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原创 sentaurus里的sdvice代码

这个块定义了一个准静态仿真的参数。`InitialStep`、`MinStep` 和 `MaxStep` 分别定义了初始步长、最小步长和最大步长。`Goal` 定义了达到目标电压的条件，这里有两个目标：一个是漏极电压为6V，另一个是栅极电压为0V。这个块再次指定了耦合求解的物理方程，并添加了一个`CurrentPlot`块，它定义了在仿真过程中如何绘制电流随时间变化的曲线。`Time` 参数的`Range`指定了时间的范围（从0到1），`Intervals`指定了在这个范围内绘制曲线的点数。

2024-04-20 16:24:21 346

原创 sentaurus里的sdvice代码

这个命令是在求解Poisson方程的基础上，进一步耦合了电子的运输方程。这对于理解和分析半导体器件中的电子行为至关重要，比如在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）模拟中，电子的分布和流动是决定器件性能的关键因素。此外，为了获得准确的模拟结果，还需要对器件的物理模型有深入的理解，以及对Sentaurus软件的使用有一定的经验。总的来说，这些命令是Sentaurus TCAD软件中用于执行复杂半导体器件模拟的基础，它们使得用户能够模拟和分析器件在不同工作条件下的电学行为，从而优化器件设计和工艺流程。

2024-04-20 16:18:26 350

原创 sentaurus里的sde里的批量注释怎么用

在Sentaurus TCAD的SDE（Structure Editor）中，批量注释通常指的是对多行代码或命令进行注释，以便于在调试或者临时禁用某部分代码时使用。注意，如果`#`紧跟在Tcl语言的关键字后面，如`#set`、`#define`等，它不会被当作注释符号，除非前面有额外的`#`来明确表示注释。在搜索结果中提到了SDE中的注释方法，其中提到了使用`#if 0`和`#endif`来进行整段注释。1. 使用`#if 0`开始一个条件编译块，这表示后面的代码将被注释掉，因为条件为假（逻辑“0”）。

2024-04-18 18:57:23 170

原创 sentaurus学习资料之代码讲解（一）

`(/ Wsi NumberOfPointsXpo)`：这是在x方向上每个点之间的距离，`Wsi`是硅区域的宽度，`NumberOfPointsXpo`是x方向上的点数。- `(/ Hsi NumberOfPointsYpo)`：这是在y方向上每个点之间的距离，`Hsi`是硅区域的高度，`NumberOfPointsYpo`是y方向上的点数。- `"SiRef"`：细化区域的名称，与前面的`define-refinement-size`命令中的名称相匹配。- `"SiRef"`：这是细化区域的名称。

2024-04-18 13:22:55 567 1

原创 sentaurus学习笔记4.13（四）

"MaxLenInt"`是函数的类型，`"GaN"`和`"Nitride"`分别表示材料的名称，`0.0005`是材料界面的最大厚度，`1.8`是界面两侧材料的折射率差异。通过这些设置，用户可以确保在重要的物理区域（如掺杂浓度梯度大的区域和材料界面）有足够细致的网格，以提高仿真结果的准确性，同时在其他区域保持计算效率。`"DopingConcentration"`是函数的类型，`"MaxTransDiff"`是函数的具体名称，`1`是函数的参数，这里表示当掺杂浓度梯度超过预设阈值时，网格将自动细化。

2024-04-13 17:00:07 500

原创 sentaurus学习笔记4.13（三）

"Rectangle"`表示窗口的形状是一个矩形，`(position Xdrn Ytop 0)`和`(position Xmax Ycontact 0)`分别定义了矩形窗口的两个对角点，代表漏极接触区域的边界。这条命令将前面定义的常数掺杂剖面“Ohmic”放置在名为“Pl.ohmic.d”的参考评估窗口中，`0.002`是窗口的厚度，表示掺杂剖面在垂直于窗口平面的方向上的深度。这条命令将常数掺杂剖面“Ohmic”放置在名为“Pl.ohmic.s”的参考评估窗口中，同样地，`0.002`是窗口的厚度。

2024-04-13 16:46:41 464

原创 sentaurus学习笔记4.13（二）

这条命令再次使用`find-edge-id`函数查找一个特定位置的边的ID，该位置位于X轴为`Xmax`的位置，Y轴为`Ycontact`加上0.2的位置，Z轴为0。这条命令同样使用`find-edge-id`函数查找另一个特定位置的边的ID，该位置位于X轴为0的位置，Y轴为`Ycontact`加上0.2的位置，Z轴为0。类似地，这条命令在几何结构中插入另一个新的顶点，位于X轴为`Xmax`的位置，Y轴为`Ycontact`加上0.1的位置，Z轴为0。这是一个注释，用于说明接下来的命令将定义热节点。

