IGBT驱动～栅级驱动器3

IGBT栅极升压/加强（控流）、栅极驱动器的设计

IGBT栅极升压/加强（控流）

电流源

IGBT的开通关断取决于栅极的电荷，表现是栅极的电压；电荷的充放电时间或者门极充电电流的大小，就决定了IGBT开通关断速度。充电电流的大小取决于栅极电阻和栅极驱动电压。

首先，开通阶段，IGBT的栅射极电压为0或者负电压（根据设计关断电压决定），并且充电电流的峰值只受栅极电阻和电感限制。

为了让IGBT快速开通，也就是快速达到阈值电压UGE(TO)。我们可以分级开通。思想是刚开始开通时，增大栅极电流，等IGBT栅极电压达到UGE(TO)后，减小栅极电流。事实上，可以选择一个很小的栅极电阻RGon,一旦达到UGE(TO)，立即增大RGon。

当然也可以直接控制电流，下图是一个电流源的驱动器；可以简单看下，开始时，内部做一个预升压（preboost）,将驱动电流最大化；当Vge达到0电压时，打开电流源（其实串入了一个Rs），保持一个适中的电流；在Vge达到弥勒电压时，内部关闭驱动电流的额外控制，保持VCC2接入。其实这种在开关过程中也间接地调整了栅极电阻。

这种确实可以控制开通的每个过程，对控制是有好处的，比如减小损耗，降低di/dt，Du/Dt；但是通用