qq_52640792-CSDN博客

原创 snetaurus栅氧缺陷代码解释

在Sentaurus中，`Physics(MaterialInterface="SiliconCarbide/Oxide")` 定义了一个物理模型区域，专门针对硅碳化物（SiC）和氧化物（Oxide）材料界面的物理特性进行模拟。- `Conc=@conc@`：陷阱的浓度由变量`@conc@`定义，这通常在代码的其他部分被赋予一个具体的数值。- `eXsection=1e-10`：电子的捕获截面为1e-10平方厘米。- `hXsection=1e-12`：空穴的捕获截面为1e-12平方厘米。

2024-10-23 13:53:04 677

原创 sentaurus浪涌仿真sdevice代码解释（4）

9. `Plot(FilePrefix="Surge_n@node@" time=(Range=(0 @<0+10E-3>@) Intervals=10) NoOverWrite)`：设置了一个绘图过程，用于在瞬态分析过程中绘制结果，文件名前缀为`Surge_n@node@`，时间范围从0到`10E-3`秒，每隔10个时间点绘制一次，且不覆盖之前的结果。同样设置了最大迭代次数和线搜索阻尼系数。这个过程将模拟从`0`到`10E-3`秒内器件的行为，并且会在不同的时间点记录和绘制电流和电势的数据。

2024-10-23 13:10:05 1005

原创 sentaurus浪涌仿真sdevice代码解释（3）

2. `SubMethod=Pardiso`或`SubMethod= ILS(set= 11)`：这是一个条件语句，如果变量`@methed@`包含`pardiso`（一个著名的线性求解器库），则选择`Pardiso`作为内部方法，否则选择`ILS`（迭代线性求解器）并设置选项集为11。16. `ILSrc="set(11){...}"`：这是一个复杂的设置，用于定义`ILS`求解器的具体参数，包括迭代方法、预处理、排序和选项等。8. `Digits= 5`：设置浮点数的精度，这里指定为5位有效数字。

2024-10-23 13:07:35 877

原创 sentaurus浪涌仿真sdevice代码解释（2）

列出了多种物理量，如非局部效应（`NonLocal`）、电场（`Electricfield/Vector`）、电流（`eCurrent/Vector`、`hCurrent/Vector`、`TotalCurrent/Vector`）、复合率（`SRH`、`Avalanche`）、载流子迁移率（`eMobility`、`hMobility`）、准费米能级（`eQuasiFermi`、`hQuasiFermi`）等。- `Output = "@log@"`：指定了日志文件的名称，用于记录仿真过程中的信息。

2024-10-23 13:04:27 985

原创 sentaurus浪涌仿真sdevice代码解释（1）

2. `Electrode { ... }`：定义了器件的电极（Electrode），包括漏极（drain）、源极（source1和source2）和栅极（gate）。此外，代码中有一些占位符（如`@tdr@`、`@tdrdat@`、`@plot@`、`@parameter@`和`@life@`），这些占位符在实际运行脚本时会被具体的文件名或参数值替换。- `LifeTime`：如果存在`@life@`变量，则指定了寿命文件的名称。4. `File { ... }`：定义了输出文件的相关参数。

2024-10-23 13:01:51 940

原创 sentaurus学习2024.10.14-sde

4. `(define EpiDoping @EpiDoping@)`：定义一个变量`EpiDoping`，其值由外部参数`@EpiDoping@`提供，可能表示外延层的掺杂浓度。120. `(sde:build-mesh "-offset " "n@node@")`：构建网格，其中`"n@node@"`可能是一个外部参数，指定网格的节点数或类型。

2024-10-14 12:35:40 1717

原创 sentaurus学习2024.10.14，sde代码解释

这行代码设置了默认的布尔运算类型为"Back And Both"（BAB），这是一种处理几何形状交集和并集的策略。这行代码创建了一个多边形，使用的材料是"PolySi"（多晶硅），这个多边形被用在了"R.PolyGate"区域。这个脚本涉及了从基本的几何形状创建到复杂的网格划分和掺杂分布定义的多个步骤，是半导体器件模拟中的一个典型流程。这些代码创建了多个几何形状，包括多边形和矩形，每个形状都被分配了不同的材料和区域名称。这些代码定义了不同的掺杂轮廓，包括恒定掺杂和高斯分布掺杂。### 7. 定义2D接触。

