qq_45583706的博客

这里将会列出对应MCU支持的所有CoreEB只负责生成对应外设初始化配置，这里分核的意义在于将不同外设放在不同进行初始化，后续操作核也尽可能保持一致。部分外设既需要在设定核初始化也需要在主核初始化，例如TC3xx的adc外设，取决于MCAL SDK包设定。TC3xx EB存在BUG，PWM模块必须分配一个资源在Core0，否则将不生成Config结构体本文为博主个人理解总结记录，如有不正，欢迎指正。

Autosar标准文件中提及的API共有5个，接口名传入参数说明返回参数函数功能ConfigPtr：Wdg配置指针，参数来自于EB生成代码voidWdg初始化ConfigPtr:Wdg配置指针Wdg初始化检查Wdg切换模式，需开启对应配置timeout:设置定时触发器计数（单位ms）void喂狗并重新设定计数值Wdg版本信息本文为博主个人学习总结记录，如有不正，欢迎指正。

本文为博主个人学习总结记录，如有不正，欢迎指正。

本文为博主个人学习总结记录，如有不正，欢迎指正。

本文为博主个人理解总结记录，如有不正，欢迎指正。

本文为博主个人理解总结记录，如有不正，欢迎指正。

本文为博主个人理解总结记录，如有不正，欢迎指正。

本文为博主个人理解总结记录，如有不正，欢迎指正。

本文为博主个人理解总结记录，如有不正，欢迎指正。

本文为博主个人理解总结记录，如有不正，欢迎指正。

本文为博主个人学习总结记录，如有不正，欢迎指正。

本文为博主个人理解总结记录，如有不正，欢迎指正。

本文为博主个人理解总结记录，如有不正，欢迎指正。

本文为博主个人理解总结记录，如有不正，欢迎指正。

下图为开漏输出与推挽输出电路区别，推挽输出有两个极性相反的mos构成，一个管子导通另一个管子关闭以实现输出高低电平（电流较小不具备驱动能力），开漏输出仅使用一个MOS管，所以在这种模式下只能输出低电平，想要输出高电平需要外部提供（输入电流不可超过引脚最大电流显示否则会烧MCU）开漏输出：输出寄存器为低电平时，经过输出控制电路变成一个高电平，N-MOS导通，低电平从I/O引脚输出，输出寄存器为高电平时，P-MOS和N-MOS都是截止状态，电平无法通过，想要输出高电平需要外接上拉电阻。