MOSFET中的栅极与沟道的工作原理

在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中，栅极接触（Gate Contact）通过绝缘的二氧化硅（SiO2）层与沟道（Channel）分离开来。这种结构使得通过栅极施加的电压能够控制沟道中的电荷载流子，而不需要直接与沟道接触。

当正电压施加到n沟道MOSFET的栅极时，以下过程发生：

电荷载流子的感应与反向电荷的形成

1. 栅极电压产生的电场会对半导体材料中的多数载流子产生影响。

   • 在p型衬底的n沟道器件中，多数载流子为空穴（Holes）。
   • 电场会将这些空穴从二氧化硅界面排斥开，暴露出带负电荷的受体离子（Acceptor Ions）。
   • 这种过程被称为耗尽（Depletion）。

2. 如果继续增加栅极电压，电场的强度会进一步增强，开始从体硅中吸引自由电子（Free Electrons）到氧化硅界面。

   • 随着自由电子的累积，它们会在二氧化硅与硅的界面处形成一个反向电荷层（Inversion Charge）。
   • 当界面处的自由电子浓度与衬底中的掺杂浓度（Doping Concentration）相等时，我们称此时发生了强反转（Strong Inversion）。

表面类型的反转

• 在强反转状态下，p型衬底（对于n沟道MOSFET）在栅极下的半导体表面已经从p型有效地反转为n型。
• 对于p沟道MOSFET，情况类似，当施加负电压时，n型衬底的表面会从n型反转为p型。

反转层与电流流动

• 反转层中的电子（或p沟道MOSFET中的空穴）形成了一个导电沟道。
• 这个导电沟道允许电流在MOSFET的源极（Source）和漏极（Drain）之间流动。

总结

• MOSFET通过栅极电压控制导电沟道的形成，其核心是通过电场感应半导体中载流子的重新分布。
• 不同的栅极电压可以引发三种状态：
  • 耗尽（Depletion）：多数载流子被排斥。
  • 弱反转（Weak Inversion）：少数载流子开始累积，但未达到掺杂浓度。
  • 强反转（Strong Inversion）：反转层完全形成，导电沟道开始传导电流。
• 这种电压控制特性使MOSFET成为广泛应用的场效应晶体管，在数字电路和模拟电路中发挥了关键作用。