作者：Whappy 座右铭：从哪里跌倒，从哪里爬起。生活中我们可以给自己选定一句座右铭，它激励着人们在困难中不断前进。下面是我精心收集整理，欢迎阅读，希望您能阅读并收藏。时间：2024.8.2 欢迎交流学习q606921195
一、场效应管和MOS管
场效应管（Field Effect Transistor, FET）是一种利用电场效应控制电流的半导体器件，广泛用于放大和开关电路中。MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是场效应管的一种，具有高输入阻抗和低功耗等特点。
二、MOS管分类
MOS管根据沟道类型和结构可以分为以下几类：
1. 根据沟道类型
- N沟道MOS管（NMOS）：利用电子作为主要载流子。
- P沟道MOS管（PMOS）：利用空穴作为主要载流子。
2. 根据结构
- 增强型MOS管：在无栅极电压时，MOS管处于关闭状态。需要施加一定的栅极电压才能导通。
- 耗尽型MOS管：在无栅极电压时，MOS管处于导通状态。施加栅极电压可以使其关闭。
三、MOS管原理
3.1 MOS管的制造
MOS管的制造涉及到半导体工艺，包括氧化、光刻、掺杂等步骤。典型的制造过程如下：
- 在硅片上生长一层二氧化硅（SiO₂）作为绝缘层。
- 在绝缘层上沉积一层多晶硅或金属作为栅极。
- 通过光刻和掺杂技术形成源极和漏极。
3.2 MOS管命名由来
MOS管的命名源于其结构和工作原理：
- M：金属（Metal），指栅极材料。
- O：氧化物（Oxide），指栅极绝缘层材料。
- S：半导体（Semiconductor），指基体材料。
- FET：场效应管（Field-Effect Transistor），描述其工作原理。
3.3 MOS管图标由来
MOS管的电路符号反映了其结构和功能：
- NMOS：箭头指向外部，表示N沟道器件，电子为主要载流子。
- PMOS：箭头指向内部，表示P沟道器件，空穴为主要载流子。
3.4 MOS管原理简析
MOS管的工作原理基于电场效应，通过栅极电压控制沟道的导通与关闭：
- 增强型MOS管：当栅极电压超过阈值电压时，在源极和漏极之间形成导电沟道，MOS管导通。
- 耗尽型MOS管：无栅极电压时已经存在导电沟道，施加栅极电压可以使沟道变窄或关闭。
3.5 MOS管输出特性曲线
MOS管的输出特性曲线描述了漏极电流（I_D）随漏源电压（V_DS）变化的关系。在不同的栅源电压（V_GS）下，曲线分为三部分：
- 线性区：V_DS较小，漏极电流与V_DS成正比。
- 饱和区：V_DS较大，漏极电流趋于饱和，不再随V_DS增加显著变化。
- 截止区：栅源电压低于阈值电压，漏极电流接近零。
3.6 MOS管转移特性曲线
MOS管的转移特性曲线描述了漏极电流（I_D）随栅源电压（V_GS）变化的关系，反映了MOS管的放大能力和灵敏度。
为什么介绍MOS管的文章多以NMOS为例
五、MOS管参数
MOS管的主要参数包括：
MOS管的导通条件
MOS管的导通条件是栅源电压（V_GS）超过一定的阈值电压（V_th）。具体来说：
MOS管的寄生电容
MOS管内部存在三种主要的寄生电容：
这些寄生电容会影响MOS管的开关速度和高频特性。
米勒电容
米勒电容是指栅漏电容（C_gd）。它会影响MOS管的开关特性，因为在开关过程中，米勒效应会使得栅极电压变化较慢，从而延长开关时间。
为什么常在MOS管GS并联电阻?
在MOS管的栅极和源极之间并联电阻的主要原因是：
为什么要在MOS管G级串联电阻?
