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晶体管的结构和符号
孔的作用:散热或便于安装散热器。
晶体管有三个极、三个区、两个PN结。发射区的多子浓度高;基区的多子浓度很低,且很薄;集电区面积大。
发射结箭头的方向代表发射结正偏电流的方向。
晶体管的放大原理
放大的条件:(发射结正偏);
,即
(集电结反偏)。
因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区(,发射结正偏,加剧扩散运动)。因基区薄且多子浓度低,使极少数扩散到基区的电子与空穴复合(
)。因集电区面积大,大部分从发射区扩散到基区的电子在外电场作用下漂移到集电区,被集电极收集形成集电极电子电流(
,集电结反偏,加剧漂移运动)。
主流部分:扩散运动形成发射极电流,复合运动形成基极电流
,漂移运动形成集电极电流
。
支流部分:基区的空穴向发射区扩散,形成空穴电流。漂移运动是双向的,集电结少数载流子(集电区少子——空穴、基区少子——自由电子)因扩散运动形成了集电结的反向饱和电流
。
电流分配:
直流电流放大系数:
交流电流放大系数:
集电结反向电流:
穿透电流:(基极开路,此时仍有发射结正偏,集电结反偏,穿透电流的大小与集电结单向导电性的性能好坏有关,是衡量三极管质量的一个重要参数)
晶体管的共射输入特性和输出特性
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/169cabff1d5ce4bb880792dd9bd3ad93.jpeg)
1、输入特性
,集电极和发射极之间短路,此时晶体管等效于一个PN结,所以输入特性像PN结的伏安特性。
增大,集电结收集电子的能力增强,若想要
保持不变,则发射结需要发射更多的电子,即
要增大。
增大到一定程度,集电结收集电子的数目增大的不明显,从外部看,
增大到一定值,曲线右移就不明显了。因此,对于小功率晶体管,
大于1V的一条输入特性曲线可以取代
大于1V的所有输入特性曲线。
2、输出特性
,不是常数,当
特别小或特别大时,
会减小。
理想晶体管:没有穿透电流,处处相等,此时
。
3、晶体管的三个工作区域
b、e之间的电压,判断晶体管是导通还是截止;导通后,还要判断是放大还是饱和。饱和还是放大,从两个角度去判断:与
之间的关系,
是否大于
(使得晶体管刚饱和时注入到基极的电流),如果是放大,则
;从管压降的角度,当
,晶体管截止,放大时,发射结正偏,集电结反偏,c点的电位>b点的电位>e点的电位,当c点的电位=b点的电位,称此时的晶体管处于临界放大状态或临界饱和状态,如果c点的电位<b点的电位,则晶体管饱和。当集电结零偏,则晶体管进入饱和区。
状态 | |||
截止 | |||
放大 | |||
饱和 |
晶体管工作在放大状态时,输出回路的电流几乎仅仅决定于输入回路的电流
,即可将输出回路等效为电流
控制的电流源
。
温度对晶体管特性的影响
T(℃)升高——>载流子更活泼,、
增大,
增大——>
不变时
增大,即
不变时
减小
温度升高,导致集电极的电流增大。
主要参数
直流参数:、
、
、
交流参数:(
随着频率增加而下降,使
的信号频率)、
、
极限参数:(最大集电极电流,当集电极电流增大到一定程度时,
就要下降,当
值下降到线性放大区
值的2/3时对应的最大集电极电流;当
时,并不代表三极管会损坏,只是管子的放大倍数降低)、
(最大集电极耗散功率,发射结正偏,呈低阻,因而功耗主要集中在集电结上,计算时往往用
取代
)、
反向击穿电压(最大反向电压):O代表Open,表示开路;S代表Short,表示短路;R代表Resistance,表示电阻。,
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