2024-04-13 16:28:12 362 1

原创 sentaurus学习笔记4.13（一）

总的来说，这些命令在Sentaurus中用于定义和处理半导体器件中的电极区域，创建接触孔或开口，并为后续的金属填充和边界条件设置做准备。在半导体器件仿真中，接触集合用于指定器件的特定区域，如源极、漏极和栅极，以便对这些区域应用特定的边界条件或材料特性。这条命令将漏极的边界边缘设置为`drn.metal`，`drn.metal`是一个之前定义的几何实体，代表漏极的金属接触区域。将栅极的边界边缘设置为`gate.metal`，`gate.metal`是代表栅极金属接触区域的几何实体。

2024-04-13 16:12:58 552

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（十四）

`(sdedr:define-refinement-placement "Ref.source_c.t2" "Ref.source_c.t2" "Pl.source_c.t2")`将这个细化尺寸放置在`"Pl.source_c.t2"`参考评估窗口中。---------------------------------------------------------------------------在sentaurus的sde里表示什么意思。

2024-04-12 21:12:33 504

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（十三）

`(sdedr:define-refinement-placement "Ref.source_c" "Ref.source_c" "Pl.source_c")`将上述定义的网格细化尺寸`"Ref.source_c"`放置在之前定义的参考评估窗口`"Pl.source_c"`中。这意味着在源极接触边缘区域内，将按照`"Ref.source_c"`中定义的网格尺寸来生成网格，从而确保在这个关键区域有足够的网格密度来捕捉电子行为和电流流动的详细信息。

2024-04-12 21:07:12 336

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（十二）

`(sdedr:define-refeval-window "Pl.drain_c.t2" "Rectangle" (position (- Xdrn 0.012) Y0_GaN_channel 0) (position Xdrn (+ Y0_GaN_channel 0.012) 0))`定义了一个名为`"Pl.drain_c.t2"`的参考评估窗口，用于在漏极隧穿第二个区域进行网格划分。这些特定的区域通常需要更精细的网格来准确模拟电子的行为和电流的流动，特别是在涉及到隧穿效应时。

2024-04-12 21:04:22 301

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（十一）

`(sdedr:define-refeval-window "Pl.eDensity" "Rectangle" (position (- Xgt.r 0.4) Y0_AlGaN_1 0) (position (+ Xgt.r 0.6) (+ Y0_GaN_channel 0.5) 0))`定义了一个名为`"Pl.eDensity"`的参考评估窗口，用于在铝镓氮层（AlGaN）和氮化镓通道层（GaN_channel）之间的特定区域进行网格划分。

2024-04-12 20:39:35 293

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（十）

`(sdedr:define-refinement-size "Ref.channel" (/ Lg 8) 99 0.004 66)`定义了一个名为`"Ref.channel"`的通道区域网格细化尺寸，其中`(/ Lg 8)`表示在栅极长度`Lg`方向上每8个单位长度内划分的网格点数，`99`可能是y方向上的网格点数，`0.004`和`66`可能是z方向上的网格尺寸和其他参数。网格划分是数值仿真中的一个重要步骤，它决定了仿真区域中网格点的分布，进而影响到仿真的精度和计算资源的消耗。

2024-04-12 20:32:35 393

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（九）

`(sdedr:define-constant-profile-placement "Ohmic.s" "Ohmic" "Pl.ohmic.s" 0.002)`这一行将`"Ohmic"`掺杂剖面放置在`"Pl.ohmic.s"`参考评估窗口中，同样`0.002`可能表示掺杂剖面在窗口中的偏移量或其他参数。欧姆接触是半导体器件中的一种低阻抗电气接触，通常需要高掺杂来减少接触电阻并提高器件性能。通过这些步骤，SDE能够为器件的源极和漏极区域设置高掺杂的欧姆接触，这对于确保器件的高性能和低接触电阻至关重要。

2024-04-12 20:26:17 274

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（八）

`(sdegeo:define-2d-contact (find-edge-id (position 0 (+ Ycontact 0.2) 0)) "thermal")`和`(sdegeo:define-2d-contact (find-edge-id (position Xmax (+ Ycontact 0.2) 0)) "thermal")`这两行定义了另外两个2D热节点，分别位于`Ycontact`位置上方0.2微米处的x轴起点和终点。