2024-10-14 11:05:23 1482 1

原创 sentaurus里什么意思

`ErrEff(electron)` 和 `ErrEff(hole)`: 设置电子和空穴的有效性误差界限。- `ExtendedPrecision(80)`: 启用扩展精度，括号中的数字表示扩展的位数。- `Transient`: 设置瞬态求解器的类型，这里为 "BE"（可能是指后向欧拉法）。- `RHSFactor`: 设置 RHS 因子，用于控制求解器的收敛行为。- `Method`: 设置求解器使用的主方法，这里为 "Blocked"。- `Iterations`: 设置求解器的最大迭代次数。

2024-09-10 19:14:35 488

原创再MATLAB里什么意思

最后，`%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% 输出范围再MATLAB里什么意思` 这部分是注释，说明代码的意图是输出信号的上升沿和下降沿的时间范围。%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% 判断开始和结束。循环变量是`time_seach`。%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% 输出范围再MATLAB里什么意思。

2024-09-04 10:50:59 434

原创在senturus里什么意思

3. `Vsource_pset Vin (4 0) { pwl = (...) }`：定义了一个名为 Vin 的电压源，连接在节点 4 和地之间，使用分段线性波形（pwl）定义其时间变化。3. `Transient (...) { ... }`：这是一个瞬态求解步骤，用于模拟器件在给定的初始时间、最终时间、初始步长、最小步长和最大步长下的动态行为。2. `Vsource_pset Vcc (5 0) { dc = 0 }`：定义了一个名为 Vcc 的电压源，连接在节点 5 和地之间，初始直流电压为 0。

2024-08-24 18:50:50 643

原创在senturus里什么意思

Blocked` 可能指的是块对角求解方法，而 `super` 可能是该方法的一个变种或特定实现。整体而言，`Math` 部分的设置对于确保模拟的准确性和收敛性至关重要。12. `Transient= BE`：设置瞬态分析的方法，这里 `BE` 可能指的是后向欧拉方法（Backward Euler method），这是一种时间积分方法，用于模拟器件的动态行为。5. `RHSmax= 1e30` 和 `RHSFactor= 1e30`：设置右侧项的最大值和因子，这些参数用于控制数值求解过程中的稳定性。

2024-08-24 18:47:19 445

原创在sentaurus的sdevice里什么意思

`BandGap`、`ElectronAffinity`、`ConductionBandEnergy` 和 `ValenceBand`：代表能带结构相关的物理量，如带隙、电子亲和力、导带能量和价带能量。- `Stressxx`、`Stressxy`、`Stressxz`、`Stressyy`、`Stressyz` 和 `Stresszz`：代表应力张量的不同分量。- `Current`、`eCurrent` 和 `hCurrent`：分别代表总电流、电子电流和空穴电流。}在senturus里什么意思。

2024-08-24 18:41:22 1145

原创在senturus里什么意思

1. `File` 部分定义了模拟过程中需要使用的文件，包括网格文件（`Grid`）、参数文件（`Parameter`）、绘图输出文件（`Plot`）和电流输出文件（`Current`）。6. `Dessis MOS` 是一种用于模拟半导体器件的工具，它允许用户定义器件的几何结构、材料属性、掺杂分布、电极接触等，并通过数值模拟来预测器件的性能。5. 注释掉的部分（以 `#` 开头）是一些可能用于定义陷阱（Traps）的代码，但在当前的代码片段中它们被注释掉了，因此不会在模拟中起作用。

2024-08-24 18:38:19 607

原创在sentaurus的sdevice里什么意思

`preconditioning(ilut(1e-8,-1), left)`：使用ILUT（不完全LU分解）作为预处理器，`1e-8`是阈值参数，`-1`表示填充因子，`left`表示预处理器作用在矩阵的左侧。- `tolrel=1e-9`：相对容忍度设置为`1e-9`，即求解器在迭代过程中，当残差相对于初始残差的比值小于这个值时，认为求解收敛。- `tolabs=0`：绝对容忍度设置为`0`，即求解器在迭代过程中，不考虑残差的绝对大小。- `maxit=600`：设置迭代的最大次数为600。

