半导体存储器（ROM、RAM）

目录

一、概述

二、分类

三、只读存储器（ROM）

四、随机存储器（RAM） 

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一、概述

半导体存储器是一种可以存储大量二值信息的半导体器件。在电子计算机及一些其他的数字系统的工作过程中，需要对大量的数据进行储存。由于数据处理的数据量和运算速度的要求，因此把存储量和存取速度作为衡量存储器的重要指标。

因为半导体存储器的存储单元十分庞大，不可能把每个存储单元的输入和输出直接引出。通常是把存储器中的每个存储单元编一个地址，只有被输入地址指定的那些存储单元才能与公用的I/O引脚接通。

二、分类

1. 从存、取功能上分：只读存储器（Read-Only Memory，ROM）；随机存储器（Random Access Memory，RAM）两大类。

        （1）只读存储器不能快速随时修改或重新写入数据，适用于存储固定数据的场合；但电路简单，断电后数据不会丢失。ROM又有掩模ROM、可编程ROM（Programmable Read-Only Memory，PROM）和可擦除的可编程ROM（Erasable Programmable Read-Only Memory，EPROM）.

        （2）随机存储器与只读存储器的区别在于：正常工作状态下便可以随时快速的向存储器写入数据或者从中读取数据。

根据存储单元的工作原理不同，可将RAM分为：静态存储器（Static Random Access Memory，SRAM）和动态存储器（Dynamic Random Access Memory,DRAM）。动态存储器的存储单元结构简单，集成度高于静态存储器，但是动态存储器的存取速度不及静态存储器

2.从制造工艺上分：双极型、MOS型（目前大多数工艺采用）。

三、只读存储器（ROM）

ROM 的电路结构包括存储矩阵、地址译码器和输出缓存器三个组成部分，如图3-1所示。

图3-1 ROM的电路结构框图

1.掩模只读存储器：存储的数据依靠掩模板决定，掩模板按照用户的要求专门设计，故出厂时，数据就已经固化在里面。

2. 可编程只读存储器（PROM）：设计人员可按照自己的需求将内容写入到PROM中。

有熔丝型PROM：出厂时，相当于所有存储单元都存入1，写入数据时，设法将需要存入0的存储单元上的熔丝烧断即可。

“反熔丝结构”的PROM：可编程的连接点上是一个绝缘连接件，相当于所有存储单元都存入0，写入数据时将需要存入1的绝缘单元击穿即可。

可见，PROM的内容一经写入后便不能再修改。

3.可擦除的可编程只读存储器（EPROM）：顾名思义，该存储器可以经常修改ROM里面的内容。

EPROM的总体结构与掩模ROM的相同，只是存储单元不同。

根据擦除方式的不同，可分为：

• 紫外线擦除的可编程ROM（Ultra - Violet Erasable Programmable Read-Only Memory，UVEPROM）；
• 电信号擦除的可编程ROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，E2PROM）；
• 新一代的电信号擦除的可编程ROM——快闪存储器（Flash Memory）。

四、随机存储器（RAM） 

RAM在工作时可以随时从任何一个指定地址读出数据，也可以随时将数据写入任何一个指定的存储单元中。优点是读、写方便，使用灵活。但是，数据易失，掉电后存储的数据将丢失。

1.静态随机存储器（SRAM）：

SDRAM电路由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成。如图4-1所示。

图4-1 SRAM 的结构框图

SRAM的存储单元是在SR锁存器的基础上附加门控管组成的，因此他靠锁存器的自保持功能存储数据。

2.动态随机存储器（DRAM）

RAM的动态存储单元是利用MOS 管栅极电容可以存储电荷的原理制成的。由于栅极电容的漏电流不可能绝对为零，为避免存储的信号丢失，必须定时给栅极电容补充电荷，该操作通常称为刷新。

图4-2 SRAM 的结构框图