一、运放基础指标详解

一、输入失调电压（Offset Voltage,Vos）

       定义：运放开环时，加在输入端之间的直流电压使得输出电压为0。或者是当运放接成跟随器且正输入接地时，输出的非0电压。（1uA以下属于极优秀的。100uA以下属于较好的，最大可达到几十毫安）   

       对于任意一个放大器无论开环还是反馈连接，当两个输入端都接地时，理论上输出应该是0，但由于运放内部两条输入支路无法做到完全平衡，因此导致输出永远不会为0。此时保持反相不变的情况下给同相施加可调节的直流电压，调节并使得放大器输出电压为0。此时正相输入端的电压即输入失调电压。多数情况下，Vos不分正负，厂家以绝对值表示。

       运放Vos图解：

        对运放电路的影响：若设计一个放大倍数为A的放大电路，运放输入失调电压为Vos，则输出存在一个A*Vos的直流分量。因此，增益越大则输出失调电压就越大。若被测信号含有直流分量并且你关注直流分量，那就必须选择Vos较小的运放，若你只关注交流分量，则可使用电容耦合，将其消除。

二、失调电压漂移（Offset Voltage Drift）

        定义：当温度、时间、供电电压、等自变量变化时，Vos会发生变化。Vos随自变量变化的比值，称为失调电压漂移。优劣范围：0.002uV/℃~几十uV/℃

        对电路的影响：很严重，由于它不能被调零端调零，即便调零完整，它还会带来新的失调。因此在高精度、高稳定性要求的场合，尽量选择漂移系数较小的运放。

三、输入偏置电流（Input bias current，IB）

        定义：在输出维持一定的电平时，两输入端流进电流的平均值。优劣范围：60fA~100uA

        由于运放的两个输入端不是绝对高阻的，IB主要描述的是输入端流进电流的数量级。比如运放接成跟随器且正输入端接地时，正输入端存在流进电流IB1为2nA，负输入端IB2流进电流4nA，则该运放的IB为3nA，如图所示：

        对电路的影响：第一，若运放接成跨阻放大器测量外部微小电流时，过大的输入偏置电流会分掉被测电流，使得测量误差增大。第二，当放大器的一个输入端通过一个电阻接地时，这个电流会在电阻上产生输入电压。

四、输入失调电流（Input offset current，Ios）

       定义：当输出维持在规定的电平时，两个输入端流进电流的差值。 优劣范围20fA~100µA。  

       需要注意的是，这是数值的大小一般与该芯片的偏置电流相当。这很像一个班 级的考试分数，平均大于 70 分，最大值与最小值差值大约也是 70 分（100 分-30 分）。我 们很少见到奇怪的现象：偏置电流是失调电流的 10 倍，说明其一致性太好了。

       对电路的影响：失调电流的存在，说明两个输入端客观存在的电流有差异，后面将要所述的， 用外部电阻实现匹配抵消偏置电流影响的措施，在此就失效了