之前写了几篇关于IGBT的信号传输的方式,那么信号传到二次侧再到IGBT栅级这段就是栅级驱动器。他其实是一个放大器,通过提高电压和电流来放大控制信号,从而控制使IGBT开通和关断。栅级驱动器的主要作用是对IGBT的输入和反向传输电容充放电。
栅级驱动器其实除了简单的开通和关断还有其他作用,这篇只是讲述了这个基本电路。
现在,几乎IGBT驱动器都是基于电压源。跟电流源相比,它优势一个是控制相对简单,一个是其功率损耗在栅级电阻上,不是在驱动中的电流源。电压性的驱动基本电路如下:控制开关器件动作施加不同电压到IGBT栅-射级上,使Cge充放电设计时我们还要考虑很多因素,下图的栅级电感Lge只是一个点。
那么驱动器也有很多种形式,有机会一一分享
H桥电路
如下图,我们提供一个正电源,同时给T2、T3管开通,那么+16V电源就加到栅级-发射极上,IGBT就会导通;在同时给T1、T4管开通时,有一个-16V电源加到栅级-发射极上,IGBT就会关断。
这种电路好处是只需要提供一个电源,但是需要四个管子来控制IGBT开通和关断,控制较为复杂;
栅级路径中的射极跟随器
如下图,要两个电源,正电源开通,负电源关断;射极跟随器的电路是由一个NPN和PNP的三极管组成;开通关断由Uin控制,当Uin>Uout时,VT1的开通,那么Ucc(正电源)就加到IGBT栅级上,IGBT开通;同样的Uin低电平,VT2开通时,Uee(负电源)就加到IGBT栅级上,IGBT关断;
为了开通时Uout达到IGBT推荐的电压值15V,那么Uin电压至少15.7V,同样的,关断时一般Uin要-10V左右。
这里两个三极管也可以作为电流放大器为驱动电路提供能量;如果后端驱动电流不够,可以并管或者再二级推挽放大都可以。另外IGBT驱动的开关频率还是蛮高的,那么图中充放电的电容选择也是蛮重要的,一般选择单独的瓷片电容或者并一个瓷片电容,不会单独用电解电容。
发射极路径中的射极跟随器
如下图,栅级路径和发射极路径上的电路拓扑基本相同,不同的就是一个接在栅级,一个接在发射极。
VT2开通,Uee给IGBT充电,IGBT开通;VT1开通,IGBT放电给Ucc,IGBT关断。所以这里Uee变成了开通电压,由于GND连的栅级,所以Uee幅值电压就要达到15V,而Ucc幅值也做了相反。
这样GND接到栅级的驱动可以阻止弥勒电容和发射极电感引起的IGBT误导通;但是这种电路实际用的不太多,更多的还是把驱动电阻放到栅级上。