## Gate oxidation -- wet oxidation
diffuse time= 300.0 temp= 1215 H2O
## Gate oxide thickness extraction
puts "DOE: GOX_Ang [format %.2f [expr 1e4*[interface Oxide thickness y= 2.5]]]"
## Poly gate formation
deposit PolySilicon anisotropic mask= POLY thickness= 0.2
if { $debug == 1 } {
struct tdr= n@node@_Poly
}在sentaurus里什么意思
-
## Gate oxidation -- wet oxidation
这是一个注释行,用于说明接下来的步骤是进行栅氧化过程,采用的是湿法氧化技术。 -
diffuse time= 300.0 temp= 1215 H2O
这行代码执行湿法氧化过程。diffuse
命令用于模拟掺杂剂的扩散过程,在这里用于模拟氧化层的形成。time= 300.0
设置了氧化和扩散的时间为300秒,temp= 1215
设置了氧化过程的温度为1215摄氏度,H2O
指定了使用水蒸气作为氧化介质,这是湿法氧化的典型特征。 -
puts "DOE: GOX_Ang [format %.2f [expr 1e4*[interface Oxide thickness y= 2.5]]]"
这行代码用于输出栅氧化层在y=2.5微米位置处的厚度信息。puts
命令用于在控制台打印信息。format %.2f
用于格式化输出的数字,使其保留两位小数。[expr 1e4*...
是一个表达式,它将interface Oxide thickness y= 2.5
命令返回的氧化层厚度值乘以10^4,这可能是为了将单位从纳米(nm)转换为微米(μm),因为1e4表示10的4次方。 -
## Poly gate formation
这是另一个注释行,用于说明接下来的步骤是形成多晶硅栅极。 -
deposit PolySilicon anisotropic mask= POLY thickness= 0.2
这行代码执行多晶硅沉积过程。deposit
命令用于在指定区域沉积材料。PolySilicon
指定了沉积的材料类型为多晶硅,anisotropic
表示沉积过程具有各向异性,mask= POLY
指定了使用的掩膜名称为POLY
,thickness= 0.2
设置了沉积层的厚度为0.2微米。 -
if { $debug == 1 } { struct tdr= n@node@_Poly }
这行代码是一个条件语句,用于检查debug
变量是否等于1。如果debug
等于1,则执行struct tdr= n@node@_Poly
命令,这可能是用于输出或保存特定节点的TDR(Technology Data Representation)文件,以便进一步分析多晶硅栅极的结构信息。综上所述,这段脚本在Sentaurus TCAD中用于模拟湿法栅氧化过程和多晶硅栅极的形成,包括氧化层的厚度测量和多晶硅层的沉积。这些步骤对于制造MOSFET等半导体器件至关重要。通过这些过程,可以在器件中形成必要的栅结构,从而控制电流的流动和器件的开关特性。