【spice】mos器件的特征曲线Ltspice仿真实验【开始学Ltspice 01】

本文记录了使用Ltspice进行MOS管输出特性和转移特性的仿真步骤。首先介绍了如何新建电路图,设置电压源,并进行DCSweep操作。实验1展示了如何观察输出特性,实验2则展示了转移特性。作者还解答了在实验过程中遇到的问题,如如何添加曲线和自定义MOS模型。此外,文章提到了实际应用中MOS管模型的建立和使用。

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目录

实验步骤

实验1:看输出特性:

实验2:看转移特性:

同时看

实验问题


20221231

最近需要学习Ltspice,所以记录下学习过程。

建议先简单学习下Ltspice基本操作

前人写的已经很棒了给电路初学者的 LTspice操作入门教程 Step by Step - 知乎 (zhihu.com)

实验步骤

新建一个文件,点击Component

新建一个nmos4

再次点击component,选择两个Voltage,作为栅极与漏极电压源。放置地,并如图连线。

快捷键空格键,电路图一键居中;快捷键F5,可删除各类符号。跑步小人是Run。

鼠标右键点击电压源名字V1 V2,改名VGS、VDS

点击Run,设置DC Sweep。

  • 实验1:看输出特性

先设置VGS,linear扫,从0V到5V,中间间隔1V,共6组电压;

设置VDS, linear扫,从0V到6V,间隔可不填,程序自动生成较平滑曲线。

设置完点击ok,并Run(先设置1st Source为VDS,默认IdVd曲线,不同VGS输出多个IdVd曲线)

 实验结果:鼠标在下图箭头处,左键点击漏端测电流,直接出现绘图结果:

  • 实验2:看转移特性:

先设置VDS 间隔1V,后设置VGS,间隔不填;同上述

.dc VGS 0 5 VDS 0 6 1

设置完点击ok(先设置1st Source为VGS,默认IdVg曲线,不同VGS输出多个IdVg曲线)

  • 同时看

没发现怎么同时看,毕竟要设置Increment。

  • 实验问题

1. 测转移时,没法看输出曲线

答:正常

实验2中:右键点击绘图区,点击Add Traces。添加I(Vds)或者Id,和Vgs。可绘制转移曲线。此处确实无法选择Vds数据。

2. 我不想用默认的mos,能自行设置吗

可以。右键点击电路符号,进入设置

改完,Run一下,确实跟之前默认的电流不一样了。

 3. 这种mos现实能用吗,此仿真无意义

本人小白,此处介绍本人学习过程中的测试MOS的操作。

具体现实的标准MOS,往往先通过实际MOS管的测试得到数据后(可用工艺参数,也见过直接用实验数据的),经过提取spice model,再导入到spice软件中作为一个model使用。如果你是做材料器件方向,想仿真自己的器件,需要自行建立spice model。以后本人学到那一步再分享吧。

此外,各生产MOS管的厂商也有相应型号的spec及参数,甚至spice model,因此找到你所需要的器件,下载其spice model再使用是最方便的。

如说的有错,请各位大佬不吝赐教!

PS:CSND富文本太难用了

### 使用LTspice进行MOS仿真 #### 导入并设置NMOS模型 为了在LTspice中模拟MOSFET的行为,可以利用内置的`nmos4`元件作为起点。具体操作如下: 1. 打开电路图编辑器,在组件列表里找到并放置默认的四端口增强型N沟道场效应晶体管(即`nmos4`)。这一步骤简化了创建自定义参数的过程[^1]。 2. 右键点击已放置于工作区内的`nmos4`图标来修改其属性;在此处可调整诸如阈值电压Vth、跨导gm等电气特性以匹配特定类型的MOSFET器件需求。 3. 如果需要更精确地表示实际产品,则可以从制造商网站获取SPICE模型文件(.lib),并通过指定路径让软件识别这些外部库中的数据[^2]。 #### 设置激励源与测量节点 对于任何有效的仿真而言,合理配置输入信号至关重要。针对MOSFET测试通常会涉及到栅极驱动脉冲以及漏源间施加直流偏置或交流扫描两种情况之一: - **静态IV曲线绘制**:通过改变IDS上的DC Sweep范围观察ID-VDS关系变化趋势。 - **动态响应分析**:应用周期性的方波至Gate端子上,记录瞬态过程下的输出行为特征。 ```plaintext * Example of setting up a simple NMOS testbench in LTSpice .model nmos4 NMOS Vto=0.7 Kp=80u Lambda=0.05 Cbd=1pf Cbs=1pf Vgs 1 0 PWL(0ms 0V 1us 5V 2us 0V) Vs 2 0 DC 0V Vds 3 0 DC 5V M1 3 1 0 0 nmos4 L=1u W=10u .tran 1ns 10us .plot tran v(3,0) i(Vds) .end ``` 此脚本展示了如何构建一个基本的NMOS开关实验平台,并设置了相应的控制命令用于生成图形化结果。 #### 运行仿真并查看结果 完成上述准备工作之后就可以执行仿真流程了。运行完成后,可以通过Waveform Viewer窗口直观地浏览各个关键点位的变化轨迹,比如栅压相对于时间的发展状况或是流经负载电阻Rd的电流强度随不同条件演变的情形。
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