2024-08-04 07:49:23 591

原创 sentaurus里的sdevice

在Sentaurus TCAD软件的`sdevice`模块中，`IncompleteIonization`关键字用于定义半导体器件仿真中的非完全电离模型。使用`IncompleteIonization`模型可以帮助更准确地模拟高掺杂或高电场条件下的载流子行为，这些条件下简单的完全电离假设可能不再适用。具体来说，`IncompleteIonization`中的`Split`选项用于处理掺杂浓度分布不均匀的情况，允许用户定义不同的电离率权重。它允许用户为不同的掺杂类型或浓度定义不同的电离行为。

2024-08-02 17:24:49 898

原创 sentaurus

3. **Recombination(SRH)**: 这通常指的是非平衡载流子的复合过程，SRH可能是指Shockley-Read-Hall（肖克利-里德-霍尔）复合模型，这是一种描述半导体中电子和空穴通过深能级中心复合的机制。- **HighFieldSaturation**: 这可能指的是在高电场条件下迁移率的饱和值，即当电场强度增加到一定程度时，载流子的移动速度不再增加。- **Enormal**: 可能指的是在正常电场下的迁移率，即在标准或预期的电场条件下载流子的移动速度。

2024-08-01 21:26:28 638

原创 sentaurus里的sdvice代码

这个块定义了一个准静态仿真的参数。`InitialStep`、`MinStep` 和 `MaxStep` 分别定义了初始步长、最小步长和最大步长。`Goal` 定义了达到目标电压的条件，这里有两个目标：一个是漏极电压为6V，另一个是栅极电压为0V。这个块再次指定了耦合求解的物理方程，并添加了一个`CurrentPlot`块，它定义了在仿真过程中如何绘制电流随时间变化的曲线。`Time` 参数的`Range`指定了时间的范围（从0到1），`Intervals`指定了在这个范围内绘制曲线的点数。

2024-04-20 16:24:21 995

原创 sentaurus里的sdvice代码

这个命令是在求解Poisson方程的基础上，进一步耦合了电子的运输方程。这对于理解和分析半导体器件中的电子行为至关重要，比如在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）模拟中，电子的分布和流动是决定器件性能的关键因素。此外，为了获得准确的模拟结果，还需要对器件的物理模型有深入的理解，以及对Sentaurus软件的使用有一定的经验。总的来说，这些命令是Sentaurus TCAD软件中用于执行复杂半导体器件模拟的基础，它们使得用户能够模拟和分析器件在不同工作条件下的电学行为，从而优化器件设计和工艺流程。

2024-04-20 16:18:26 910

原创 sentaurus里的sde里的批量注释怎么用

在Sentaurus TCAD的SDE（Structure Editor）中，批量注释通常指的是对多行代码或命令进行注释，以便于在调试或者临时禁用某部分代码时使用。注意，如果`#`紧跟在Tcl语言的关键字后面，如`#set`、`#define`等，它不会被当作注释符号，除非前面有额外的`#`来明确表示注释。在搜索结果中提到了SDE中的注释方法，其中提到了使用`#if 0`和`#endif`来进行整段注释。1. 使用`#if 0`开始一个条件编译块，这表示后面的代码将被注释掉，因为条件为假（逻辑“0”）。

2024-04-18 18:57:23 716

原创 sentaurus学习资料之代码讲解（一）

`(/ Wsi NumberOfPointsXpo)`：这是在x方向上每个点之间的距离，`Wsi`是硅区域的宽度，`NumberOfPointsXpo`是x方向上的点数。- `(/ Hsi NumberOfPointsYpo)`：这是在y方向上每个点之间的距离，`Hsi`是硅区域的高度，`NumberOfPointsYpo`是y方向上的点数。- `"SiRef"`：细化区域的名称，与前面的`define-refinement-size`命令中的名称相匹配。- `"SiRef"`：这是细化区域的名称。

