关于模拟IC设计中过驱动电压初值设置问题探究

一、何为过驱动电压？

过驱动电压（Overdrive Voltage）是指 MOS 管栅源电压  与阈值电压  的差值

通常用 、 以及  来表示

即： 

当  时，栅极电压克服阈值电压，在衬底表面感应出反型层（沟道）， 越大，沟道反型层的载流子浓度越高，沟道导电能力越强。

过驱动电压是模拟 IC 设计中连接管子电学特性与电路性能的 “桥梁”

模拟IC设计师需根据电路需求（功耗、速度、增益、带宽、噪声、线性度、电压裕度等）合理设定  的初值，从而方便计算管子初始宽长比  

然后再根据电路表现进行具体优化，多次迭代最终使电路的各个性能指标满足设计需求。

二、是如何影响模拟IC的？

1.功耗

MOS管饱和区电流公式：

可见  直接影响电路电流，故  过大会造成不必要的大功耗

2.速度

转换速率（SR, Slew Rate）是电路输出电压的最大变化率

是衡量电路输出信号跟随输入信号快速变化能力的关键动态参数，直接反映电路对高频或快速跳变信号的响应性能，也就是我们所说的速度。

 ，即 （当下能提供/吸走的最大电流）除以 （被这个电流直接充放电的“物理电容”）

可见  较大能提供较大的驱动电流，从而使SR较大，电路速度性能提升。

3.增益与带宽

因为 

又 

有  

上式即为 设计方法的理论依据， 越大，管子增益越大； 越小，带宽越大。

于是较小的  能提高增益，而较大的  能增加带宽。

4.噪声

（1）对热噪声的影响

MOS管热噪声电流谱密度通常用公式：

因为 

故MOS管热噪声与  近似呈正比关系（当其他条件不变时）

（2）对散粒噪声的影响

散粒噪声常出现在器件存在 PN 结等情况时，因载流子越过势垒的随机特性而产生，一般表示为

，q为电子电荷

因为  与  的平方成正比，提高 ， 快速增大，散粒噪声会对应增强。尤其在高频或大电流应用场景，散粒噪声的变化对电路整体噪声表现的影响易变得显著。

（3）对1/f 噪声的影响

1/f 噪声主要由半导体界面特性所致，像是界面态对载流子的随机俘获与释放等。其噪声电压谱密度一般形式为

为依赖工艺的常数，f为工作频率。

较高的  使沟道中载流子数增多，若单位载流子的 1/f 噪声贡献恒定，总噪声电流因载流子总量的增加而上升。

拓展：

硅晶体中，空穴的能量状态与界面态的能级匹配度较低，导致 PMOS 沟道载流子（空穴）被界面态俘获 / 释放的概率远低于 NMOS 的电子。

因此 PMOS 的  值通常比 NMOS 小10~100 倍（具体取决于工艺）。

故低噪声模拟电路（如高精度运算放大器、传感器接口电路）常采用 PMOS 输入对。

综上，较大的  会带来较大的噪声

4.线性度

过小的  会导致管子接近亚阈值区，电流与  的关系趋于指数特性，线性度下降；

过大的  可能使沟道长度调制效应增强（短沟道器件），导致电流随  变化更明显，同样影响线性度。设计中需平衡  以优化线性度。

5.电压裕度

过驱动电压会占用电路的电压余度（Supply Headroom）。

若  过大，会导致其他节点（如漏极）的电压摆幅受限，可能引发管子退出饱和区，破坏电路功能。

因此，低压设计中需严格控制  （通常取 0.1~0.3V）。

三、电路中的给初值经验

1. 级联管的  可以给小点

2. 二级运放输入对管  的初值计算（仅供参考）

因为     s

则有  

对于电路，令  （乘上1.5是为了有一定的裕度）

又单位增益带宽：

所以  

因为 

故 

则 

所以