随机存储器类型与现状

最新推荐文章于 2024-05-27 23:29:33 发布

Elven_20230609

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文章标签：嵌入式硬件硬件工程

本文链接：https://blog.csdn.net/Elven_20230609/article/details/131128872

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本文介绍了随机存储器RAM的种类，包括SRAM、DRAM、SDRAM、LPSDR SDRAM和LPDDR SDRAM，以及新兴的MRAM技术。SRAM和DRAM广泛应用于嵌入式系统，而LPDDR5作为最新的LPDDR标准，提供了更高的数据传输速度和更低的能耗。MRAM结合了SRAM和DRAM的优势，并以STT-MRAM为代表，展现出广阔的发展前景。

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随机存储器RAM（Random Access Memory）分类

静态随机存储器：SRAM（Static Random Access Memory）

异步静态随机存储器：Async SRAM（Asynchronous SRAM）

同步静态随机存储器：Sync SRAM（Synchronous SRAM）

管道突发静态随机存储器：PBSRAM（Pipelined Burst SRAM）

动态随机存储器：DRAM（Dynamic Random Access Memory）

同步动态随机随机存储器：SDRAM（Synchronous DRAM）

单倍速率同步动态随机存储器：SDR SDRAM （Single Data Rata SDRAM）

双倍速率同步动态随机存储器：DDR SDRAM （Double Data Rata SDRAM）

低功耗单倍速率同步动态随机存储器：LPSDR SDRAM （Low Power Single Data Rata SDRAM）

低功耗双倍速率同步动态随机存储器：LPDDR SDRAM （Low Power Double Data Rata SDRAM）

磁阻式随机存储器：MRAM（Magnetic Random Access Memory）

自旋转移矩磁阻式随机存储器：STT MRAM（Spin Transfer Torque MRAM）

随机存储器RAM（Random Access Memory）现状

SRAM:

一般数据位宽为8bit/16bit，典型访问时间10ns，典型供电电压1.8V/3.3V/5V，一般常用最大容量32Mb，可包含ECC校验和突发。

主要厂家有：

ISSI：型号如IS61WV25616 / IS61WV20488 /IS64WV204816，一般有18位/ 21位地址线。

Alliance Memory：供应的SRAM系列包含密度从64Kb到16Mb的快速SRAM和64Kb到32Mb的低功耗 (LP) SRAM，两者都提供x8和x16的配置。型号如AS7C316098B/AS1C8M16PL，一般有20位/ 22位地址线。

LPSDR SDRAM：

一般数据位宽为16bit/32bit，典型访问时间6ns/7.5ns，典型供电电压1.8V，存储容量为128Mb/256Mbit/512Mb，时钟速率133MHz/166MHz。

主要厂家有：

Micron：型号如MT48H16M32LF/MT48H32M16LF （512Mb）

Winbond：型号如W989D6DB/W989D2DB （512Mb）

LPDDR SDRAM：

最新为LPDDR5（Low Power Double Data Rate 5），由JEDEC（固态存储协会）于2019年2月20日发布，内存标准JESD209-5。相较于2014年发布的第一代LPDDR4标准，LPDDR5的I/O速度从3200 MT/s 提升到6400 MT/s（DRAM速度6400Mbps）。LPDDR5引入了链路ECC纠错，信号电压为250mV，Vddq/Vdd电压为1.1V。

MRAM：

MRAM是一种非易失性磁性随机存储器，是利用具高敏感度的磁电阻材料制造的存储。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。分为传统MRAM及STT-MRAM，前者以磁场驱动，后者则采自旋极化电流驱动。STT-MRAM通过自旋电流实现数据写入，具备结构简单、成本低、损耗小、速度快等一系列优点，是未来发展趋势。