为什么叫MOS
MOSFET原意:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化物(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。但随半导体技术的进步,现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属.
·用一块N型硅半导体材料作衬底;
·在其面上扩散两个P型区,再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2)或氮氧化硅SiON绝缘层:
·最后在N区上方用腐蚀的方法做两个孔,用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极:G(棚极)、S(源极)及D(漏极),目前已用多晶硅来代替了金属;
·—般情况,源极与衬底(基极)连接在一起:
·MOSFET电路符号中,箭头方向永远从P端指向N端,以箭头从通道指向基极端或基极指向通道来判断MOSFET类型;
对于P型MOS管,Ug-Us>0&&Us-Ud>0,这时候,两个P之间就是导通的,也就是MOS管导通
如何辨别PMOS和NMOS管
方法1:看红色箭头的方向,向外PMOS管,向里NMOS管
方法2:看体二极管的方向,正极放在S端(源极),负极放在D级(漏极),这时候就是NMOS
反之,则为PMOS管。
标准平面Planar扩散性晶体管
这几个电阻做的越小越好。
Planar型水平结构与垂直结构
标准沟槽式Trench MOSFET
Rjfet电阻是比较大的,剩下的电阻之和>>原来的电阻之和,这样就改变了Rds的值了
MOSFET极间电容分析
极间电容的介绍
由于工艺的限制,出现的分布电容,尽量做小
Crss=Cgd(反向传输电容)
Ciss=Cgs+Cgd(输入电容)
Coss=Cds+Cgd(输出电容)
Cgs=Cgs1+ Cgs2+Cgs3
Cds=Cds1+Cds2
极间电容对MOS的影响(所有的电容都是在MOS管里面)
Ciss : Input Capacitance
将漏源短接,用交流信号测得栅极和源极之间的电容,由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成,当输入电容充电致阙值电压时器件才能开启,放电致一定值时器件才可以关断,因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响(如图)(要对电容进行充电和放电,会有一个阈值电压,决定了充放电的时间)
Coss : Output Capacitance
将栅源短接,用交流信号测得的漏极和源极之间的电容,由漏源电容Cds和栅漏电容cgd并联而成,对于软开关的应用,Coss非常重要,因为它可能引起电路的谐振;
当GS已经关掉的时候,从逻辑上面来说,DS端是关闭的,但是由于刚开始,GS之间通过电压导通之后,会在DS上面产生一个上正下负的电流,就会对Coss电容进行充电,从而产生一个上正下负的电压,并且储存在电容里面,储存的能量,就是电容的的压降,在GS关断的时候,这个电容会放电,在关闭的过程中,电阻是一直在变化的(越来越大)
Crss :反向传输电容
在源极接地的情况下,测得漏极和栅极之间的电容,反向传输电容等同于栅漏电容Cgd。反向传输电容也叫做米勒电容,对于开关的上升和下降时间来说是一个重要的参数,还影响这关断延时时间。电容随着漏源电压的增加而减小,尤其是输出电容和反向传输电容;
MOS管的转移特性:当GS的电容电压达到平台电压的时候,Id已经达到系统的最大电流,这个时候MOS管会有一个转移特性,GS和Id之间,是有一个比例关系的,GS电压上升,Id上升,当Id达到最大的时候,GS电压也不在上升。
当Id达到最大的时候,C10不在充电,这时候的15V经过米勒电容,再经过Id流下来的,形成回路,这样Vgs上面的电容才保持不变 MOS管没有完全导通也能够为系统提供所需要的最大电流
当MOS管完全导通之后,就不在有转移特性(Vds=0V),在平台电压的一段,MOS管是最发热的