模拟CMOS集成电路设计入门学习(6)

共源共栅结构(Cascode)

回顾:

共源级中晶体管可以将电压信号转换为电流信号;共栅级的输入信号可以是电流。

将共源级和共栅级进行级联:

 M_{1}:输入器件;M_{2}:共源共栅器件;

{流经M_{1}M_{2}的电流相等}

(1)分析共源共栅结构的偏置条件

 

为了保证M_{1}工作在饱和区,必须满足V_{X}\geq V_{in}-V_{TH1};

再假设M_{1}M_{2}都处于饱和区,则V_{X}主要由V_{b}决定:V_{X}=V_{b}-V_{GS2}

因此,V_{b}-V_{GS2}\geq V_{in}-V_{TH1}

从而:V_{b}\geq V_{in}+V_{GS2}-V_{TH1}

 ③为了保证M_{2}饱和,必须满足V_{out}\geq V_{b}-V_{TH2}

V_{out}\geq V_{in}-V_{TH1}+V_{GS2}-V_{TH2}

备注:{电路中M_{2}的增加会使电路的输出电压摆幅减小,减小的量至少为M_{2}的过驱动电压,也说成是M_{2}“层叠”在M_{1}上}

 (2)分析Cascode的大信号特性(在V_{in}从0变化到V_{DD}的过程进行分析)

V_{in}\leq V_{TH1}时,M_{1}M_{2}均处于截止状态V_{out}=V_{DD},且V_{X}\approx V_{b}-V_{TH2}{忽略亚阈值导通的情况下}

V_{in}超过V_{TH1}后,M_{1}开始抽取电流,V_{out}下降。因为I_{D2}增加,V_{GS2}必定同时增加,故而导致V_{X}下降。

假定V_{in}足够大值时,会出现两个结果

(a)V_{X}下降到比V_{in}低一个阈值电压V_{TH1},迫使M_{1}进入线性区;

(b)V_{out}下降到比V_{b}低一个阈值电压V_{TH2},迫使M_{2}进入线性区;

备注:{对于不同的器件尺寸和R_{D}以及V_{b},任何一个结果都可能先于另一个发生。}

 (3)分析Cascode的小信号特性

 

 假设两个晶体管都工作在饱和区,如果\lambda =0,因为输入器件产生的漏电流必定流过共源共栅器件,所以电压增益与共源级的电压增益相同

{这个结果与M_{2}的跨导与体效应无关。}

(4)计算Cascode的输出阻抗

共源共栅结构的一个重要特性就是输出阻抗很高。

回顾:

源级负反馈的另一个重要的作用是增大共源级的输出电阻。

 借助上图等效电路计算输出电阻。{为了得到通用的结论,我们考虑了体效应。}

可得式①R_{out}=[1+(g_{m}+g_{mb})r_{o}]R_{S}+r_{o}

下面,计算Cascode的R_{out}

 {为了计算R_{out},电路可以看成带负反馈电阻r_{o1}的共源级}

 因此,由式①可知:R_{out}=[1+(g_{m}+g_{mb2})r_{o2}]r_{o1}+r_{o2}

假设g_{m}r_{o}\gg 1,我们可以得到R_{out}\approx (g_{m2}+g_{mb2})r_{o1}r_{o2}

也就是说,M_{2M_{1}的输出阻抗拉高至原来的(g_{m2}+g_{mb2})r_{o2}

三层共源共栅电路的最小输出电压等于三个过驱动电压之和:

{有时候共源共栅级可以扩展为三个或更多器件的层叠以获得更高的输出阻抗,但是所需的额外的电压余度使这样的结构缺少吸引力}

 上图为三层共源共栅。

(5)更好地应用Cascode的高输出阻抗

回顾:

辅助定理:电压增益可以写为G_{m}R_{out}。因为G_{m}通常是由晶体管的跨导决定的,因此要在G_{m}

与偏置电流、器件电容之间进行折衷。

所以,最好通过使R_{out}最大化来增加电压增益。

 如果图中两个晶体管的都工作在饱和区,则G_{m}\approx g_{m1}R_{out}\approx (g_{m2}+g_{mb2})r_{o2}r_{o1}

因此,最大的电压增益大约等于晶体管本征增益的平方

(6)提高增益的两种方法

①采用共源共栅增大增益;

