最近看了一些书,一时兴起,想做些IGBT的驱动的探讨,有不对的,欢迎探讨。
大家都知道对于电力电子行业,基本都是通过弱电控制强电的,从而实现我们的应用。必要的强弱电之间都要实现电气隔离,IGBT的驱动也一样。
IGBT需要隔离的控制信号包括开通、关断信号,有时候还有反馈信号;这些传输路径隔离一般分电隔离和非电隔离。对于一些中低压的应用,电平位移芯片和光电耦合驱动芯片较多;再高压的应用多用磁隔离、光学式信号。
总得说常用的隔离有:电平转换器、光电耦合器、脉冲变压器、无铁芯变压器、电容耦合器和光纤。
首先说下电平转换器
这种基本在消费类产品较多,电压比较低(Vces低于600V),通过一个集成电路实现输入输出的隔离。
但其实应用时,电平转换器的输入输出未实现隔离,而是在用户侧实现控制器的隔离。比如下图是一个电平转换器的原理。
当控制器控制S2开时,IGBT门级加了一个+15V的电压,IGBT开通;S1开时,门级电压变成0,IGBT关断。(这里可以看出,电平转换是没办法提供能量的,开通IGBT还是要有一个额外的隔离电源)
另外在IGBT开关时,输出侧由于寄生电感的存在,会产生一个负电压的瞬变,从而导致集成芯片的损坏,这是单片电平转换器的缺点之一。如下图,
一般而言,没有自锁结构的单片转换器,内部电路承受电压也就-0.3V静电电压或者-5V的瞬变电压,这也是器件损坏的原因。但是后面SOI(绝缘硅)技术的应用将内部电路的反向耐压提高到了-100V。
为了保证共地,上图的GND和GNDL接在一块儿,但是这样会产生不必要的耦合。为了消除这个耦合,于是下桥驱动也采用了一个电平转换器;实际应用中还会加一个分流电阻,这个是因为电路中的寄生电感和电阻,GND和GNDL之间会有一定的压差,这个电阻可以将这部分能量消耗掉。
下面放一个英飞凌的用了电平转换芯片的IGBT驱动芯片
这个可以驱动三相桥式电路,可以看出六个管子都采用了电平转换器,下桥共用一个驱动电源。
后面再说其他信号传输的驱动方案。