在MOS管的栅极串联电阻的原因包括：
六、MOS管的封装
MOS管常见的封装形式有：
七、MOS管判别
判断MOS管的类别和极性的方法有：
八、MOS管应用
MOS管在各种电路中广泛应用，主要包括：
MOS管在电子电路中的关键作用是由于其高效的开关特性和低功耗特性，使其成为现代电子设备中不可或缺的元件。
- 易理解：NMOS结构简单，电子迁移率高，易于理解和分析。
- 应用广泛：NMOS在数字电路中广泛应用，特别是在CMOS（互补金属氧化物半导体）技术中，NMOS和PMOS配合使用，构成大多数现代集成电路的基础。
-
四、MOS管特点
MOS管（MOSFET，金属氧化物半导体场效应管）具有以下特点：
- 高输入阻抗：由于其栅极与源极之间是一个绝缘层，输入阻抗非常高，几乎没有栅极电流。
- 低导通电阻：在导通状态下，漏极和源极之间的电阻很低，能够通过大电流。
- 开关速度快：因为是电压控制型器件，开关速度较快，适用于高速开关电路。
- 低功耗：栅极驱动功率低，主要在开关过程中的瞬间功耗，静态功耗极低。
- 电压驱动：工作时无需电流，主要通过栅极电压控制漏源电流。
- 漏源电压（V_DS）：漏极和源极之间能够承受的最大电压。
- 栅源电压（V_GS）：栅极和源极之间能够承受的最大电压。
- 漏极电流（I_D）：漏极能够通过的最大电流。
- 导通电阻（R_DS(on)）：在导通状态下，漏极和源极之间的电阻。
- 跨导（g_fs）：表示漏极电流对栅源电压的变化率，反映了器件的放大能力。
- 耗散功率（P_D）：MOS管能够承受的最大功耗。
- 寄生电容（C_iss, C_rss, C_oss）：栅源电容（C_gs），栅漏电容（C_gd）和漏源电容（C_ds）。
- 增强型MOS管：当V_GS > V_th时，MOS管导通。
- 耗尽型MOS管：当V_GS < V_th时，MOS管导通。
- 栅源电容（C_gs）：栅极和源极之间的电容。
- 栅漏电容（C_gd）：栅极和漏极之间的电容，也称为米勒电容。
- 漏源电容（C_ds）：漏极和源极之间的电容。
- 泄放静电：防止由于静电积累导致的误导通或损坏。
- 稳定栅极电压：防止栅极电压漂移，确保MOS管在关断时完全关闭。
- 限制峰值电流：在开关瞬间限制栅极的峰值电流，保护驱动电路。
- 减小振荡：抑制高频振荡和尖峰，改善电路的稳定性。
- TO-220：适用于大功率应用，带有散热片。
- TO-247：比TO-220更大，适用于更高功率应用。
- SOT-23：小型封装，适用于小功率应用。
- DFN/QFN：无引线封装，适用于高密度PCB设计。
- 查阅数据手册：根据型号查阅数据手册获取详细信息。
- 使用万用表：通过测量栅极与源极之间的电阻和漏极与源极之间的电阻来判断增强型或耗尽型MOS管及其极性。
- 开关电源：用于DC-DC转换器和AC-DC电源中。
- 功率放大器：在音频放大器和射频放大器中应用。
- 电机驱动：用于电机控制和驱动电路中。
- 逻辑电路：作为开关元件用于数字逻辑电路中。
- 保护电路：用于电源保护和过流保护电路中。
1. 三个极的判定
G极(gate)—栅极，不用说比较好认
S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是
D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边
2. N沟道与P沟道判别
箭头指向G极的是N沟道
箭头背向G极的是P沟道
3. 寄生二极管方向判定
不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：
要么都由S指向D，要么都有D指向S
4. MOS开关实现的功能
1>信号切换
2>电压通断
5. MOS管用作开关时在电路中的连接方法
关键点:
1>确定那一极连接输入端，那一极连接输出端
2>控制极电平为？V 时MOS管导通
3>控制极电平为？V 时MOS管截止
NMOS：D极接输入，S极接输出
PMOS：S极接输入，D极接输出
反证法加强理解
NMOS假如：S接输入，D接输出
由于寄生二极管直接导通，因此S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用
PMOS假如：D接输入，S接输出
同样失去了开关的作用
6. MOS管的开关条件
N沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通
P沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通
总之，导通条件：|Ugs|>|Ugs(th)|
7. 相关概念
BJT
Bipolar Junction Transistor 双极性晶体管，BJT是电流控制器件；
FET
Field Effect Transistor 场效应晶体管，FET是电压控制器件.
按结构场效应管分为：结型场效应（简称JFET）、绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类
按沟道材料：结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.
按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
8. MOS管重要参数
①封装
②类型（NMOS、PMOS）
③耐压Vds（器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大的电压）
④饱和电流Id
⑤导通阻抗Rds
⑥栅极阈值电压Vgs(th)
9. 从MOS管实物识别管脚
无论是NMOS还是PMOS
按上图方向摆正，中间的一脚为D，左边为G，右边为S。
或者这么记：单独的一脚为D，逆时针转DGS。
这里顺便提一下三极管的管脚识别：同样按照上图方向摆正，中间一脚为C，左边为B，右边为E。
管脚编号
从G脚开始，逆时针123
三极管的管脚编号同样从B脚开始，逆时针123
10. 用万用表辨别NNOS、PMOS
借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档，红表笔接S,黑表笔接D，有数值显示，反过来接无数值，说明是N沟道，若情况相反是P沟道。
11. 画一个MOS管
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