EE213 virtuoso 教你看懂MOS&inventer版图

目录

 

0 前言

1 学习中遇到的困惑

2 前置知识

3 版图详解

3.1 nwell&pwell

3.4 active

3.3 nimplant&pimplant

3.4 poly

3.5 metal

3.6 contact

0 前言

记录一下来到skd上的强度比较大的一门课，数字集成电路2的lab设计还是蛮好的，该帖非详细教程只是单纯的写一些思虑并用作笔记，新手小白欢迎交流，有错勿喷！

1 学习中遇到的困惑

在学习的过程中，电路的知识相信大家都能够学会，但是画版图的时候，各层的功能我真的是一头雾水。虽然跟着教程做能够得到最终的结果，但是也没有特别了解到每一层的意义，所以我打算写一些自己的理解，可能不够准确，欢迎指出错误，希望能给提供一些帮助！本文章不讨论DRC相关内容，请根据规则自行检查版图排布。

2 前置知识

如图所示，是一个反相器的原理图，由一个PMOS和一个NMOS组成，PMOS的源级和body接VDD,漏极接在NMOS的漏极同时接输出，NMOS的源极和body接GND；输入端接两个MOS管的栅极，输出为漏极；再明确了接线关系后，我们便可以逐步分析下面的版图；

蓝色的图层为metal图层；红色的图层为ploy层作为栅极；contact可以连接metal和poly层；pwell和nwell是沉底的低掺杂区；nimplant和pimplant是离子注入的区域，也就是主要的掺杂区域，active为有源区与implant重叠为有源区，也就是MOS管的主要工作区域；metal和有源区可以通过contact连接在一起

3 版图详解

3.1 nwell&pwell

nwell&pwell是衬底的轻掺杂，上侧的nwell是PMOS的衬底，为了在其上做P离子的注入；下侧的pwell是NMOS的衬底，为了在其上做N离子的注入；

3.2 active

绘制PMOS和NMOS的active，左侧方形为body端，右侧为MOS管的主要区域S G D，上下的距离为晶体管的宽度，在绘制poly之后更加明显，栅极宽度为90nm

3.3 nimplant&pimplant

 绘制nimplant&pimplant离子注入的区域，注意上方PMOS只有和active重叠的部分才是有源区，也就是有效的部分，上放PMOS注入p离子，下方NMOS注入n离子

3.4 poly

绘制poly作为栅极，poly经过有源区，在有源区的poly两侧分别为S D级，下图中poly的宽度为沟道长度，图中沟道长度为50nm

3.5 metal

metal为金属连接线，将需要连接的MOS管端口相互连接并打上端口标签

3.6 contact

contact可以连接poly和metal，也可以连接metal和有源区，所以绘制contact用作来连接网络