3.3.1 半导体存储器RAM（19）

半导体存储芯片的基本结构

1，存储矩阵：由大量存储单元构成

2，译码驱动：提供一行数据的电源

3，读写电路：为存储矩阵提供控制信息

4，片选线：是否选中这个芯片，用于容量扩充

5，地址线：外部信号选通那一行的信息单元

6，数据线：读出一行的地址，可以知道一个存储单元有多少位

7，数据线数和地址线数共同反映了存储芯片容量的大小

主存主要采用的芯片

DRAM和SRAM

RAM随机存储器

	SRAM	DRAM
存储信息（0/1）	触发器	电容
破坏性读出	稳态	破坏性
需要刷新	不需要	需要
送行列地址（行地址、列地址）	因为行列地址不同，需要一次性	行列长度相同，可以采用分两次发送，地址线减半
运行速度	快	慢
集成度	低	高
发热量	大	小
存储成本	高	低

现在一般是SDRAM

DRAM刷新

1. 行列地址

   1. n位地址，就会有2^n条线来选通，太多线，DRAM采用坐标的方式定位到某个存储单元
   2. 前n/2为行地址，后n/2为列地址
   3. 这样只需要2*2^(n/2)条选通线

2. 每次刷新一行的单元

3. 如何刷新

   1. 有专门的硬件支持，占用一个读写周期，读了马上写

4. 什么时候刷新

   1. 刷新时间是2ns
   2. 也就是2ns内需要刷新全部的行，刷新时间为一个读写周期

三种刷新模式

1. 分散刷新：
   1. 每读写一次就刷新一次
2. 集中刷新：
   1. 一个周期内专门挑出一段时间来进行全部行的刷新
3. 异步刷新：
   1. 2ns内算出要多少间隔来进行刷新，这样死时间不集中