2024-04-18 13:22:55 1204 1

原创 sentaurus学习笔记4.13（四）

"MaxLenInt"`是函数的类型，`"GaN"`和`"Nitride"`分别表示材料的名称，`0.0005`是材料界面的最大厚度，`1.8`是界面两侧材料的折射率差异。通过这些设置，用户可以确保在重要的物理区域（如掺杂浓度梯度大的区域和材料界面）有足够细致的网格，以提高仿真结果的准确性，同时在其他区域保持计算效率。`"DopingConcentration"`是函数的类型，`"MaxTransDiff"`是函数的具体名称，`1`是函数的参数，这里表示当掺杂浓度梯度超过预设阈值时，网格将自动细化。

2024-04-13 17:00:07 1716 3

原创 sentaurus学习笔记4.13（三）

"Rectangle"`表示窗口的形状是一个矩形，`(position Xdrn Ytop 0)`和`(position Xmax Ycontact 0)`分别定义了矩形窗口的两个对角点，代表漏极接触区域的边界。这条命令将前面定义的常数掺杂剖面“Ohmic”放置在名为“Pl.ohmic.d”的参考评估窗口中，`0.002`是窗口的厚度，表示掺杂剖面在垂直于窗口平面的方向上的深度。这条命令将常数掺杂剖面“Ohmic”放置在名为“Pl.ohmic.s”的参考评估窗口中，同样地，`0.002`是窗口的厚度。

2024-04-13 16:46:41 1127

原创 sentaurus学习笔记4.13（二）

这条命令再次使用`find-edge-id`函数查找一个特定位置的边的ID，该位置位于X轴为`Xmax`的位置，Y轴为`Ycontact`加上0.2的位置，Z轴为0。这条命令同样使用`find-edge-id`函数查找另一个特定位置的边的ID，该位置位于X轴为0的位置，Y轴为`Ycontact`加上0.2的位置，Z轴为0。类似地，这条命令在几何结构中插入另一个新的顶点，位于X轴为`Xmax`的位置，Y轴为`Ycontact`加上0.1的位置，Z轴为0。这是一个注释，用于说明接下来的命令将定义热节点。

2024-04-13 16:28:12 1333 3

原创 sentaurus学习笔记4.13（一）

总的来说，这些命令在Sentaurus中用于定义和处理半导体器件中的电极区域，创建接触孔或开口，并为后续的金属填充和边界条件设置做准备。在半导体器件仿真中，接触集合用于指定器件的特定区域，如源极、漏极和栅极，以便对这些区域应用特定的边界条件或材料特性。这条命令将漏极的边界边缘设置为`drn.metal`，`drn.metal`是一个之前定义的几何实体，代表漏极的金属接触区域。将栅极的边界边缘设置为`gate.metal`，`gate.metal`是代表栅极金属接触区域的几何实体。

2024-04-13 16:12:58 1734

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（十四）

`(sdedr:define-refinement-placement "Ref.source_c.t2" "Ref.source_c.t2" "Pl.source_c.t2")`将这个细化尺寸放置在`"Pl.source_c.t2"`参考评估窗口中。---------------------------------------------------------------------------在sentaurus的sde里表示什么意思。

2024-04-12 21:12:33 1220

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（十三）

`(sdedr:define-refinement-placement "Ref.source_c" "Ref.source_c" "Pl.source_c")`将上述定义的网格细化尺寸`"Ref.source_c"`放置在之前定义的参考评估窗口`"Pl.source_c"`中。这意味着在源极接触边缘区域内，将按照`"Ref.source_c"`中定义的网格尺寸来生成网格，从而确保在这个关键区域有足够的网格密度来捕捉电子行为和电流流动的详细信息。

2024-04-12 21:07:12 935

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（十二）

`(sdedr:define-refeval-window "Pl.drain_c.t2" "Rectangle" (position (- Xdrn 0.012) Y0_GaN_channel 0) (position Xdrn (+ Y0_GaN_channel 0.012) 0))`定义了一个名为`"Pl.drain_c.t2"`的参考评估窗口，用于在漏极隧穿第二个区域进行网格划分。这些特定的区域通常需要更精细的网格来准确模拟电子的行为和电流的流动，特别是在涉及到隧穿效应时。

