MOS管（又叫场效应管）

为什么叫MOS

MOSFET原意:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化物(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。但随半导体技术的进步，现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属.

 

·用一块N型硅半导体材料作衬底;

·在其面上扩散两个P型区，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2)或氮氧化硅SiON绝缘层:

·最后在N区上方用腐蚀的方法做两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极:G(棚极)、S(源极)及D(漏极),目前已用多晶硅来代替了金属;

·—般情况,源极与衬底(基极)连接在一起:

·MOSFET电路符号中,箭头方向永远从P端指向N端,以箭头从通道指向基极端或基极指向通道来判断MOSFET类型;

对于P型MOS管，Ug-Us>0&&Us-Ud>0，这时候，两个P之间就是导通的，也就是MOS管导通

如何辨别PMOS和NMOS管

方法1：看红色箭头的方向，向外PMOS管，向里NMOS管

方法2：看体二极管的方向，正极放在S端（源极），负极放在D级（漏极），这时候就是NMOS

             反之，则为PMOS管。

标准平面Planar扩散性晶体管

 这几个电阻做的越小越好。

Planar型水平结构与垂直结构 

标准沟槽式Trench MOSFET

Rjfet电阻是比较大的，剩下的电阻之和>>原来的电阻之和，这样就改变了Rds的值了

MOSFET极间电容分析

极间电容的介绍

由于工艺的限制，出现的分布电容，尽量做小

Crss=Cgd（反向传输电容）

Ciss=Cgs+Cgd（输入电容）

Coss=Cds+Cgd（输出电容）

Cgs=Cgs1+ Cgs2+Cgs3

Cds=Cds1+Cds2

极间电容对MOS的影响（所有的电容都是在MOS管里面）

Ciss : Input Capacitance 
将漏源短接,用交流信号测得栅极和源极之间的电容，由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成，当输入电容充电致阙值电压时器件才能开启，放电致一定值时器件才可以关断，因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响（如图）（要对电容进行充电和放电，会有一个阈值电压，决定了充放电的时间）

Coss : Output Capacitance
将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容，由漏源电容Cds和栅漏电容cgd并联而成，对于软开关的应用，Coss非常重要，因为它可能引起电路的谐振;

当GS已经关掉的时候，从逻辑上面来说，DS端是关闭的，但是由于刚开始，GS之间通过电压导通之后，会在DS上面产生一个上正下负的电流，就会对Coss电容进行充电，从而产生一个上正下负的电压，并且储存在电容里面，储存的能量，就是电容的的压降，在GS关断的时候，这个电容会放电，在关闭的过程中，电阻是一直在变化的（越来越大）
Crss :反向传输电容
在源极接地的情况下，测得漏极和栅极之间的电容，反向传输电容等同于栅漏电容Cgd。反向传输电容也叫做米勒电容，对于开关的上升和下降时间来说是一个重要的参数，还影响这关断延时时间。电容随着漏源电压的增加而减小，尤其是输出电容和反向传输电容;

MOS管的转移特性：当GS的电容电压达到平台电压的时候，Id已经达到系统的最大电流，这个时候MOS管会有一个转移特性，GS和Id之间，是有一个比例关系的，GS电压上升，Id上升，当Id达到最大的时候，GS电压也不在上升。

当Id达到最大的时候，C10不在充电，这时候的15V经过米勒电容，再经过Id流下来的，形成回路，这样Vgs上面的电容才保持不变       MOS管没有完全导通也能够为系统提供所需要的最大电流

当MOS管完全导通之后，就不在有转移特性（Vds=0V），在平台电压的一段，MOS管是最发热的