位；EEPROM读写以字节为最小单位,擦除以页为最小单位；
  4.对储存器执行写1的操作需要先擦除

链接: NAND FLASH擦写原理

链接: EEPROM工作原理

Flash与EEPROM的储存结构：

由于EEPROM存储结构中添加了选通管，因此提高了操作精度，但是也牺牲空间，难以集成，所以EEPROM体积较大，容量较小；Flash使用3D堆叠技术可以做到容量极大，体积极小；

读取：
Flash存储器是一种非易失性存储器，其读取原理主要基于电荷捕获技术。具体来说，Flash存储器的基本单元是一个带浮栅的MOS管。
在读取数据时，Flash存储器通过施加一个较低的电压到控制栅极，这个电压不足以改变浮栅中的电荷状态，但足以使MOS管根据浮栅中的电荷状态（即数据位）而导通或截止。通过检测MOS管的导通状态，Flash存储器可以读取存储在其中的数据。

擦除（0——>1）：

写入（1——>0）：

2. EB配置以及接口应用

EB配置步骤：
1.FlsConfigSet
2.FlsGeneral
3.Sector

1.FlsConfigSet:

其中FlsCallCycle参数为执行最大超时时间；
2.FlsGeneral:

3.Sector:

接口应用步骤：
1.Fls_17_Dmu_Init(&Fls_17_Dmu_Config); 初始化Fls
2.Fls_17_Dmu_MainFunction(); 将Fls主函数放置对应的线程
3.Fls_17_Dmu_Erase()擦除函数接口 Fls_17_Dmu_Write()写函数接口 Fls_17_Dmu_Read()读取函数接口

接口名	传入参数	说明	返回参数	说明
Fls_17_Dmu_Init()	ConfigPtr	EB生成配置指针	void	-
Fls_17_Dmu_Erase()	uint32 TargetAddressconst; uint32 Length	操作目标地址（基于0xaf000000偏移）；操作长度	Std_ReturnType	执行状态 （0 ok ；1 not ok）
Fls_17_Dmu_Write()	uint32 TargetAddress;uint8 *SourceAddressPtr;uint32 Length	操作目标地址（基于0xaf000000偏移）;待写数据buffer指针；操作长度	同上	同上
Fls_17_Dmu_Read()	uint32 SourceAddress；uint8 *TargetAddressPtr；uint32 Length	操作源地址（基于0xaf000000偏移）；待读取苏剧buffer指正；操作长度	同上	同上
Fls_17_Dmu_GetStatus()	void	-	MemIf_StatusType	同步返回驱动当前状态
Fls_17_Dmu_GetJobResult()	void	-	MemIf_JobResultType	上一次作业结果

3.总结

本文为博主个人学习总结记录，如有不正，欢迎指正