驱动部分：预驱电路和驱动电路的搭建

# 三相无刷驱动器电路设计（进行中）

第一章 电源部分：DC-DC电源芯片LM5164DDAR的使用

第二章 电源部分：DC-DC电路之BUCK升压电路总结

第三章 驱动部分：预驱电路和驱动电路的搭建

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前言

写在前面：

在搭建电路之前，我们需要明白我们要得到的是一个什么样的结果，有了目标，才知道需要往哪个方向去研究，要不就是各种知识在脑子中乱窜，没有清晰的条理，既浪费时间又没有得到好的成果。

我开始搭建电路之前就是这样子，在网络上搜集了很多开源资料，研究他们采用的解决方案，并深入了解其原理，把需要考虑的点都研究一遍后，就发现脑子一片混乱，没有抓住各个参数数据之间的联系，于是花时间把学习到的知识认真梳理一下，写了这篇文章。

该文章包含大量自己的观点和理解，如有错误，欢迎指正，希望大家能够一起进步。

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一、关键概念定义

首先我们需要了解一下在电路设计中出现的相关概念，以方便我们进行理解，都熟悉的可以跳过

• PWM频率：
  是指1秒钟内信号从高电平到低电平再回到高电平的次数。
  控制器输出的脉宽调制信号（PWM）的周期性频率，例如:
  $$f_{PWM}=20KHz$$

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• PWM周期
  信号从高电平到低电平再回到高电平的时间。
  $$T_{PWM}=\frac{1}{f_{PWM}}=\frac{1}{20KHz}=50\mu s=0.00005S$$

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• PWM占空比
  一个脉冲周期内，高电平的时间与整个周期时间的比例：
  一个脉冲周期时间50μs
  高电平时间$t_{high}=25\mu s$
  低电平时间$t_{low}=25\mu s$
  则：
  $$占空比=\frac{25\mu s}{50\mu s}=50\%$$
  其实还有别的时间存在，下面会有分析

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• MOSFET频率
  在BLDC驱动中，实际开关频率与PWM频率相同；
  每个PWM周期包含一次MOSFET的开启和关闭动作。
  $$f_{MOSFET开关}=f_{PWM}=20KHz$$

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• MOSFET开关时间$t_{switch}$
  MOSFET关断到完全导通（$t_{rise}$）或导通到完全关断（$t_{fall}$）的时间。
  数值通常在几十纳秒到几百纳秒（如$t_{rise}=50ns$和$t_{fall}=30ns$）

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• 死区时间$t_{dead}$
  为避免上下桥臂直通，在开关切换时插入的死区时间$t_{dead}$
  因为有开关时间所以存在不确定性死区时间需满足：
  $$t_{dead}>t_{rise}+t_{fall}+t_{delay}$$
  $t_{delay}$为驱动电路传播延迟，通常约50ns
  通常死区时间设置为200~500ns。

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• 一个周期时间分析
  在一个PWM周期里面：
  $$T_{PWM}=\frac{1}{f_{PWM}}=t_{rise}+t_{high}+t_{fall}+t_{low}+t_{dead}=50\mu s$$
  其中因为开关时间和死区时间的存在，会影响有效占空比。
  例如：$t_{rise}=50ns$和$t_{fall}=30ns$和$t_{delay}=50ns$时占空比只损失了0.42%。

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二、硬件电路

写在前面：

我总结了一下，驱动电路都需要考虑那些部分：

• 驱动芯片；
• MOSFET；
• 门极驱动电阻$R_g$；
• 门极并联二极管；
• 栅源电阻$R_{gs}$；
• 栅源电容$C_{gs}$；
• 自举二极管；
• 自举电阻$R_{boot}$；
• 自举电容$C_{boot}$；
• 电源滤波电容；

1.确定系统需求

先看核心参数：

1806无刷电机	参数
工作电压$V_{dc}$	6-24V
额定负载电流$I_{rated-load}$	4.5A
满负载电流$I_{full-load}$	11.8A
PWM频率	20KHz
控制方式	FOC/六步换相

2.选择MOSFET

关键参数：

• 漏源电压：$V_{dss}$
  选择MOSFET时，先确定MOSFET的漏源击穿电压，需满足：
  $$V_{dss}\ge 1.5\times V_{dc}（电机工作电压）$$