2024-04-12 20:21:05 448

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（七）

矩形的左下角位于`(position (- Xgt.l LeftOV) Y0_AlGaN_1 0)`，即栅极左侧位置`Xgt.l`减去一个偏移量`LeftOV`和铝镓氮层顶部`Y0_AlGaN_1`的位置，右上角位于`(position (+ Xgt.r RightOV) (- Ytop 0.1) 0)`，即栅极右侧位置`Xgt.r`加上一个偏移量`RightOV`和`Ytop`位置减去0.1微米。这个矩形的材料被指定为`"Metal"`，并且它的标识名称为`"gate.metal"`。

2024-04-12 20:16:03 278

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（六）

矩形的左下角位于`(position Xdrn Ytop 0)`，即漏极位置`Xdrn`和`Ytop`，右上角位于`(position Xmax Ycontact 0)`，即最大水平尺寸`Xmax`和`Ycontact`位置。这个矩形的左下角位于`(position 0 Ytop 0)`，即在原点处的`Ytop`位置，右上角位于`(position Xsrc Ycontact 0)`，即在源极位置`Xsrc`和`Ycontact`位置。代码还包含了一些布尔运算，用于创建最终的器件结构。

2024-04-12 20:10:53 323

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（五）

`(sdedr:define-constant-profile`和`(sdedr:define-constant-profile-region`命令用于定义并应用一个恒定的活性硼掺杂浓度剖面`"ndop_GaN_gate_const"`到氮化镓栅极层上，其值为`NpGaN_gate`。- `"Oxide"`指定了这一层的材料名称（在这里代表氧化层），而`"nucleation"`是这一层在仿真中的标识名称。- `"GaN"`指定了这一层的材料名称，而`"GaN_gate"`是这一层在仿真中的标识名称。

2024-04-12 19:48:35 322

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（四）

在Sentaurus TCAD的SDE（Structure Editor）中，上述代码段用于构建半导体器件中的氮化镓（GaN）通道层和铝镓氮（AlGaN）缓冲层。这些层是通过创建矩形几何体并定义它们的材料属性和掺杂特性来实现的。(sdedr:define-constant-profile-region "xmole_buffer_const" "xmole_buffer_const" "buffer"),在sentaurus的sde里表示什么意思。

2024-04-12 19:29:03 375

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（三）

这里，`"Nitride"`是氮化硅材料的名称，而`"SiN_passivation"`是这一层在仿真中的标识名称。- `(sdedr:define-constant-profile`命令用于定义一个恒定的掺杂浓度剖面`"ndop_AlGaN_1_const"`，其值为`NAlGaN1`，这是铝镓氮层的活性砷掺杂浓度。- 类似地，`"xMoleFraction"`和`"xmole_AlGaN_1_const"`用于定义铝镓氮层的组分比例，`xAlGaN1`是组分比例的值。

2024-04-12 19:21:59 451

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（二）

`Xmax`：定义了结构的最大水平尺寸，它是源区`Ls`、栅区`Lsg`、栅极`Lg`、栅极到漏极的距离`Lgd`和漏极`Ld`之和。- `Xdrn`：定义了漏极的位置，位于栅区右侧`Xgt.r`加上栅极到漏极的距离`Lgd`的位置。- `Xsrc`：定义了源区的中心位置，位于最小水平坐标`Xmin`加上源区长度`Ls`的位置。- `Xgt.r`：定义了栅区右侧的位置，位于栅区左侧`Xgt.l`加上栅极长度`Lg`的位置。- `Ytop`：定义了结构的最顶层的垂直坐标，这里设置为0.0。

2024-04-12 19:13:11 320

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（一）

这些代码行定义了器件结构中的不同层的厚度（例如`tpGaN_gate`, `tAlGaN1`, `tGaN_channel`, `tbuffer`, `tNcl`）和掺杂浓度（例如`NpGaN_gate`, `NAlGaN1`, `NGaN_channel`, `Nbuffer`）。这一行代码设置了工艺流程中使用的坐标系。最后，这些代码定义了与器件结构相关的其他参数，如`Lsg`可能代表源极和栅极的长度，`Lgd`是栅极到漏极的距离，`Lg`是栅极长度，`Ls`是源漏区长度，`Ld`是漏极长度。

2024-04-12 18:51:36 315

原创 sentaurus学习笔记（SiC NMOS仿真）（六）

接下来的几行代码定义了更多的氮掺杂注入步骤，剂量和能量各不相同，可能用于模拟不同的注入深度和掺杂浓度。这行代码指示Sentaurus重新网格化整个仿真区域，以适应新的几何形状和网格细化要求。这行代码开始定义一系列掺杂注入步骤，这里使用氮（Nitrogen）作为掺杂物种。这行代码定义了一个掺杂注入步骤，与前面的步骤类似，但是剂量更高，能量更大，这行注释说明了接下来的步骤是进行N+源区的掺杂注入。设置了细化区域在z方向上的最小和最大值，设置了细化区域在x方向上的尺寸。设置了细化区域在z方向上的范围，

