AutosarMCAL开发——基于EB FEE驱动

1. FEE原理

在Fls解析文章中介绍了Flash与EEPROM储存器的区别，本文将介绍FEE具体实现原理。
FEE模块，全称Flash EEPROM Emulation Module，旨在使用Flash模拟EEPROM以增加使用寿命。
术语解释
page:Flash最小读写单元，TC3xx系列一般为8byte
logic Section（Block）：由若干个page组成的块，Flash擦除的最小单位，TC3xx系列一般为2K或4K
Physical Section（Bank）：由若干个块组成的单元，自定义大小
DFlash：若干个Bank组成整个DFLASH储存器
其关系如下图所示

• Flash模拟EEPROM
  Flash与EEPROM的主要区别在于EEPROM支持按字节读写，但是Flash最小只能按页读写，这在硬件上已经确定了。那为什么还要说模拟EEPROM呢，我的理解是模拟的EEPROM实际上是模拟EEPROM做内存管理机制，以提高储存空间的使用率以及寿命。为了实现上述目标，衍生处理以下两个机制
  1.数据块标识机制：牺牲部分logic Section中的空间用于标识数据状态，以便进行数据管理
  
  其中，每次向logic Section（Block）中存储数据段时，并不会覆盖之前的数据，因为对于已有数据的内存块写数据需要先擦除。旧数据与新数据均保留在同一个logic Section（Block）中，为了避免混淆，对每个数据段都做标识旧数据设置为Invaild新数据设置为Vaild，读取只读取Vaild数据，这样就只剩下一个问题，那就是如何清除旧数据。

链接: 如何将Flash模拟成EEPROM （EEPROM Emulation）
2.换页机制（GC）：
换页机制的目的有两个，1.保证总能由新的块以供使用 2.清楚多余旧数据

其步骤为：
1.将写满数据的的扇区copy至新的扇区，只copy标记为Vaild的数据段；
2.将旧扇区整块擦除
3.如此循环往复

至此，原来我们想要修改储存在flash中的某个数据段需要将整个块擦除在写入新数据，费事且会造成部分块频繁擦写提前损坏；而采用FEE则解决了上述问题，极大延长了Flash的使用寿命。

2.EB配置以及接口应用

EB配置步骤
1.通过Fls配置扇区
2.FEE设置
2.FEE配置数据块信息

1.通过Fls配置扇区


2.FEE设置

2.FEE配置数据块信息

接口函数调用步骤
1.Fee_MainFunction();将FEEmainfunc放置所需task
2. Fee_Write( );Fee_Read(）；Fee_GetStatus();Fee_GetJobResult();

接口名	传入参数	说明	返回参数	说明
Fee_Write( )	uint16 BlockNumber；uint8 * DataBufferPtr	FEE block id；待写入数据buffer指针	Std_ReturnType	执行状态 （0 ok ；1 not ok）
Fee_Read(）	uint16 BlockNumber；uint16 BlockOffset；uint8 * DataBufferPtr；uint16 Length	FEE block id；读取数据偏移值；读取数据buffer指针；数据长度	Std_ReturnType	执行状态 （0 ok ；1 not ok）

3.总结

本文为博主个人学习总结记录，如有不正，欢迎指正