通常推荐2倍以上的余量，我的电机工作电压是24V，所以我选60V左右的就可以。

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• 连续漏极电流：$I_d$
  我们根据电机的额定负载电流来选择MOSFET的连续漏极电流。
  因为数据手册中的$I_d$(连续漏极电流)是在25℃的条件下测的，正常情况下需降额50%-70%。
  计算时大多满足：

$$I_d\ge 2\times I_{rated-load}(电机额定负载电流)$$

我的电机额定负载电流为4.5A，我选择MOSFET的连续漏极电流10A左右就可以。

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• 峰值电流（脉冲电流）：$I_{dm}$
  根据电机的满负载电流来选择MOSFET的峰值电流。

$$I_{dm}\ge 2\times I_{full-load}(电机满负载电流)$$

我的电机满负载电流为11.8A，选择MOSFET的峰值电流大于23.6A就可以。

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• 栅极电荷：$Qg$
  尽量选择低的Qg，和低输入电容的MOSFET,减少驱动损耗和开关时间。

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• 导通电阻:$R_{ds}(on)$
  导通电阻决定导通损耗（导通损耗越小越好）；
  电流值应为负载电流有效值，可以用电机额定负载电流来算：

$$P_{导通损耗}=I_{rated-load}^2\times R_{ds}(on)$$

电机额定负载电流$I_{rated-load}=4.5A$，$R_{ds}(on)=15m\Omega$，则导通损耗约为0.3W。

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根据以上条件我选择了MSKSEMI(美森科)的AO4266-MS，其参数如下：

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3.选择驱动芯片

确定好MOSFET之后，我们就可以选择驱动芯片了。

关键参数：

• 驱动电流$I_{drive}$：
  $$I_{drive}\ge \frac{Q_g}{t_{switch}}$$
  已知：
  MOSFET的栅极电荷：$Qg=93nC（@VGS=10V）$
  MOSFET的输入电容：$C_{iss}=C_{gs}+C_{gd}$
  阈值电压：$V_{th}$（确保驱动电压>$V_{th}$）

先假设目标开关时间$t_{switch}=100ns$则：
$$I_{drive}\ge \frac{93nC}{100ns}=0.93A$$

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• 耐压值：
  驱动电压$V_{drive}$大于$V_{th}$确保完全导通；
  $$V_{drive}\ge 1.2\times V_{th}$$

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我选的UCC27712DR满足要求：

• PWM输入下拉电阻：
  作用：
  1：防止输入悬空时的误触发
  2：抑制电磁干扰（EMI）
  3：提高系统可靠性
  选型：
  低干扰场景：10kΩ ~ 100kΩ，优先考虑低功耗。
  高干扰场景：1kΩ ~ 10kΩ，侧重抗噪能力。
  验证关键点：驱动源电流能力、信号边沿速度、实际环境干扰水平。
  注意事项：
  部分驱动芯片内置下拉电阻，需查阅数据手册避免重复添加。
  高速PWM信号需额外注意RC延迟，必要时并联小电容加速边沿。

4.计算门极驱动电阻$R_g$和栅源电阻、栅源电容

计算过程：

• 门极驱动电阻$R_g$：
  经验公式：
  $$R_g=\frac{t_{\text{switch }}}{2.2\times C_{iss}}$$
  $t_{switch}$：MOSFET开通时间
  $C_{iss}$：MOSFET的输入电容：Vgd+Vgs(可先直接采用MOSFET上的参数)

$$R_g=\frac{t_{\text{switch }}}{2.2\times C_{iss}}=\frac{100ns}{2.2\times 4.1nF}\approx 11.1R$$
原方程：
$$R_g=\frac{t_{\text{switch }}}{C_{\text{iss }}\cdot \ln \left(\frac{V_{\text{drive }}}{V_{\text{drive }}-V_{\text{th }}}\right)}$$

• 验证驱动电流：
  $$I_{drive}=\frac{V_{drive}}{R_g}=\frac{12V}{11.1R}=1.08A>0.93A(符合)$$
  若不符合要求，再重新修改电阻值，进行计算，满足条件后修改$C_{iss}$增加$C_{gs}$的值（并联电容）

注意：驱动电流需要充足的余量（高频PWM（>50kHz）额外增加 20% 余量）

余量系数	适用场景	设计建议
20%~30%	低成本消费电子，短时工作	确保环境温和、参数稳定
50%~100%	通用工业设备，连续工作	关注温度降额和电源波动
100%~150%	汽车、航空、医疗等高可靠性场景	结合故障模式分析（如短路保护）

