仿真电路如下,设置输入电压Ui为幅值是10V的正弦波,二极管D1为理想二极管;通过仿真得到Uo的波形;
理想二极管的设置语句如下,其中MyDiod是二极管的值,Ron是二极管的内阻,Roff是二极管的关闭电阻,Vfwd是导通电压,Vrev反向击穿电压;
.model MyDiode D(Ron=0.01 Roff=10Meg Vfwd=0V Vrev=40V)
瞬态分析仿真结果如下,当Ui大于5V时二极管导通
仿真电路如下,设置输入电压Ui为幅值是10V的正弦波,二极管D1为理想二极管;通过仿真得到Uo的波形;
理想二极管的设置语句如下,其中MyDiod是二极管的值,Ron是二极管的内阻,Roff是二极管的关闭电阻,Vfwd是导通电压,Vrev反向击穿电压;
.model MyDiode D(Ron=0.01 Roff=10Meg Vfwd=0V Vrev=40V)
瞬态分析仿真结果如下,当Ui大于5V时二极管导通