②在给定的偏置电流情况下通过增大输入晶体管的长度来增大增益。

(7)Cascode结构构成恒定电流源

高的输出阻抗提供一个接近理想的电流源,但这样做的代价是牺牲了电压余度

下图利用PMOS的Cascode结构来实现电流源作为负载,实现NMOS共源共栅放大器:

 利用辅助定理计算电压增益 {   G_{m}\approx g_{m1}  } 

利用式①R_{out}\approx ([1+(g_{m2}+g_{mb2})r_{o2}]r_{o1}+r_{o2})\left | \right |([1+(g_{m3}+g_{mb3})r_{o3}]r_{o4}+r_{o3})

所以:\left | A_{v} \right |\approx g_{m1}R_{out}

采用典型值时,电压增益近似等于:\left | A_{v} \right |\approx g_{m1}[(g_{m2}+r_{02}+r_{o1})\left | \right |(g_{m3}+r_{o3}+r_{o4})]

(8)Cascode的屏蔽特性

共源共栅晶体管“屏蔽”输入器件,使它不受输出结点电压变化的影响。

{高输出阻抗源于这个事实:如果输出结点电压变化\Delta V,相应在共源共栅器件源端的电压变化很小}

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### 回答1: 模拟CMOS集成电路设计讲义是为了介绍和指导学习者如何设计和实现模拟CMOS电路的一本教材。CMOS集成电路是当今电子技术领域中最重要的电路之一,广泛应用于各种电子设备中。 讲义首先介绍了CMOS技术的基本原理和特点。CMOS是由n型和p型晶体管组成的电路,采用了两种互补的材料,能够同时实现高速度和低功耗的优势。讲义详细介绍了CMOS电路的工作原理和基本组成,包括传输门、反相器、放大器等。 讲义接着介绍了模拟CMOS电路设计的基本步骤。包括电路规划、电路分析、电路设计、电路优化等。具体介绍了如何通过使用基本电路组件如电流镜、电流源、级联电路等实现各种功能电路的设计。 然后,讲义详细介绍了模拟CMOS电路设计中的常见问题和技巧。例如,电源电压和工作温度对电路性能的影响,如何通过优化器来提高电路性能等等。此外,讲义还介绍了常见的模拟CMOS电路设计工具和软件,如CADENCE等。 最后,讲义给出了一些实例,通过实例来帮助学习者理解和应用所学的知识。这些实例覆盖了常见的模拟电路设计,如放大器、滤波器、振荡器等。 总的来说,模拟CMOS集成电路设计讲义是一本系统而全面的教材,通过理论讲解、实例演示等多种方式,指导学习者掌握模拟CMOS电路设计的基本原理和方法。对于电子工程及相关专业的学习者来说,这本讲义是一本必备的参考书。 ### 回答2: 模拟CMOS集成电路设计讲义是一本关于设计模拟CMOS集成电路的详细教材。本讲义通过系统地介绍了模拟电路基础知识和CMOS技术原理,着重讲解了CMOS集成电路的设计过程和方法。 首先,本讲义对模拟电路基础知识进行了全面的介绍,包括电阻、电容、二极管、晶体管等器件的工作原理和特性。同时,讲义还讲解了放大器、运放、反馈等基本电路的设计原理和要点。通过这些基础知识的介绍,读者可以建立起对模拟电路设计的基本理解。 其次,本讲义详细介绍了CMOS技术的原理和特点。CMOS是一种常用的集成电路制造技术,它的特点是低功耗、高速度和抗干扰能力强。本讲义详细解释了CMOS器件的工作原理、结构和特性,以及CMOS电路的设计规则和设计流程。 最后,本讲义重点介绍了模拟CMOS集成电路的设计方法。从放大器、运放、滤波器到模数转换器、数模转换器等,讲义逐步详细介绍了各种模拟CMOS电路的设计原理和设计步骤。同时,讲义还通过大量的实例和实际设计案例,帮助读者理解和掌握CMOS电路的设计技巧和方法。 总的来说,模拟CMOS集成电路设计讲义是一本系统全面介绍模拟CMOS电路设计的教材。它适合作为大学本科生、研究生以及从事集成电路设计相关工作的工程师的参考书。通过学习本讲义的内容,读者可以全面了解模拟CMOS电路的设计原理和方法,提高自己的设计能力和技巧。

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