所以还要进行修改。

• 栅源电容$C_{gs}$：
  我结合标值进行选择选了6.8R的电阻；经计算驱动电流约1.76A;此时$t_{switch}=61.336ns$(小于目标100ns)
  所以需要并联小电容Cgs= 0.1$C_{iss}$~0.5$C_{iss}$;增加阻尼通常：100pF-10nF。
  $$t_{switch}=2.2\times R_g\times (C_{iss}+C_{gs})$$
  我加了个2.4nF的，$t_{switch}=97.24ns\approx 100ns$
• 栅源电阻$R_{gs}$：
  作用：为栅极电荷提供放电路径，增加栅极回路阻尼抑制高频震荡，防止栅极悬空导致误触发；
  主要参数是放电时间常数$\tau =C_{iss}\times R_{gs}$,条件就是：$\tau$要远小于PWM的周期时间一般选十分之一；
  即：
  $$R_{gs}<\frac{T_{\mathrm{PWM}}}{10\times C_{iss}}$$
  其中$C_{iss}$为总的电容值（包括后来加上去的）我带入计算50us/（10x6.5）约为0.77kR。选标值750R。
  计算验证：$\tau =C_{iss}\times R_{gs}=4.875us$远小于100us。

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5.设计自举电路

自举电路通常用于高边MOSFET或IGBT的驱动，通过自举电容和二极管来提供高于电源电压的驱动电压：
我驱动芯片的电源是12V，当高边MOSFET的源极电压上升到24V时，栅极驱动电压需要相对于源极至少要高10V左右（Vth加上余量），那么栅极电压需要达到24V + 10V = 34V，这显然无法通过12V电源直接提供。这时候必须使用自举电路。
关键参数：

• 先选择自举二极管：
  耐压值：防止自举电容高压反灌：
  耐压值>电源电压+驱动电压（包含余量的电压差）
  通常总的耐压值是电源电压的两倍以上。
  正向电流（充电电流）IF：需满足自举电容充电的峰值电流需求
  经典值：IF>1A（先选大于1A的后面再进行调整）
  反向恢复时间trr：越快越好
  快恢复二极管trr<100ns
  超快恢复二极管trr<50ns
  肖特基二极管trr=0
  注意：肖特基二极管的耐压值通常比较低常见在40V左右，24V系统的瞬态电压可能超过40V。
  

• 自举电容$C_{boot}$：
  $$C_{\mathrm{boot}}\ge \frac{Q_g+I_{\mathrm{leak}}\times T_{\mathrm{OFF}}}{\Delta V}$$
  通常取值（通常取1μF∼10μF）
  其中
  $Q_g$：为栅极电荷量
  $I_{\mathrm{leak}}$：所有的漏电流（栅极漏电流，二极管漏电流，栅极驱动漏电流，自身漏电流）
  $T_{\mathrm{OFF}}$：上管关闭状态的时间
  $\Delta V$：为自举电容允许的电压降通常<0.5V。

上管关闭状态时间，我还存在疑惑，所以我在别的地方看到了这样的一个公式：
$$\text{ Cbs }\ge 15\cdot \frac{2\cdot \left[2\cdot Q_g+Q_{\text{period }}+\frac{I_{\text{bs(staic) }}}{f}+\frac{I_{\text{bs(leak) }}}{f}\right]}{Vcc-V_F-V_{ds(L)}}$$
其中：
$Q_g$上管栅极电荷
$Q_{\text{period }}$：每个周期中电平转换电路的电荷要求，约5nC.
$I_{\text{bs(staic) }}$：上管栅极漏电流（静态电流）
$I_{\text{bs(leak) }}$：自举电容漏电流
$f$：工作频率
$V_{cc}$：自举二极管充电电压（下管供电电压）
$V_F$：自举二极管正向导通压降，
$V_{ds(L)}$：下管导通压降。

• 自举电阻$R_{boot}$：
  限流防止损坏二极管或电容
  减缓充电速度：过快的充电可能引起电压尖峰或振荡
  选型时需要平衡时间和功耗：
  阻值太大，充电时间过长，可能导致高边驱动电压不足；
  阻值太小，限流效果不明显，还可能增加功耗。

先根据下管导通时间$T_{on}$满足充电时间的要求：
（电机工作在6-24V，下管导通最小占空比为25%）
$$R_{boot}<\frac{T_{on}}{3\times C_{boot}}$$
其中：$T_{on}$为底边导通时间：根据PWM频率和占空比来算。
计算出来后验证是否满足电流需求
$$I_{peak}>\frac{V_{cc}-V_F}{R_{boot}}$$
其中：
$V_{cc}$为栅极驱动的工作电压；
$V_F$为自举二极管的正向压降；
$I_{peak}$为二极管或者MOSFET的峰值电流能力（选小的）。

若计算出现$R_{boot}$无解，则需调整设计：
1：修改自举电容大小
2：更换高电流二极管，允许更大充电电流。
经计算我选择4.22R

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三、仿真

待补充。。。。。

四、测试

五、总结