- 博客(16)
- 收藏
- 关注
RSS订阅原创 可靠性设计之ESD版图设计
在电路中，直接连接到PAD的器件有被"静电放电"冲击的风险。所以工艺厂提供了可以抗ESD冲击的器件，称为ESD器件电路中标注的ESD处理就是指，在版图中要对应的器件进行ESD保护处理，即采用特殊画法，称为ESD画法，使器件具有和ESD器件一样的抗ESD特性。使这个器件可以抗住ESD测试的电压，且正常工作时不影响电路性能常用的ESD保护器件有电阻，二极管，双极性晶体管，Mos管，可控硅等，由于MOS管和cmos工艺兼容性好，因此经常采用MOS管构造保护电路。
2023-03-26 10:41:33
5799
2
原创 可靠性设计之天线效应
在工艺生产中，暴露的一根根长长的poly或metal等导体，如一根根天线，当周围有游离电荷时，这些天线就会将电荷收集起来。天线越长，收集电荷效果越强，收集的电荷也就越多。当电荷足够多，电压相对也越高。当电压超过周围介质的耐压的时候，就会引发击穿，产生放电。绝缘层一旦被击穿，就会改变其电学特性，且不可逆，进而发生各种失效，漏电等bug使电路失效。ps:禁止悬空的metal，尤其是悬空的gate连接的metal，∵会吸收电荷，产生天线效应。
2023-03-23 11:38:54
2278
原创 可靠性设计之闩锁效应
闩锁效应是cmos工艺所特有的寄生效应。闩锁效应是由nmos有源区、p衬底、n阱、pmos的有源区构成的n-p-n-p结构，寄生成的两个相关的三极管产生的，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁情况下，器件在电源和地之间形成短路，通过三极管放大电流，造成大电流，EOS(电过载)和器件损坏。是半导体失效的主要原因之一。
2023-03-23 10:19:46
8132
原创 Virtuoso工具基础讲解
Tools→library maneger(跳出新窗口)→File→New→cell view→出现newfile窗口，设置完后点ok→出现电路页面。选中，按q:调出Edit object properties窗口，可查看编辑器件属性(版图，电路通用)打散器件: Edit→Hierarchy→Flatten→pcell勾选→oK。启动ⅩL工具:在电路界面，launch→layout XL→create new。File→Export(导出)→CDL(网表) (2，快捷键)
2023-03-22 23:36:58
10197
原创 版图学习一一寄生效应
任何两个导体间只要存在介质(任何两个非绝缘体层次之间)都会产生寄生电容任何导体都存在寄生电阻，金属，栅，衬底，扩散区，都存在寄生电阻。
2023-03-21 10:05:46
6019
2
原创 工作环境设置
Linux系统:主要服务于服务器端，开放性根目录:在Teminal下输入CD命令后，跳出路径地址启动目录:启动软件的路径下包含的目录Terminal:命令行，语言输入界面。
2023-03-20 22:08:01
364
原创 PDK和工艺文件解读
③(mininum enclosure from A edge to B edge 0.6um B的内边界到a的外边界的最小间距是0.6um)半导体器件中的最小尺寸，典型代表为"栅"的宽度，即MOS器件的沟道长度。INV的三种表现形式:symbol，schematic，layout。layout图形生产顺序:AA→GP→SN→SP→CT→M1→V1。包含层次定义，版图设计规则，器件组成定义，器件剖面图及部分电学特性。Mask(掩膜版)=版图层次，如metal，poly等。
2023-03-20 21:46:35
7036
原创 模拟版图学习2——gvim
从命令模式转入到输入模式，使用的命令有A、a(后插)、I、i(前插)、O、o(另起一行)所有以冒号开始的都能把gvim编辑程序的光标移到屏幕的底行，使gvim编辑程序进入底行命令模式，并在那里输入命令的其他部分。用户进入gvim编辑器时，即处于命令模式，在命令模式下，用户输入的内容被翻译成命令并传给gvim编辑器。:%s/abc/123/g——将文中所有abc替换成123(常用)⑦ctrl十o，:bd，:bl——回到原文件(常用)③:e ctrl十d——查看当前目录下的文件。
