新型存储器产业发展现状与展望

最新推荐文章于 2024-08-07 22:22:58 发布

宋罗世家技术屋

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分类专栏：智能化软件系统建设方案专栏文章标签：人工智能大数据

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本文探讨了新型存储器（PCM、MRAM、RRAM）的产业发展现状，强调了它们在解决存储墙问题和应对新型应用需求中的作用。PCM主要用于独立式存储，MRAM在嵌入式存储中展现出低功耗优势，而RRAM在人工智能和存算一体领域有潜力。尽管面临成本和制造工艺的挑战，这些新型存储技术有望在未来的计算架构中发挥关键作用。

摘要由CSDN通过智能技术生成

摘要

为了解决日益严重的存储墙问题对计算系统的制约,应对新的存储应用需求,新型存储器正逐渐从科研走向产业化。英特尔、三星、台积电等国际巨头纷纷加入相关技术的产业化推进中。新型存储技术主要包括相变存储、磁变存储和阻变存储。相变存储适用于大容量的独立式存储应用,磁变存储适用于小容量高速低功耗的嵌入式应用,阻变存储则有可能在未来的人工智能、存算一体等领域发挥作用。

关键词： 存储器; 新型存储技术; 相变存储; 磁变存储; 阻变存储

0 引言

为满足对海量信息的高速处理需求,同时兼顾系统功耗和成本,当前信息系统中所使用的存储器已经发展出了一套由不同特性存储器组成的多级存储架构。一般而言,这一存储架构由靠近计算端的内核存储器、承上启下的主存储器,以及靠近数据端的外部存储器组成。

1 多级存储器架构

多级存储器中每一级存储器在容量、速度、价格、功耗这4个方面均有不同的取舍[1]。

内核存储器,又称为缓存(Cache),主要使用嵌入式存储,属于中央处理器(CPU)结构中的一部分,速度在三级存储中最快但容量最小,且造价高昂、功耗也较高,只能用于存放计算过程中的临时数据。主存储器主要使用动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM),速度只有缓存的1/4,但容量是缓存的1 000倍,造价和功耗也相对内核存储更低,主要用于存储运行中的程序及数据。外部存