2024-04-09 23:09:59 381

原创 sentaurus学习笔记（SiC NMOS仿真）（五）

综上所述，这段脚本在Sentaurus TCAD中用于模拟湿法栅氧化过程和多晶硅栅极的形成，包括氧化层的厚度测量和多晶硅层的沉积。通过这些过程，可以在器件中形成必要的栅结构，从而控制电流的流动和器件的开关特性。命令返回的氧化层厚度值乘以10^4，这可能是为了将单位从纳米（nm）转换为微米（μm），因为1e4表示10的4次方。这是一个注释行，用于说明接下来的步骤是进行栅氧化过程，采用的是湿法氧化技术。命令用于模拟掺杂剂的扩散过程，在这里用于模拟氧化层的形成。设置了氧化过程的温度为1215摄氏度，

2024-04-09 22:58:42 607

原创 sentaurus学习笔记（SiC NMOS仿真）（四）

min=0.0`和`max=1.0`设置了细化区域在z方向上的范围，`mask.edge.mns=0.02`和`mask.edge.ngr=1.1`可能与掩膜边缘的处理有关，`mask.edge.refine.extent=0.5`设置了掩膜边缘细化区域的扩展距离。`extrusion.min=0.0`和`extrusion.max=1.5`设置了细化区域在z方向上的最小和最大值，`extend=0.5`可能表示细化区域在其他方向上的扩展距离，`xrefine=0.1`设置了细化区域在x方向上的尺寸。

2024-04-09 22:37:59 507

原创 sentaurus学习笔记（SiC NMOS仿真）（三）

这可能是为了模拟不同深度的掺杂分布，或者是为了模拟多层外延生长和扩散的过程。这可能是外延层生长后的第一步扩散，用于激活掺杂原子并形成适当的掺杂分布。的变量，其值为360，这个值可能表示外延层生长的总时间（单位可能是秒）。关键字可能表示沉积过程具有各向异性，即在不同方向上的沉积速率可能不同。这行代码模拟了在1600摄氏度的温度下进行扩散过程，时间为。接下来的两行代码重复了沉积和扩散过程，但是使用了不同的厚度（，这个变量可能在脚本的其他部分定义，表示外延层的厚度。这些值可能用于模拟不同阶段的扩散时间。

2024-04-09 22:31:31 391

原创 sentaurus学习笔记（SiC NMOS仿真）（二）

concentration= @Sub_Doping@`设置了氮的掺杂浓度，这里使用了一个变量`@Sub_Doping@`来表示具体的掺杂浓度值。`xrefine= "0.01 0.1 0.01"`定义了细化区域在x、y和z方向上的尺寸，这里表示x方向上的尺寸为0.01，y方向上的尺寸为0.1，z方向上的尺寸为0.01。`xlo= top`和`xhi= bottom`分别设置了区域在x方向上的最小和最大位置，`ylo= left`和`yhi= right`设置了区域在y方向上的最小和最大位置。

2024-04-09 22:25:21 572

原创 sentaurus学习笔记（SiC NMOS仿真）（一）

line y location= $Ymax tag= right在sentaurus里什么意思。：这行代码设置了蒙特卡洛模拟中使用的粒子数目，这里设置为20,000个粒子。可能是指使用针对4H-SiC材料的高级校准数据。：这两行代码用于设置仿真的校准参数。启用蒙特卡洛方法来模拟掺杂注入过程。

2024-04-09 20:46:32 646

原创 sentaurus学习笔记（VDMOS仿真）（三）

在Sentaurus中，这通常意味着在2D仿真中，x轴指向下，y轴指向右。定义了在2D模拟中，网格尺寸按照一定的增长率进行扩展，这里的增长率为2.0，意味着远离最小尺寸区域的网格单元大小将是最小尺寸的两倍。定义了2D模拟中网格单元的最小尺寸为0.001微米，这有助于控制网格的最小大小，从而影响仿真的精度和计算成本。表示启用中等级别的日志信息输出，这有助于用户了解仿真过程中发生的事件和可能的问题。表示启用保存调试文件，这可以帮助用户在仿真过程中检查和验证模型的状态。这行代码设置了仿真过程中使用的线程数。