2023-03-20 21:12:13
317
原创 comp版图设计实例分析
以layout的眼光分析电路，找到画版图时需特殊处理的地方，如匹配，大电流管子(﹥10uA)，噪声隔离，敏感线保护等。op的电路图分析结果:1.需要匹配的电流镜:差分上的电流镜很重要，如果是一个mos(不是指管子的个数)就不能放到两边2.需要匹配的差分对:与电路讨论3.可任意改变电容形状，但位置需要考虑衬底和源不在一起时，阈值电压会增加注意:①体效应②沟道调置效应。
2023-03-20 18:23:09
1208
原创 版图匹配之差分电流镜
1.电路里s端连接电源，gate连接在一起的pmos管，且gate电位来源这些gate连接在一起的管子中的一路，即pmos电流镜。同理，NMos管s端连接地，其余相同。2.cascode结构的电流镜，在电流镜的基础上，紧挨着电流镜管子的通路上加一个开关管(开关管:通过这个管子来控制这条电流路径开关)，此开关管作用为增加此路的阻抗。3.(指数较少，面积较小)横向放置电流镜时，长的电流镜注意2头都要打接触孔，同时用metal连接在一起，⒋BG，REF，EA，ADC，DAC，重要的op等，要加dummy，
2023-03-20 11:15:19
8290
原创 模拟版图学习2——linux②
type x 匹配所有类型为x的文件，x是c(字符特殊)，b(块特殊)，d(目录)，P(有名管道)，i(符号连接)，f(一般文件)-name 告诉find要找什么文件，要找的文件包括在引号中，可以使用通配符(*和？管道符"|"，通常放在两个命令之间，将前一个命令的输出作为下一个命令的输入。wc [文件列表] 统计指定文件中的字节数，字数，行数。tar [存档文件名] [文件或目录列表]mv [文件1] [文件2]
2023-03-19 21:01:29
131
原创 模拟版图学习2一linux①
linux系统以文件目录(将所有文件的说明信息采用树型结构组织起来)，“·”自身目录，“··″父目录。(选项:建立目录时设置目录的权限)cd ··——返回上一级目录(相对路径用法)创建目录:mkdir [目录]w——有哪些用户登录在线且显示用户当前工作。whoami——查看用户当前使用的用户名。who——当前有哪些用户登录到系统中。cd [目录名]——改变当前工作目录。In [目标] [目录]cd ~——返回home目录。clear——清屏命令。pwd——显示当前目录。
2023-03-19 19:45:12
188
原创 calibre验证笔记
调整坐标原点:Edit→Advanced→Move origncalibre工具:Run DRC——DRC检查Run LVS——LVS检查Run PEX——后仿参数提取start RVE——查看己经跑完的验证结果，可为自己，可为他人DRC验证一般使用DRC验证Hierachical模式:同一个cell里的同样错误只报一个，分cell去跑验证DRC验证Flat模式:所有层次在同一级cell跑验证，会把所有的错误都报出，对于小cell可一次性改好，对大型cell可快速掌握错误类型
2023-03-06 13:19:20
2583
原创 模拟版图学习1
Pmos-空穴/速度较慢；Nmos-电子/速度较快；（Un≈（2～3）Up）Id＝½UnW/L（Vgs-Vth）²Ncell→Pmos：⒈poly⒉AA(有源区)⒊P＋⒋Nwell⒌cont孔⒍M1Mask掩膜版:Mask→由版图tapeout产生gdS数据，由复杂层次关系产生JDV数据→光刻→刻蚀→光刻胶→显影→扩散→掺杂→离子注入→场氧→栅氧以Nwell制程的cmos反相器为例:氧化:在p型硅衬底芯片上生长一层sio2 涂上光刻胶→放上Mask，曝光→显影，去除曝光
2023-03-05 20:23:40
1025
空空如也
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人