sentaurus学习笔记（SiC NMOS仿真）（五）

## Gate oxidation -- wet oxidation
diffuse time= 300.0 temp= 1215 H2O

## Gate oxide thickness extraction 
puts "DOE: GOX_Ang [format %.2f [expr 1e4*[interface Oxide thickness y= 2.5]]]" 

## Poly gate formation
deposit PolySilicon anisotropic mask= POLY thickness= 0.2

if { $debug == 1  } {
    struct tdr= n@node@_Poly
}在sentaurus里什么意思

1. ## Gate oxidation -- wet oxidation 这是一个注释行，用于说明接下来的步骤是进行栅氧化过程，采用的是湿法氧化技术。

2. diffuse time= 300.0 temp= 1215 H2O 这行代码执行湿法氧化过程。diffuse命令用于模拟掺杂剂的扩散过程，在这里用于模拟氧化层的形成。time= 300.0设置了氧化和扩散的时间为300秒，temp= 1215设置了氧化过程的温度为1215摄氏度，H2O指定了使用水蒸气作为氧化介质，这是湿法氧化的典型特征。

3. puts "DOE: GOX_Ang [format %.2f [expr 1e4*[interface Oxide thickness y= 2.5]]]" 这行代码用于输出栅氧化层在y=2.5微米位置处的厚度信息。puts命令用于在控制台打印信息。format %.2f用于格式化输出的数字，使其保留两位小数。[expr 1e4*...是一个表达式，它将interface Oxide thickness y= 2.5命令返回的氧化层厚度值乘以10^4，这可能是为了将单位从纳米（nm）转换为微米（μm），因为1e4表示10的4次方。

4. ## Poly gate formation 这是另一个注释行，用于说明接下来的步骤是形成多晶硅栅极。

5. deposit PolySilicon anisotropic mask= POLY thickness= 0.2 这行代码执行多晶硅沉积过程。deposit命令用于在指定区域沉积材料。PolySilicon指定了沉积的材料类型为多晶硅，anisotropic表示沉积过程具有各向异性，mask= POLY指定了使用的掩膜名称为POLY，thickness= 0.2设置了沉积层的厚度为0.2微米。

6. if { $debug == 1 } { struct tdr= n@node@_Poly } 这行代码是一个条件语句，用于检查debug变量是否等于1。如果debug等于1，则执行struct tdr= n@node@_Poly命令，这可能是用于输出或保存特定节点的TDR（Technology Data Representation）文件，以便进一步分析多晶硅栅极的结构信息。综上所述，这段脚本在Sentaurus TCAD中用于模拟湿法栅氧化过程和多晶硅栅极的形成，包括氧化层的厚度测量和多晶硅层的沉积。这些步骤对于制造MOSFET等半导体器件至关重要。通过这些过程，可以在器件中形成必要的栅结构，从而控制电流的流动和器件的开关特性。