2024-04-12 21:04:22 767

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（十一）

`(sdedr:define-refeval-window "Pl.eDensity" "Rectangle" (position (- Xgt.r 0.4) Y0_AlGaN_1 0) (position (+ Xgt.r 0.6) (+ Y0_GaN_channel 0.5) 0))`定义了一个名为`"Pl.eDensity"`的参考评估窗口，用于在铝镓氮层（AlGaN）和氮化镓通道层（GaN_channel）之间的特定区域进行网格划分。

2024-04-12 20:39:35 653

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（十）

`(sdedr:define-refinement-size "Ref.channel" (/ Lg 8) 99 0.004 66)`定义了一个名为`"Ref.channel"`的通道区域网格细化尺寸，其中`(/ Lg 8)`表示在栅极长度`Lg`方向上每8个单位长度内划分的网格点数，`99`可能是y方向上的网格点数，`0.004`和`66`可能是z方向上的网格尺寸和其他参数。网格划分是数值仿真中的一个重要步骤，它决定了仿真区域中网格点的分布，进而影响到仿真的精度和计算资源的消耗。

2024-04-12 20:32:35 829

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（九）

`(sdedr:define-constant-profile-placement "Ohmic.s" "Ohmic" "Pl.ohmic.s" 0.002)`这一行将`"Ohmic"`掺杂剖面放置在`"Pl.ohmic.s"`参考评估窗口中，同样`0.002`可能表示掺杂剖面在窗口中的偏移量或其他参数。欧姆接触是半导体器件中的一种低阻抗电气接触，通常需要高掺杂来减少接触电阻并提高器件性能。通过这些步骤，SDE能够为器件的源极和漏极区域设置高掺杂的欧姆接触，这对于确保器件的高性能和低接触电阻至关重要。

2024-04-12 20:26:17 809

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（八）

`(sdegeo:define-2d-contact (find-edge-id (position 0 (+ Ycontact 0.2) 0)) "thermal")`和`(sdegeo:define-2d-contact (find-edge-id (position Xmax (+ Ycontact 0.2) 0)) "thermal")`这两行定义了另外两个2D热节点，分别位于`Ycontact`位置上方0.2微米处的x轴起点和终点。

2024-04-12 20:21:05 1397

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（七）

矩形的左下角位于`(position (- Xgt.l LeftOV) Y0_AlGaN_1 0)`，即栅极左侧位置`Xgt.l`减去一个偏移量`LeftOV`和铝镓氮层顶部`Y0_AlGaN_1`的位置，右上角位于`(position (+ Xgt.r RightOV) (- Ytop 0.1) 0)`，即栅极右侧位置`Xgt.r`加上一个偏移量`RightOV`和`Ytop`位置减去0.1微米。这个矩形的材料被指定为`"Metal"`，并且它的标识名称为`"gate.metal"`。

2024-04-12 20:16:03 923

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（六）

矩形的左下角位于`(position Xdrn Ytop 0)`，即漏极位置`Xdrn`和`Ytop`，右上角位于`(position Xmax Ycontact 0)`，即最大水平尺寸`Xmax`和`Ycontact`位置。这个矩形的左下角位于`(position 0 Ytop 0)`，即在原点处的`Ytop`位置，右上角位于`(position Xsrc Ycontact 0)`，即在源极位置`Xsrc`和`Ycontact`位置。代码还包含了一些布尔运算，用于创建最终的器件结构。

2024-04-12 20:10:53 1056

原创 sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（五）

`(sdedr:define-constant-profile`和`(sdedr:define-constant-profile-region`命令用于定义并应用一个恒定的活性硼掺杂浓度剖面`"ndop_GaN_gate_const"`到氮化镓栅极层上，其值为`NpGaN_gate`。- `"Oxide"`指定了这一层的材料名称（在这里代表氧化层），而`"nucleation"`是这一层在仿真中的标识名称。- `"GaN"`指定了这一层的材料名称，而`"GaN_gate"`是这一层在仿真中的标识名称。

2024-04-12 19:48:35 644

空空如也

空空如也