LPDDR5的初始化流程
page(28)
1.上电
上图中的Ta~Tb主要用来做power up,即将用到的VDD用PMIC加载到合理的数值,符合协议的要求。
2.解复位
Tb~Tc的时间主要用来将reset pin置高,reset pin需要等待上电结束后的tINIT1(200us)后才能解开,保证电压稳定
3.初始化CK/CA/CS
Tc~Td的时间用来保证CK toggle,同时CS pin保证一直为低,保证命令为DES
4.发送NOP
通过拉高CS来帮助DRAM退出power down,等待一段时间可以发送任何命令。
5.初始化相关动作
做完前四步,DRAM已经可以接受任何命令了,但是DRAM正常工作还需要进行初始化相关动作,如MRW:帮助DRAM配置工作频点下的各种设置,如RL,WL,ODT,VREF等。ZQLatch:帮助DRAM latch到合适的电阻值。CBT/WCK2DQ/write leveling/DQ等training:帮助DRAM能在高速下正常工作。
附:DDR4的标准初始化过程
实质上,完整的初始化流程(Initilization)包括以下4个单独的步骤:
- 上电初始化,power-up and initilization
- ZQ校准
- Verf DQ校准
-读写training
一般来说,在系统上电后,CPU中的controller 会从复位状态中释放,自动执行上电与初始化序列:
1.给DRAM 颗粒上电
2.置低DRAM 复位端口RESET,并使能DRAM的时钟使能CKE
3.使能并产生时钟CK_t/CK_c
4.向DRAM发送MRS命令,并按照特定的序列读取、配置DRAM的MR
5.进行ZQ校准(ZQCL)
使DRAM进入状态机中的IDLE状态,为后续读写做好准备
上述流程结束后, DRAM已经知道需要在哪个频率上以及时序参数是多少,包括CAS