计算机组成原理-存储器实验——沐雨先生

一、实验目的及原理

1.掌握静态随机存储器RAM的工作特性

2.掌握静态随机存储器RAM的读写方法

二、实验要求

1.做好实验预习，熟悉MEMORY 6116芯片各引脚的功能和连接方式，熟悉其他实验元器件的功能特性和使用方法，看懂电路图

2.按照实验内容与步骤的要求，认真仔细地完成实验

3.完成实验报告

三、实验原理

实验所用的半导体静态存储电路如下图所示。数据开关（SW7-SW0）用于设置读写地址和欲写入存储器的数据，经三态门 74LS245 与总线相连，通过总线把地址发送至AR，或把欲写入的数据发送至存储器芯片。静态存储器由一片6116（2K * 8）构成，但地址输入引脚A8-A10接地，因此实际存储容量为256字节，其余地址引脚A0-A7与AR相连，读和写的地址均由AR给出。6116的数据引脚为输入、输出双向引脚，与总线相连，既可从总线输入欲写的数据，也可以通过总线输出数据到数据灯显示。共使用两组显示灯，一组显示从存储器读出的数据，另一组显示存储单元的地址。
6116 有三根控制线， 为片选线， 为读线， 为写线，三者的有效电平均为低电平。当片选信号有效时， 时进行读操作， 时进行写操作。本实验将 接地，在此情况下，当 时进行读操作；当 时进行写操作。由于6116的 信号是由 控制信号与 进行与非运算得来的，因此， 时为写操作，其写时间与 脉冲宽度一致。
读数据时，在数据开关上设置好要读的存储单元地址，并打开三态门 74LS245，LDAR 置1，发出一个 P2 脉冲，将地址送入6116，设置6116为读操作，即可读出数据并在数据灯上显示。
写数据时，在数据开关上设置好要写的存储单元地址，并打开三态门 74LS245，LDAR 置1，发出一个P2 脉冲，将地址送入 6116，然后在数据开关上设置好要写的数据，确保三台门打开，设置6116为写操作，发出一个 P1 脉冲，即可将数据写入。

四、实验内容及步骤

1.运行虚拟实验系统，按照上图得到实验电路。

实验电路：

2.进行电路预设置，如下：

2.1 将 74LS273的$\overline{MR}$置1，AR不清零。

2.2 $\overline{CE}=1$，RAM6116未片选。

2.3 $\overline{SW-BUS}=1$ 三态门关闭。

3.打开电源开关

4.存储器写操作。

向01H、02H、03H、04H、05H 存储单元分别写入十六进制数据11H、12H、13H、14H、15H，具体操作步骤如下（以向 01 号单元写入11H为例）：

4.1 将 SW7~SW0 置为 00000001，$\overline{SW-BUS}=0$，打开三态门，将地址送入BUS 。

4.2 LDAR = 1，发出 P2单脉冲信号，在 P2的上升沿将 上的地址存入AR，可通过观察AR所连接的地址灯来查看地址，$\overline{SW-BUS}=1$ 关闭三态门。

4.3 $\overline{CE}=0$，$WE=1$, 6116 写操作准备。

4.4 将SW7~SW0置为00000001，$\overline{SW-BUS}=0$，打开三态门，将数据送入BUS 。

4.5 发出P1单脉冲信号，在P1的上升沿将 BUS 上的数据 00010001 写入 RAM 的 00 地址。

4.6 $\overline{CE}=1$，6116 暂停工作， $\overline{SW-BUS}=1$ 关闭三态门。

5.存储器读操作。

依次读出01H、02H、03H、04H、05H单元中的内容，观察上述单元中的内容是否与前面写入的一致。具体操作步骤如下（以从 01 号单元读出数据11H为例）：

5.1 将 SW7~SW0 置为 00000001，$\overline{SW-BUS}=0$，打开三态门，将地址送入 BUS。

5.2 $LDAR=1$，发出 P2单脉冲信号，在 P2的上升沿将 BUS 上的地址存入AR，可通过观察AR所连接的地址灯来查看地址， $\overline{SW-BUS}=1$ 关闭三态门。

5.3 $\overline{CE}=0$，$WE=1$, 6116 进行读操作，观察数据等是否为先前写入的 00010001。

5.4 $\overline{CE}=1$，6116停止工作。

五、思考与分析

1.由两片6116（2K * 8）怎样扩展成（2K * 16）或（4K * 8）的存储器？

2K * 16 电路图：

4K * 8 电路图：