2024-04-09 20:38:29 444

原创 sentaurus学习笔记（VDMOS仿真）（二）

同样地，第一个对角点坐标为(0, L.buff, 0)，位于前一个矩形的上方，第二个对角点坐标为(W.all, L.buff + L.sub, 0)，表示这个矩形在x方向上延伸与前一个矩形相同长度W.all，在y方向上则延伸L.buff + L.sub的长度。关键字定义了矩形的两个对角点，第一个对角点坐标为(0, 0, 0)，表示矩形的左下角起始于坐标原点，第二个对角点坐标为(W.all, L.buff, 0)，表示矩形的右上角结束于x方向为W.all，y方向为L.buff的位置。：这个命令用于生成网格。

2024-04-09 12:51:02 377

原创 sentaurus学习笔记（VDMOS仿真）（一）

这个命令设置默认的布尔运算类型为“BAB”（Below-Above-Below），这是一种用于描述多层结构之间关系的布尔运算方式。: 这个命令设置工艺模拟中的“向上”方向为“+z”。在三维模拟中，这通常指的是器件结构的生长方向。: 这个命令用于清除当前的设计环境（SDE），以便开始一个新的设计或清除之前的设置。(define W.all 5)在sentaurus里表示什么意思。

2024-04-09 12:39:54 597

原创蓝桥杯嵌入式代码学习2021年真题4.8（9）

huart1`是串口通信的硬件抽象层（HAL）对象，`str_str`是要发送的字符串，`strlen(str_str)`是字符串的长度，`50`是发送数据的超时时间（单位为毫秒）。` 这一行使用`memset`函数将接收缓冲区`RX_BUF`的内容全部清零。` 这一行是一个跳转语句，它使得程序执行跳过中间的代码，直接到达`CMD_YES`标签处继续执行。这段代码是处理车辆信息的逻辑中的一部分，它包含了两个主要的标签：`CMD_YES`和`SEND_ERROR`。

2024-04-08 23:32:56 382

原创蓝桥杯嵌入式代码学习2021年真题4.8（8）

如果车辆类型是'C'，则`CNBR_Use_Num`减1，如果是'V'，则`VNBR_Use_Num`减1。//清空该位置所有内容，为0。

2024-04-08 23:09:19 383

原创蓝桥杯嵌入式代码学习2021年真题4.8（7）

`if(isExist(car_id) == 0xFF)` 这一行调用了一个名为`isExist`的函数，该函数用于检查车辆ID是否已经存在于数据库中。如果返回值是`0xFF`，表示车辆ID不在数据库中，即车辆尚未进入。- 根据车辆类型（'C'表示汽车，'V'表示摩托车），更新停车场中相应类型车辆的使用数量（`CNBR_Use_Num`和`VNBR_Use_Num`）和总可用位置数量（`No_Use_Num`）。//**********************如果车已经进来了，现在是出去******

2024-04-08 22:30:51 235

原创蓝桥杯嵌入式代码学习2021年真题4.8（6）

if((month_temp>12)||(day_temp>31)||(hour_temp>23)||(min_temp>59)||(sec_temp>59))//验证日期和时间是否合法。//提取车的类型详细说说这个keil代码。这个数据包包含了车辆的ID、类型和时间信息。if(CheckCmd(RX_BUF))//粗糙的判断，第一步，判别数据个数以及数据格式是否合法。这段代码是处理车辆信息的一部分，它位于一个更大的函数。

2024-04-08 22:21:09 349

原创蓝桥杯嵌入式代码学习2021年真题4.8（5）

这段代码定义了一个名为`findLocate`的函数，其作用是在数据库（`Car_Data_Storage`）中查找一个空档，即一个未被使用的存储位置。这里假设`Car_Data_Storage`是一个结构体数组，每个元素都有一个名为`notEmpty`的成员。- 如果`Car_Data_Storage[i].notEmpty`的值为0，表示该位置是空的，即未被使用，函数立即返回当前位置索引`i`。2. 使用一个`for`循环，从0开始，循环到7（包含7），即检查数据库中的前8个位置（编号0到7）。

2024-04-08 18:12:52 113

原创蓝桥杯嵌入式代码学习2021年真题4.8（4）

总结来说，`isExist`函数通过遍历数据库中的所有车ID，使用`strcmp`函数逐个比较，来判断传入的车ID字符串是否已经存在于数据库中。如果不存在，返回一个特殊的值`0xFF`，表示未找到。- 调用`strcmp`函数来比较传入的车ID字符串（`str`）与数据库中第`i`个车ID（`Car_Data_Storage[i].id`）是否相等。3. 如果在某个循环中发现传入的车ID字符串与数据库中的某个车ID相等，即`strcmp`函数返回0，那么函数立即返回当前的车ID在数据库中的位置索引`i`。

2024-04-08 18:06:41 234

空空如也

空空如也