sentaurus学习笔记（SiC NMOS仿真）（六）

## N+ Source implantation
photo mask= NPLUS thickness= 10.0
refinebox name=NPLUS1 mask=NPLUS extrusion.min=0.0 extrusion.max=0.4 extend=0.1 xrefine=0.02
refinebox name=NPLUS2 mask=NPLUS min=0.0 max=0.3 mask.edge.mns=0.01 mask.edge.ngr=1.2 mask.edge.refine.extent=0.8
grid remesh

implant Nitrogen dose= 1.6e15 energy= 60 tilt= 0.0
implant Nitrogen dose= 1.8e15 energy= 80 tilt= 0.0
implant Nitrogen dose= 2.0e15 energy= 100 tilt= 0.0
implant Nitrogen dose= 1.8e15 energy= 120 tilt= 0.0 smooth在sentaurus里什么意思

1. ## N+ Source implantation 这行注释说明了接下来的步骤是进行N+源区的掺杂注入。

2. photo mask= NPLUS thickness= 10.0 这行代码定义了一个光刻步骤，其中mask= NPLUS指定了使用的掩膜名称为NPLUS，thickness= 10.0设置了光刻胶的厚度为10.0微米。

3. refinebox name=NPLUS1 mask=NPLUS extrusion.min=0.0 extrusion.max=0.4 extend=0.1 xrefine=0.02 这行代码定义了一个名为NPLUS1的局部网格细化区域，它与NPLUS掩膜相关联。extrusion.min=0.0和extrusion.max=0.4设置了细化区域在z方向上的最小和最大值，extend=0.1可能表示细化区域在其他方向上的扩展距离，xrefine=0.02设置了细化区域在x方向上的尺寸。

4. refinebox name=NPLUS2 mask=NPLUS min=0.0 max=0.3 mask.edge.mns=0.01 mask.edge.ngr=1.2 mask.edge.refine.extent=0.8 这行代码定义了另一个名为NPLUS2的局部网格细化区域，与NPLUS掩膜相关联。min=0.0和max=0.3设置了细化区域在z方向上的范围，mask.edge.mns=0.01和mask.edge.ngr=1.2可能与掩膜边缘的处理有关，mask.edge.refine.extent=0.8设置了掩膜边缘细化区域的扩展距离。

5. grid remesh 这行代码指示Sentaurus重新网格化整个仿真区域，以适应新的几何形状和网格细化要求。

6. implant Nitrogen dose= 1.6e15 energy= 60 tilt= 0.0 这行代码开始定义一系列掺杂注入步骤，这里使用氮（Nitrogen）作为掺杂物种。dose= 1.6e15设置了掺杂剂量为1.6 x 10^15 atoms/cm^2，energy= 60设置了注入能量为60 keV，tilt= 0.0表示注入角度为0度，即垂直于表面。

7. 接下来的几行代码定义了更多的氮掺杂注入步骤，剂量和能量各不相同，可能用于模拟不同的注入深度和掺杂浓度。

8. implant Nitrogen dose= 1.8e15 energy= 120 tilt= 0.0 smooth 这行代码定义了一个掺杂注入步骤，与前面的步骤类似，但是剂量更高，能量更大，smooth关键字可能表示在注入后进行平滑处理，以减少掺杂分布的不均匀性。