IGBT-IGBT的规格书

撒西不离哒呐

于 2024-06-10 18:04:05 发布

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文章标签：单片机嵌入式硬件硬件工程驱动开发

版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_46552553/article/details/139577315

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本文详细解读了一款IGBT规格书，涵盖了器件的简要描述、电气特性、封装后模块的关键参数，包括IGBT的额定电压、最大驱动电压、饱和压降、门极电荷等，以及二极管的导通压降、恢复电荷等特性。内容还涉及模块的电气特性，如漏感、热阻等，并提供了详细的电气图和尺寸信息。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

此前一直看IGBT的驱动，也就是怎么用；后来发现有些东西还是理解不够；甚至有的参数都不确定是哪个值，于是网上找了个规格书，看下规格书里的参数。

简要描述

首先开头就表明了器件是半导体器件 IGBT，还有器件描述额定参数Vce1700V，Ic100A，两个封装在一块儿

然后就是应用描述，低损耗，短路电流承受能力强；应用在变频器和UPS了。

然后就是特性的定性描述了：低Vc(sat)并且正温度相关的,10us短路容量，最大结温175℃，低电感（值得内部回路杂感），反向并联二极管的快&软反向恢复，最后是采用DBC工艺分离铜基板技术。

典型应用场合：电机驱动逆变器，AC&DC伺服驱动器，UPS（不间断电源）

等效电气简图：两个串起来，半桥封装，对外七个端子

DataSheet

然后就是最关键的表格了：额定值，最大限值等（事先声明没有其他说明均是壳温Tc=25℃下测的）

IGBT

$V_{CES}$ :集电极-发射极阻断电压，1700V，也就是常说的IGBT额定电压，超过这个值使用有风险

$V_{GES}$ :栅极-发射极电压，±20V，这个标的应该是最大的驱动电压了，超过这个值就会有风险了

$I_{C}$ ：集电极电流，一般指的是最大连续集电极直流电流；这个做了特殊说明，壳温Tc=25℃，173A

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