模拟电子技术基础笔记（4）——晶体三极管

最新推荐文章于 2024-08-11 23:46:27 发布

欲读万卷书，不入愚昧途

最新推荐文章于 2024-08-11 23:46:27 发布

阅读量2.5k

点赞数 4

分类专栏：模拟电子技术基础笔记文章标签：硬件工程学习

本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_45589295/article/details/123893590

版权

模拟电子技术基础笔记专栏收录该内容

4 篇文章 9 订阅

订阅专栏

晶体管的结构和符号

孔的作用：散热或便于安装散热器。

晶体管有三个极、三个区、两个PN结。发射区的多子浓度高；基区的多子浓度很低，且很薄；集电区面积大。

发射结箭头的方向代表发射结正偏电流的方向。

晶体管的放大原理

放大的条件： $\large u_{BE}> U_{on}$ （发射结正偏）； $\large u_{CB}\geq 0$ ，即 $\large u_{CE}\geq u_{BE}$ （集电结反偏）。

因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区（ $\large I_{EN}$ ，发射结正偏，加剧扩散运动）。因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合（ $\large I_{BN}$ ）。因集电区面积大，大部分从发射区扩散到基区的电子在外电场作用下漂移到集电区，被集电极收集形成集电极电子电流（ $\large I_{CN}$ ，集电结反偏，加剧漂移运动）。

主流部分：扩散运动形成发射极电流 $\large I_{E}$ ，复合运动形成基极电流 $\large I_{B}$ ，漂移运动形成集电极电流 $\large I_{C}$ 。

支流部分：基区的空穴向发射区扩散，形成空穴电流 $\large I_{EP}$ 。漂移运动是双向的，集电结少数载流子（集电区少子——空穴、基区少子——自由电子）因扩散运动形成了集电结的反向饱和电流 $\large I_{CBO}$ 。

电流分配： $\large I_{E}= I_{B}+I_{C}$

$\large I_{EN}=I_{BN}+I_{CN}$

$\large I_{E}=I_{EN}+I_{EP}$

$\large I_{C}=I_{CN}+I_{CBO}$

$\large I_{B}=I_{BN}+I_{EP}-I_{CBO}$

直流电流放大系数： $\large \overline{\beta }=\frac{I_{C}}{I_{B}}$

交流电流放大系数： $\large \beta =\frac{\Delta i_{C}}{\Delta i_{B}}$

集电结反向电流： $\large I_{CBO}$

穿透电流： $\large I_{CEO}=(1+\overline{\beta })I_{CBO}$ （基极开路，此时仍有发射结正偏，集电结反偏，穿透电流的大小与集电结单向导电性的性能好坏有关，是衡量三极管质量的一个重要参数）

晶体管的共射输入特性和输出特性

1、输入特性

$\large i_{B}=f(u_{BE})|_{U_{CE}}$

$\large U_{CE}=0$ ，集电极和发射极之间短路，此时晶体管等效于一个PN结，所以输入特性像PN结的伏安特性。

$\large U_{CE}$ 增大，集电结收集电子的能力增强，若想要 $\large I_{B}$ 保持不变，则发射结需要发射更多的电子，即 $\large U_{BE}$ 要增大。

$\large U_{CE}$ 增大到一定程度，集电结收集电子的数目增大的不明显，从外部看， $\large U_{CE}$ 增大到一定值，曲线右移就不明显了。因此，对于小功率晶体管， $\large U_{CE}$ 大于1V的一条输入特性曲线可以取代 $\large U_{CE}$ 大于1V的所有输入特性曲线。

2、输出特性

$\large i_{C}=f(u_{CE})|_{I_{B}}$

$\large \beta =\frac{\Delta i_{C}}{\Delta i_{B}}|_{U_{CE}}$ ，不是常数，当 $\large i_{C}$ 特别小或特别大时， $\large \beta$ 会减小。

理想晶体管：没有穿透电流， $\large \beta$ 处处相等，此时 $\large \beta =\overline{\beta }$ 。

3、晶体管的三个工作区域

b、e之间的电压，判断晶体管是导通还是截止；导通后，还要判断是放大还是饱和。饱和还是放大，从两个角度去判断： $\large i_{C}$ 与 $\large i_{B}$ 之间的关系， $\large i_{B}$ 是否大于 $\large I_{BS}$ （使得晶体管刚饱和时注入到基极的电流），如果是放大，则 $\large i_{C}=\beta i_{B}$ ；从管压降的角度，当 $\large u_{BE}< U_{on}$ ，晶体管截止，放大时，发射结正偏，集电结反偏，c点的电位>b点的电位>e点的电位，当c点的电位=b点的电位，称此时的晶体管处于临界放大状态或临界饱和状态，如果c点的电位<b点的电位，则晶体管饱和。当集电结零偏，则晶体管进入饱和区。

状态	$\large u_{BE}$	$\large i_{C}$	$\large u_{CE}$
截止	$\large < U_{on}$	$\large I_{CEO}$	$\large V_{CC}$
放大	$\large \geq U_{on}$	$\large \beta i_{B}$	$\large \geq u_{BE}$
饱和	$\large \geq U_{on}$	$\large < \beta i_{B}$	$\large \leq u_{BE}$

晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 $\large i_{C}$ 几乎仅仅决定于输入回路的电流 $\large i_{B}$ ，即可将输出回路等效为电流 $\large i_{B}$ 控制的电流源 $\large i_{C}$ 。

温度对晶体管特性的影响

T（℃）升高——>载流子更活泼， $\large I_{CEO}$ 、 $\large I_{CBO}$ 增大， $\large \beta$ 增大——> $\large u_{BE}$ 不变时 $\large i_{B}$ 增大，即 $\large i_{B}$ 不变时 $\large u_{BE}$ 减小

温度升高，导致集电极的电流增大。

主要参数

直流参数： $\large I_{CBO}$ 、 $\large I_{CEO}$ 、 $\large \overline{\beta }$ 、 $\large \overline{\alpha }=I_{C}/I_{E}=\overline{\beta }/(1+\overline{\beta })$

交流参数： $\large f_{T}$ （ $\large \beta$ 随着频率增加而下降，使 $\large \beta =1$ 的信号频率）、 $\large \beta$ 、 $\large \alpha =\Delta i_{C}/\Delta i_{E}=\beta /(1+\beta )$

极限参数： $\large I_{CM}$ （最大集电极电流，当集电极电流增大到一定程度时， $\large \beta$ 就要下降，当 $\large \beta$ 值下降到线性放大区 $\large \beta$ 值的2/3时对应的最大集电极电流；当 $\large I_{C}> I_{CM}$ 时，并不代表三极管会损坏，只是管子的放大倍数降低）、

$\large P_{CM}\approx i_{C}u_{CE}$ （最大集电极耗散功率，发射结正偏，呈低阻，因而功耗主要集中在集电结上，计算时往往用 $\large u_{CE}$ 取代 $\large u_{CB}$ ）、

反向击穿电压（最大反向电压）：O代表Open，表示开路；S代表Short，表示短路；R代表Resistance，表示电阻。 $\large U_{CBO,B}> U_{CEO,B}> U_{EBO,B}$ ， $\large U_{CBO,B}\approx U_{CES,B}> U_{CER,B}> U_{CEO,B}> U_{EBO,B}$