1.1 LTSPICE 仿真 50nm 晶体管的 IV 曲线
选择模型:选择cmosedu_models自带的N_50n 50nm晶体管
方法:使用直流扫描,对vds,vgs同时扫描 范围都为0-1v,间隔为0.1(vds也可不选择间隔)
模型图
选择run运行,将表笔放在d段,当表笔出现黑色时查看d端的电流。
获得如图所示的nmos i-v曲线横轴为vds,纵轴为id,不同曲线代表不同的vgs下的id-vds曲线(默认背景色为黑色,选择在tools中的color preference 更改背景颜色)
1.2 LTSPICE 仿真 50nm 晶体管的 C-V 曲线
加一个小的交流信号在栅极,根据公式C=1/(Xw),X=1/im(I(V1)),w=2PIF,则可获得栅极电容。
模型选择: 选择cmosedu_models自带的N_50n 50nm晶体管
方法选择:交流分析 从10hz到10M hz定义vgs为一个量(param),并进行扫描(.step),
用meas定义cgs量
运行:点击run运行,在view中查看spice error log,找到定义的cgs量,右键选择plot
此时横轴为vgs,竖轴单位为db,右键竖轴修改为linear
则可得到合适的c-v曲线
可以看出在VGS接近VT时,栅电容下降,截止区和电阻区的电容大致相当且为直线