嵌入式硬件设计：MOS管

MOS管

一、认识MOSFET管

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。

场效应管分为两种，分别是金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和结型场效应管(JFET)。在开关电路、Boost电路、Buck电路等的应用中，应用MOSFET 管比较多。

MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET

二、MOS结构图

（图片来自电子发烧友论坛，如有侵权，联系本人）

G极：很好辨认
S极：不管是N沟道还是P沟道，两根线相交的就是S极
D极：不管是N沟道还是P沟道，都是单独引线的那边
N沟道：与S极相连的箭头朝里
P沟道：与S极相连的箭头朝外

三、寄生二极管

判断规则：
对于N沟道，由S极指向D极；
对于P沟道，由D极指向S极。

二极管：由于其独特的单向导电性，二极管可以想成电子版的逆止阀。

寄生二极管的由来：
是由生产工艺造成的，大功率MOS管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。
小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。模拟电路书里讲得就是小功率MOS管的结构，所以没有这个二极管。

但D极和衬底之间都存在寄生二极管，如果是单个晶体管，衬底当然接S极，因此自然在DS之间有二极管。
如果在IC里面，N—MOS衬底接最低的电压，P—MOS衬底接最高电压，不一定和S极相连，所以DS之间不一定有寄生二极管

寄生二极管的作用

当电路中产生很大的瞬间反向电流时，可以通过这个二极管导出来，不至于击穿这个MOS管。（起到保护MOS管的作用）

四、MOSFET的主要参数

场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：

1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。

2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。

3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。

4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS
。
6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM 。

五、MOSFET管器件选型

1、在电路设计中主要应用的是增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，这两种增强MOS管中比较常用的是NMOS，原因是NMOS的导通电阻小且容易制造

2、在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管，这个二极管叫做体二极管，在驱动感性负载时，这个二极管很重要，并且只在单个MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的

3、NMOS的特性：
大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到一定电压就可以了

4、PMOS特性：
小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）

5、虽然PMOS可以很方便的用于高端驱动，但由于其导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中通常还是使用NMOS

6、在高端驱动中使用NMOS时，一般源极会接一定电压值的电源，此时需要栅极驱动电压高于源极一定的数值